您好，游客 <游客>
[ 马上登录 | 注册帐号 ]
当前位置：首页 > 产品中心 > 功率器件 > N沟道P沟道双极MOSFETs > CXMS5187双P通道-20V-3.6A功率MOSFET逻辑模式功率场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造沟槽技术超高密度电池设计高直流电流的优良导通电阻极低阈值电压适用于低压应用笔记本电脑电源管理和其他高侧开关的电池供电电路 > 评论
  帐号
  投稿
  商城

网友评论

评论：CXMS5187双P通道-20V-3.6A功率MOSFET逻辑模式功率场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造沟槽技术超高密度电池设计高直流电流的优良导通电阻极低阈值电压适用于低压应用笔记本电脑电源管理和其他高侧开关的电池供电电路
 评分: 1分 2分 3分 4分 5分
平均得分: 0 分，共有 人参与评分
   网友评论
   
本站网友 oumao18 ip:120.229.48.*
2025-05-28 02:18:24 发表
CXMS5187是双P通道逻辑模式功率场效应晶体管，采用高密度DMOS沟道技术制造。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些设备特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理和其他高侧开关的电池供电电路 沟槽技术 超高密度电池设计 高直流电流的优良导通电阻 极低阈值电压
 
回复  支持[2]  反对[2]

   

网友评论仅供网友表达个人看法，并不表明本站同意其观点或证实其描述   
   我也评两句 用户名： 密码： 验证码：           还没有注册？
匿名发表
Powered by jiataimu © 2002-2018 jiataimu.