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CXMS5124采用沟槽技术和设计以低栅极电荷提供优秀的RDS（ON）适用于小信号开关N沟道增强MOS场效应晶体管对更高直流电流具有优异的导通电阻
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本站网友 oumao18
ip:120.229.48.*
2025-05-28 02:18:24 发表
是N沟道增强MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，以低栅极电荷提供优秀的RDS（ON）。该装置适用于小信号开关。标准产品CXMS5124不含铅和卤素。 沟槽技术 超高密度电池设计 对更高直流电流具有优异的导通电阻 •HBM ESD保护>2千伏
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