您好，游客 <游客>
[ 马上登录 | 注册帐号 ]
当前位置：首页 > 产品中心 > 功率器件 > N沟道P沟道双极MOSFETs > CXMS5133沟槽技术超高密度电池设计优良的抵抗力极低阈值电压是N沟道增强MOS场效应晶体管沟道技术和设计低栅极电荷提供优秀的RDS（ON）适用于DC-DC变换负载切换和电平变换 > 评论
  帐号
  投稿
  商城

网友评论

评论：CXMS5133沟槽技术超高密度电池设计优良的抵抗力极低阈值电压是N沟道增强MOS场效应晶体管沟道技术和设计低栅极电荷提供优秀的RDS（ON）适用于DC-DC变换负载切换和电平变换
 评分: 1分 2分 3分 4分 5分
平均得分: 0 分，共有 人参与评分
   网友评论
   
本站网友 oumao18 ip:120.229.48.*
2025-05-28 02:18:24 发表
CXMS5133是N沟道增强MOS场效应晶体管。采用先进的沟道技术和设计，以低栅极电荷提供优秀的RDS（ON）。该装置适用于DC-DC变换、负载切换和电平变换沟槽技术超高密度电池设计 优良的抵抗力极低阈值电压
 
回复  支持[6]  反对[3]

   

网友评论仅供网友表达个人看法，并不表明本站同意其观点或证实其描述   
   我也评两句 用户名： 密码： 验证码：           还没有注册？
匿名发表
Powered by jiataimu © 2002-2018 jiataimu.