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评论：CXMS5221双N沟道增强型场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造用于减小导通电阻适合于低压应用和低功耗20V/5A超低导通电阻高密度电池设计
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本站网友 oumao18 ip:120.229.48.*
2025-05-21 09:29:42 发表
CXMS5221系列双N沟道增强型场效应晶体管，采用高密度DMOS沟道技术制造，主要用于减小导通电阻。这种装置特别适合于低压应用和低功耗 20V/5A，RDS（开）=29mΩ@VGS=3.85V，ID=5A 超低导通电阻高密度电池设计
 
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