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评论：CXMS5181沟槽技术超高密度电池设计对更高直流电流具有优异的导通电阻极低阈值电压是P沟道增强MOS场效应晶体管采用沟槽技术和设计以低栅极电荷提供优秀的RDS（ON）适用于DC-DC转换电源开关和充电电路
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本站网友 oumao18 ip:120.229.48.*
2025-05-28 02:18:24 发表
CXMS5181是P沟道增强MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，以低栅极电荷提供优秀的RDS（ON）。该装置适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品CXMS5181不含铅。 沟槽技术 超高密度电池设计 对更高直流电流具有优异的导通电阻 极低阈值电压
 
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