高电源抑制比、低噪声 300mA LDO CXLD64001系列芯片,具有很高的电源抑制比,静态工作电流 40uA左右,适合射频方面的应用。该系列采用先进的 CMOS工艺,实现快速启动、低噪声、极好的瞬时反应特性和很高电源抑制比功能。CXLD64001BXX系列芯片稳定于1.0μF陶瓷输出电容,并且使用精确的参考电压和反馈环路,能够在所有负载,线路,流程和温度变化情况下最多产生 2%的精度误差

发布时间:2020-04-06 09:43:38 浏览次数:702 作者:嘉泰姆
摘要:高电源抑制比、低噪声 300mA LDO CXLD64001系列芯片,具有很高的电源抑制比,静态工作电流 40uA左右,适合射频方面的应用。该系列采用先进的 CMOS工艺,实现快速启动、低噪声、极好的瞬时反应特性和很高电源抑制比功能。CXLD64001BXX系列芯片稳定于1.0μF陶瓷输出电容,并且使用精确的参考电压和反馈环路,能够在所有负载,线路,流程和温度变化情况下最多产生 2%的精度误差

目录

1.产品概述       2.产品特点     xFg嘉泰姆

3.应用范围       4.技术规格书下载(PDF文档)</span>xFg嘉泰姆

5.产品封装       6.电路原理图</strong>  xFg嘉泰姆

7.相关产品xFg嘉泰姆

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CXLD64001系列芯片,具有很高的电源抑制比,静态工作电流</span> 40uA左右,适合射频方面的应用。该系</span>列采用先进的 CMOS工艺,实现快速启动、低噪声、极好的瞬时反应特性和很高电源抑制比功能。</span>CXLD64001BXX系列芯片稳定于</span>1.0μF陶瓷输出电容,并且使用精确的参考电压和反馈环路,能够在所有负载,线路,流程和温度变化情况下最多产生</span> 2%的精度误差。该系列芯片的工作结温规定在-40℃</span>~</span>+125℃</span>,它采用小型SOT23-5/SC70-5/SOT24/ DFN4 封装和带有散热垫的超小型 2mm×2mmDFN封装,其中采用</span> DFN封装的产品很适用于小型便携式设备,如无线手机和</span> PDA。</span>HM系列提供标准的固定输出电压</span> 1.2V(</span>CXLD64001B12 ),1.5V(</span>CXLD64001B15 ),1.8V(</span>CXLD64001B182),2.5V(</span>CXLD64001B25 ),2.8V(</span>CXLD64001B28 ),3.0V(</span>CXLD64001B30 ),3.3V(</span>CXLD64001B33 )和自定义</span>电压选择(</span>0.8V和</span>5.0V之间 50mV 的步幅电压选择应要求提供</span>xFg嘉泰姆

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宽输入电压范围:2.5V 至</span> 6.5VxFg嘉泰姆

高达 300mA 的负载电流</span>xFg嘉泰姆

标准的固定输出电压选项:</span>1.2V、</span>1.5V、</span>1.8V、</span>2.5V、</span>2.8V、</span>3.0V 和</span> 3.3VxFg嘉泰姆

其他输出电压应要求可提供xFg嘉泰姆

很低的静态工作电流</span> IQ: 40μAxFg嘉泰姆

超低的电压压降:在</span> 300mA 的负载时压降为</span> 300mVxFg嘉泰姆

很高的电源抑制比 PSRR:工作在 100Hz 时为 65dBxFg嘉泰姆

超低噪声:在输出电压为</span> 1.2V 时噪声电压为 45uVrmsxFg嘉泰姆

超快速启动时间:25μsxFg嘉泰姆

极好的负载</span>/线路暂态响应</span>xFg嘉泰姆

线路调整率:典型值为 0.03%</span>xFg嘉泰姆

封装:</span> SC70-5(CXLD64001BXXSC) ;</span>DFN6(CXLD64001BXXY) ;</span>SOT24(CXLD64001BXXS4). DFN4(CXLD64001BXXYDxFg嘉泰姆

   应用范围 返回TOPxFg嘉泰姆


智能手机和便携式电话xFg嘉泰姆

掌上电脑xFg嘉泰姆

MP3/MP4播放器</span>xFg嘉泰姆

数码照相机</span>xFg嘉泰姆

便携式仪器</span>xFg嘉泰姆

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 QQ截图20160419174301.jpgxFg嘉泰姆

