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20V N沟道增强型MOS场效应管极低的导通电阻高密度的单元设计CXMS5265
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本站网友 oumao18
ip:120.229.48.*
2025-05-21 09:29:42 发表
CXMS5265 VDS= 20V RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@2.0A = 50mΩ@TYP RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@2.8A =40mΩ@TYP
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