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EnglishP 沟道增强型功率 MOSFET CXCP5366采用先进工艺，提供较低的导通电阻，低 栅极电荷和低工作电压，栅极电压可低至2.5V。 CXCP5366适合用于电池保护，或PWM开关中的应 用
摘要：P 沟道增强型功率 MOSFET CXCP5366采用先进工艺，提供较低的导通电阻，低 栅极电荷和低工作电压，栅极电压可低至2.5V。 CXCP5366适合用于电池保护，或PWM开关中的应 用
CXCP5366采用先进工艺，提供较低的导通电阻，低 栅极电荷和低工作电压，栅极电压可低至2.5V。 CXCP5366适合用于电池保护，或PWM开关中的应 用。</span>
电池保护
负载开关</span>
电源管理
VDS = -20V，ID = -4.1A RDS(ON) < 75mΩ @ VGS=-2.5V RDS(ON) < 52mΩ @ VGS=-4.5V
较高的功率和电流处理能力
3 管脚 SOT23 封装
产品无铅，满足 rohs，不含卤素</span>
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型号 | 最大漏源电压</span> | 栅极阈值电压</span> | 最大导通电流</span> | 导通阻抗</span> | 封装 |
-20V | 0.7V | -4.1A | 52 毫欧 | SOT23-3 |
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