CX4HN60 N-Channel Superjunction MOSFET, CX10HN60 N-Channel Superjunction MOSFET,NeoFET基于先进的深槽填充工艺,是新一代高压超结MOSFET产品,通过利用先进的制造技术以及精确的工艺控制,NeoFET产品具有优越的开关特性和可靠性

发布时间:2020-04-06 09:43:38 浏览次数:702 作者:嘉泰姆 来源:1
摘要:CX4HN60 N-Channel Superjunction MOSFET, CX10HN60 N-Channel Superjunction MOSFET,NeoFET基于先进的深槽填充工艺,是新一代高压超结MOSFET产品,通过利用先进的制造技术以及精确的工艺控制,NeoFET产品具有优越的开关特性和可靠性

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   产品概述 返回TOPIDF嘉泰姆


NeoFET基于先进的深槽填充工艺,是新一代高压超结MOSFET产品。与传统MOSFET相比较,本产品的特征导通电阻下降</span>了70%。通过利用先进的制造技术以及精确的工艺控制,NeoFET产品具有优越的开关特性和可靠性。本产品适用于计算机主板电</span>源,服务器/通信领域,适配器,液晶和等离子平板电视,照明,UPS以及工业电源应用领域

   产品特点 返回TOPIDF嘉泰姆


● RDS(on)=0.85Ω(典型值)@VGS=10V,ID=2.8A
● 超高dv/dt耐量
● 高速开关可靠性</span>
● 超低功耗,超低Rdson*Qg
● 超低栅电荷量(Typ.Qg=15nC)
● 超低输出电容
● 100%雪崩耐量测试
● 符合JEDEC无铅标准IDF嘉泰姆

   应用范围 返回TOPIDF嘉泰姆


● 计算机主板电源</span>
● 适配器</span>
● 液晶和等离子平板电视
● 照明
● 通信,服务器
● UPS
● 开关电源应用</span>IDF嘉泰姆

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电路原理图&nbsp;返回TOPIDF嘉泰姆

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N沟道超结MOS
ProductCharacterDarin to Source   VoltageContinuous Drain   CurrentDrain Current PulsedGate to Source   VoltageRDS(ON) Typ.(Ω)Single Pulsed   Avalanche EnergyPackage
CX4HN60N-Channel Superjunction MOSFET0~600V0~4.5A0~13A±30V0.85130mJTO251/252
CX10HN60N-Channel Superjunction MOSFET0~600V0~10A0~30A±30V0.34200mJTO220/220FP

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