产品封装图&nbsp;返回TOPxFg嘉泰姆


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电路原理图&nbsp;返回TOPxFg嘉泰姆

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LDO   ICxFg嘉泰姆

型号xFg嘉泰姆

最大</span>输</span>xFg嘉泰姆

出</span>电流xFg嘉泰姆

输入电压xFg嘉泰姆

输出电压xFg嘉泰姆

精度xFg嘉泰姆

功耗</span>xFg嘉泰姆

负载稳定率</span>xFg嘉泰姆

线性稳定率xFg嘉泰姆

封装形式xFg嘉泰姆

CXLD64021xFg嘉泰姆

300mAxFg嘉泰姆

7VxFg嘉泰姆

1.2/1.5/1.8/2.0/2.1/2.2/2.xFg嘉泰姆

5/2.8/3.0/3.3/3.6/5.0VxFg嘉泰姆

2%xFg嘉泰姆

7uAxFg嘉泰姆

40-80mVxFg嘉泰姆

0.05%xFg嘉泰姆

SOT-23/SOT-89xFg嘉泰姆

CXLD64022xFg嘉泰姆

500mAxFg嘉泰姆

10VxFg嘉泰姆

1.2/1.5/1.8/2.0/2.1/2.2/2.xFg嘉泰姆

5/2.8/3.0/3.3/3.6/5.0VxFg嘉泰姆

2%xFg嘉泰姆

5uAxFg嘉泰姆

12-30mVxFg嘉泰姆

0.05%xFg嘉泰姆

SOT-89xFg嘉泰姆

CXLD64023xFg嘉泰姆

300mAxFg嘉泰姆

6.5VxFg嘉泰姆

1.3/1.8/2.8/xFg嘉泰姆

1%xFg嘉泰姆

4uAxFg嘉泰姆

9mVxFg嘉泰姆

0.07%xFg嘉泰姆

SOT-23-3L/SOT-89xFg嘉泰姆

CXLD64024xFg嘉泰姆

300mAxFg嘉泰姆

10VxFg嘉泰姆

1.2/1.5/1.8/2.0/2.1/2.2/2.xFg嘉泰姆

5/2.8/3.0/3.3/3.6/5.0VxFg嘉泰姆

2%xFg嘉泰姆

5uAxFg嘉泰姆

12mVxFg嘉泰姆

0.05%xFg嘉泰姆

SOT-23/SOT-89xFg嘉泰姆

CXLD64025xFg嘉泰姆

300mAxFg嘉泰姆

10VxFg嘉泰姆

3.0/3.3/5.0VxFg嘉泰姆

2%xFg嘉泰姆

1.5uAxFg嘉泰姆

12mVxFg嘉泰姆

0.05%xFg嘉泰姆

SOT-23/SOT-89xFg嘉泰姆

CXLD64026xFg嘉泰姆

1AxFg嘉泰姆

8.5VxFg嘉泰姆

3.3/5.0VxFg嘉泰姆

2%xFg嘉泰姆

2uAxFg嘉泰姆

12mVxFg嘉泰姆

0.05%xFg嘉泰姆

SOT-89xFg嘉泰姆

CXLD64027xFg嘉泰姆

1AxFg嘉泰姆

8.5VxFg嘉泰姆

3.0/3.3VxFg嘉泰姆

2%xFg嘉泰姆

25uAxFg嘉泰姆

12mVxFg嘉泰姆

0.05%xFg嘉泰姆

SOT-89xFg嘉泰姆

带使能LDO ICxFg嘉泰姆

型号xFg嘉泰姆

最大</span>输</span>xFg嘉泰姆

出电流</span>xFg嘉泰姆

输入电压xFg嘉泰姆

输出电压xFg嘉泰姆

精度xFg嘉泰姆

功耗</span>xFg嘉泰姆

负载稳定率</span>xFg嘉泰姆

线性稳定率xFg嘉泰姆

封装形式xFg嘉泰姆

CXLD64001xFg嘉泰姆

500mAxFg嘉泰姆

6.5VxFg嘉泰姆

1.2/1.5/1.8/2.5/2.8/3.xFg嘉泰姆

0/3.3/3.64.5/5.0VxFg嘉泰姆

2%xFg嘉泰姆

静态电流:40uAxFg嘉泰姆

关断电流:1uAxFg嘉泰姆

0.60%xFg嘉泰姆

0.40%xFg嘉泰姆

SOT-25/SC70-5xFg嘉泰姆

/DFN1X1-4xFg嘉泰姆

CXLD64002xFg嘉泰姆

300mAxFg嘉泰姆

6.5VxFg嘉泰姆

1.2/1.5/1.8/2.5/2.8/3.xFg嘉泰姆

0/3.3/3.64.5/5.0VxFg嘉泰姆

2%xFg嘉泰姆

静态电流:25uAxFg嘉泰姆

关断电流:1uAxFg嘉泰姆

65dBxFg嘉泰姆

0.20%xFg嘉泰姆

SOT-25xFg嘉泰姆

CXLD64003xFg嘉泰姆

700mAxFg嘉泰姆

8.0VxFg嘉泰姆

1.2/1.5/1.8/2.5/2.xFg嘉泰姆

8/3.0/3.3/3.64.5/5.0VxFg嘉泰姆

2%xFg嘉泰姆

静态电流:30uAxFg嘉泰姆

关断电流:1uAxFg嘉泰姆

15mVxFg嘉泰姆

0.01%xFg嘉泰姆

SOT-25xFg嘉泰姆

/SOT-89-5LxFg嘉泰姆

CXLD64004xFg嘉泰姆

3AxFg嘉泰姆

6.0VxFg嘉泰姆

0.8-VINxFg嘉泰姆

2%xFg嘉泰姆

10uAxFg嘉泰姆

0.10%xFg嘉泰姆

0.20%xFg嘉泰姆

ESOP8xFg嘉泰姆

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