您好，游客 <游客>
[ 马上登录 | 注册帐号 ]
当前位置：首页 > 产品中心 > 功率器件 > N沟道P沟道双极MOSFETs > CXMS5147采用沟道技术和设计低栅极电荷提供优秀的RDS（ON）用于DC-DC转换电源开关和充电电路N沟道增强MOS场效应晶体管沟槽技术超高密度电池设计高直流电流的优良导通电阻极低阈值电压 > 评论
  帐号
  投稿
  商城

网友评论

评论：CXMS5147采用沟道技术和设计低栅极电荷提供优秀的RDS（ON）用于DC-DC转换电源开关和充电电路N沟道增强MOS场效应晶体管沟槽技术超高密度电池设计高直流电流的优良导通电阻极低阈值电压
 评分: 1分 2分 3分 4分 5分
平均得分: 0 分，共有 人参与评分
   网友评论
   
本站网友 oumao18 ip:120.229.48.*
2025-05-28 02:18:24 发表
CXMS5147是N沟道增强MOS场效应晶体管。采用先进的沟道技术和设计，以低栅极电荷提供优秀的RDS（ON）。该装置适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品CXMS5147不含铅沟槽技术超高密度电池设计高直流电流的优良导通电阻极低阈值电压
 
回复  支持[3]  反对[4]

   

网友评论仅供网友表达个人看法，并不表明本站同意其观点或证实其描述   
   我也评两句 用户名： 密码： 验证码：           还没有注册？
匿名发表
Powered by jiataimu © 2002-2018 jiataimu.