CXLE8416 CXLE8417单级、带有源功率因数校正的高精度原边反馈LED恒流 控制芯片, 适用于85Vac~265Vac全范围输入电压的反激式隔离LED恒流电源。集成有源功率因数校正电路,可以实现很高的功率因数和很低的总谐波失真。 由于工作在电感电流临界连续模式, 功率MOS 管处于零电流开通状态,开关损耗得以减 小,同时变压器的利用率也较高

发布时间:2020-04-06 09:43:38 浏览次数:701 作者:嘉泰姆 来源:1
摘要:CXLE8416 CXLE8417单级、带有源功率因数校正的高精度原边反馈LED恒流 控制芯片, 适用于85Vac~265Vac全范围输入电压的反激式隔离LED恒流电源。集成有源功率因数校正电路,可以实现很高的功率因数和很低的总谐波失真。 由于工作在电感电流临界连续模式, 功率MOS 管处于零电流开通状态,开关损耗得以减 小,同时变压器的利用率也较高

目录P3n嘉泰姆

1.产品概述       2.产品特点     3.应用范围      4.技术规格书下载(产品PDF文档) 
5.
产品封装图</span>   6.电路原理图</span>  7.功能概述      8.
相关产品P3n嘉泰姆

,产品概述(General Description)      
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   CXLE8416 CXLE8417是一款单级、带有源功率因数校正的高精度原边反馈LED恒流
控制芯片, 适用于85Vac~265Vac全范围输入电压的反激式隔离LED恒流电源。</span>CXLE8416 P3n嘉泰姆

CXLE8417集成有源功率因数校正电路,可以实现很高的功率因数和很低的总谐波失真。</span>
由于工作在电感</span>电流临界连续模式, 功率MOS 管处于零电流开通状态,开关损耗得以减
小,同时变压器的利用率也较高。</span>
      CXLE8416 CXLE8417工作于原边反馈模式,无需次级反馈电路,即可实现高精度输</span>
出恒流控制,节约了系统成本和体积,提高了系统的</span>可靠性</span>。 CXLE8416 CXLE8417内</span>
部集成700V功率MOSFET,只需要很少的外围器件,节约了系统成本和体积,提高了系
统的可靠性。</span>
     CXLE8416 CXLE8417线电压调整率和负载调整率参数优异,同时线电压补偿系数还</span>
可以通过外部元件灵活调整。</span>
    CXLE8416 CXLE8417内置多重保护功能来加强系统可靠性,包括LED开路保护、LED
短路保护、芯片供电过压保护、欠压保护、电流采样电阻开路保护和逐周期限流等。所有</span>
的保护都具有自动重启功能。另外,CXLE8416 CXLE8417具有过热调节功能,在驱动电</span>
源过热时减小输出电流,以提高系统的可靠性。CXLE8416 CXLE8417采用SOP-8/DIP-7
封装。</span>
二</span>.产品特点(Features)
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单级、有源功率因数校正,高PF 值,低THD
内置700V 高压功率MOSFET
原边反馈恒流控制,无需次级反馈电路
±3% LED 输出电流精度
优异的线电压调整率和负载调整率</span>
电感电流临界连续模式
超低启动电流
FB 反馈电阻值高,</span>功耗</span>低</span>
LED 开路/短路保护
电流采样电阻开路保护</span>
逐周期原边电流限流</span>
芯片供电过压/欠压保护
自动重启功能
过热调节功能
三</span>,应用范围 (Applications)
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LED
四.技术</span>规格书下载(产品PDF)</span>
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P3n嘉泰姆

P3n嘉泰姆

需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持!P3n嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpgP3n嘉泰姆

五,产品封装图 (Package)
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JTMS9866/JTMS9867引脚说明
P3n嘉泰姆

引脚号</p>

符号P3n嘉泰姆

功能P3n嘉泰姆

1P3n嘉泰姆

COMPP3n嘉泰姆

环路补偿点</p>

2P3n嘉泰姆

VDDP3n嘉泰姆

芯片电源P3n嘉泰姆

3P3n嘉泰姆

FBP3n嘉泰姆

反馈信号采样端</p>

4P3n嘉泰姆

ISENP3n嘉泰姆

电流采样端,接采样电阻到地</p>

5、6P3n嘉泰姆

DRAINP3n嘉泰姆

内部 MOSFET 的漏端</p>

7、8P3n嘉泰姆

GNDP3n嘉泰姆

芯片地</p>

六.电路原理图</span>
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JTMS9866/JTMS9867典型应用图&quot; src=
七</span>,功能概述
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P3n嘉泰姆

