智能 LDO 供电的去频闪高功率因数 LED 驱动芯片CXLE8260内部集成智能高压LDO芯片供电技术的去频闪的LED照明驱动 IC ,带有单级有源功率因数校正功能,适用于Boost和非隔离Flyback拓扑,采用准谐 振工作模式,外置功率MOSFET,开关损耗小。驱动芯片可应用于紧凑型LED灯,适 用于单压工作,100Vac,120Vac,230Vac。 也可全压工作,输入范围为 90~305

发布时间:2020-04-06 09:43:38 浏览次数:697 作者:嘉泰姆
摘要:智能 LDO 供电的去频闪高功率因数 LED 驱动芯片CXLE8260内部集成智能高压LDO芯片供电技术的去频闪的LED照明驱动 IC ,带有单级有源功率因数校正功能,适用于Boost和非隔离Flyback拓扑,采用准谐 振工作模式,外置功率MOSFET,开关损耗小。驱动芯片可应用于紧凑型LED灯,适 用于单压工作,100Vac,120Vac,230Vac。 也可全压工作,输入范围为 90~305

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   产品概述 返回TOP2lg嘉泰姆


CXLE8260是一款内部集成智能高压LDO芯片供电技术的去频闪的LED照明驱动 IC ,带有单级有源功率因数校正功能,适用于Boost和非隔离Flyback拓扑。芯片采 用多项独有技术,主要优点包括:</h2>

 1. 高功率因数,谐波含量低,零输出电流纹波。可应用于各种功率等级输出。&nbsp;

2. 芯片具有单级功率因数校正功能,可实现小的电路板尺寸。&nbsp;

3. 无频闪&nbsp;

4. 内部集成高压启动电路,实现快速启动&nbsp;

5. 单绕组电感,无需辅助绕组,降低成本&nbsp;

6. 具有多重保护功能,提高可靠性&nbsp;

7. 外围器件少,总体成本低 驱动芯片控制采用临界连续模式,典型应用于BOOST和FLYBACK拓扑。&nbsp;

采用准谐 振工作模式,外置功率MOSFET,开关损耗小。驱动芯片可应用于紧凑型LED灯,适 用于单压工作,100Vac,120Vac,230Vac。 也可全压工作,输入范围为 90~305Vac。 输出功率范围为2W~40W,外围元件确定驱动的功率等级

   产品特点 返回TOP2lg嘉泰姆


1. 功率因数大于 0.95, 谐波含量小于 10% 2lg嘉泰姆

2. 超高的变换效率,效率可至 96% 2lg嘉泰姆

3. 零纹波,无频闪&nbsp;2lg嘉泰姆

4. 量产输出电流精度可控制在±3% 2lg嘉泰姆

5. 快速启动时间 <500ms 2lg嘉泰姆

6. 出色的输入线性调整率和输出负载调整率 2lg嘉泰姆

7. 具有多重保护功能:&nbsp;2lg嘉泰姆

     输入欠压保护2lg嘉泰姆

     电流采样采用前沿空窗延时采样2lg嘉泰姆

     逐周期电流峰值限制</p>

     过温保护2lg嘉泰姆

     输出负载开路/短路保护2lg嘉泰姆

     内部 LDO 过功率限制</p>

     负载过流保护2lg嘉泰姆

     过压保护2lg嘉泰姆

   应用范围 返回TOP2lg嘉泰姆


1. LED 照明 2lg嘉泰姆

2. 筒灯,日光灯,PAR 灯,球泡灯等2lg嘉泰姆

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 QQ截图20160419174301.jpg2lg嘉泰姆

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