网友评论
我也评两句
评论：
CXMS5111是N沟道增强MOS场效应晶体管采用沟槽技术和设计以低栅极电荷提供优秀的RDS（ON适用于DC-DC转换电源开关和充电电路超高密度电池设计极低阈值电压
查看原文
评分:
1分
2分
3分
4分
5分
平均得分:
0
分，共有
人参与评分
网友评论
本站网友 oumao18
ip:120.229.48.*
2025-05-28 02:18:24 发表
CXMS5111是N沟道增强MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，以低栅极电荷提供优秀的RDS（ON）。该装置适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品CXMS5111不含铅和卤素 z Trench Technology z Supper high density cell design z Excellent ON resistance z Extremely Low Threshold Voltage
回复
支持
[
2
]
反对
[
2
]
网友评论仅供网友表达个人看法，并不表明本站同意其观点或证实其描述
我也评两句
用户名：
密码：
验证码：
还没有注册？
匿名发表