项目P3n嘉泰姆

符号P3n嘉泰姆

参数范围P3n嘉泰姆

单位P3n嘉泰姆

电源电压P3n嘉泰姆

VDDP3n嘉泰姆

-0.3~25P3n嘉泰姆

VP3n嘉泰姆

VDD 引脚最大钳位电流</p>

ICC_MAXP3n嘉泰姆

5P3n嘉泰姆

mAP3n嘉泰姆

环路补偿点电压</p>

VCOMPP3n嘉泰姆

-0.3~6P3n嘉泰姆

VP3n嘉泰姆

辅助绕组的反馈端电压P3n嘉泰姆

VFBP3n嘉泰姆

-0.3~6P3n嘉泰姆

VP3n嘉泰姆

电流采样端电压</p>

VISENP3n嘉泰姆

-0.3~6P3n嘉泰姆

VP3n嘉泰姆

内部功率 MOSFET 漏极到源极的峰值电压</p>

VMOS-DSP3n嘉泰姆

-0.3~700P3n嘉泰姆

VP3n嘉泰姆

o
最大耗散功率(Ta=25 C)P3n嘉泰姆

PtotP3n嘉泰姆

0.45@ SOP-8P3n嘉泰姆

WP3n嘉泰姆

0.90@ DIP-7P3n嘉泰姆

热阻结-环境P3n嘉泰姆




Rthj-aP3n嘉泰姆

145@ SOP-8P3n嘉泰姆

℃/WP3n嘉泰姆

80@ DIP-7P3n嘉泰姆


工作结温范围P3n嘉泰姆




TJP3n嘉泰姆

-40~150P3n嘉泰姆

℃</p>


存储温度范围P3n嘉泰姆

TSTGP3n嘉泰姆

-55~150P3n嘉泰姆

℃</p>

ESDP3n嘉泰姆


2,000P3n嘉泰姆

VP3n嘉泰姆

八,相关芯片选择指南
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P3n嘉泰姆

隔离产品P3n嘉泰姆

产品型号P3n嘉泰姆

隔离/非隔离</p>

内置功率管</p>

封装形式P3n嘉泰姆

功率范围P3n嘉泰姆


CXLE8413P3n嘉泰姆

YP3n嘉泰姆

MOSFET,650V/0.8AP3n嘉泰姆

SOP-8P3n嘉泰姆

5-7WP3n嘉泰姆

(SOP-8)_CNP3n嘉泰姆

CXLE8414P3n嘉泰姆

YP3n嘉泰姆

MOSFET,650V/1.2AP3n嘉泰姆

SOP-8P3n嘉泰姆

7-9WP3n嘉泰姆

(SOP-8)_CNP3n嘉泰姆

CXLE8415AP3n嘉泰姆

YP3n嘉泰姆

MOSFET,650/2.0AP3n嘉泰姆

DIP-7P3n嘉泰姆

12-18WP3n嘉泰姆

(DIP-7)_CNP3n嘉泰姆

CXLE8416P3n嘉泰姆

YP3n嘉泰姆

MOSFET,700V/3.0AP3n嘉泰姆

SOP-8,DIP-7P3n嘉泰姆

12-18WP3n嘉泰姆

(SOP-8&DIP-7)_CNP3n嘉泰姆

CXLE8417P3n嘉泰姆

YP3n嘉泰姆

MOSFET,700V/4.0AP3n嘉泰姆

DIP-7P3n嘉泰姆

18-24WP3n嘉泰姆

(DIP-7)_CNP3n嘉泰姆

CXLE8418P3n嘉泰姆

YP3n嘉泰姆

MOSFET,BJTP3n嘉泰姆

SOP-8P3n嘉泰姆

UP to 60WP3n嘉泰姆

(SOP-8)_CNP3n嘉泰姆

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