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EnglishP沟道增强型场效应管CXMS5191SG 采用高单元密度的DMOS沟道技术。 这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻
摘要：P沟道增强型场效应管CXMS5191SG 采用高单元密度的DMOS沟道技术。 这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻
目录
1.产品概述 2.产品特点 3.应用范围 4.技术规格书下载（PDF文档）</span>
5.产品封装 6.电路原理图</strong> 7.相关产品
CXMS5191SG P沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS
沟道技术。</span>这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻.CXMS5191SG适用于低压应
用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。</span>
● -30V/-4A
RDS(ON) =90mΩ@ VGS=-10V,ID=-4A
RDS(ON) =110mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-3A
●</span> 超大密度单元、极小的 RDS(ON)）
●</span> 采用SOP8封装
● 电源管理
●</span> 负载开关
●</span> 电池保护
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参数 | 符号 | 极限值</span> | 单位 |
漏级电压 | VDSS | -30V | V |
栅级电压 | VGSS | ±20 | V |
漏级电流 | ID | -4 | A |
允许最大功耗</span> | PD | 2 | W |
工作温度 | TOpr | 150 | ℃</span> |
存贮温度 | Tstg | -65/150 | ℃</span> |
| 系列名称 | 输入电压 (V) | 输出电压 (V) | 最大输出电流 (A) | 封装 | 特点 | |||
| 最小</td> | 最大</td> | 最小</td> | 标准 | 最大</td> | ||||
| CXMS5191 | 30V | 4 | SOP8 | P沟道增强型场效应管</td> | ||||
| CXMS5192 | 30V | 4 | SOP8 | 带散热片P沟道增强型场效应管</td> | ||||
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