CXMD3263A 半桥栅极驱动芯片
高侧600V耐压 · 内置100ns死区 · 兼容3.3V/5V/15V逻辑 · SOP8封装

更新时间：2026年4月 | 产品型号：CXMD3263A | 嘉泰姆电子 (JTM-IC)

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的CXMD3263A 是一款用于功率MOSFET和IGBT的半桥栅极驱动芯片。它具有一个高侧和一个低侧输入通道，以及两个带有内部死区时间的输出通道，可有效避免桥臂直通。输入逻辑电平兼容3.3V/5V/15V信号，可直接与MCU或DSP接口。浮动高侧通道可驱动高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。栅极驱动电源电压范围为10V~20V，对负瞬态电压具有高鲁棒性。内置高低侧欠压保护功能，开关电压摆率可达50V/ns。采用SOP8封装，特别适用于电机驱动、开关电源、逆变器及DC/DC转换器等应用场景。

1. 产品概述与核心优势

CXMD3263A 是一款面向中高压功率驱动的半桥栅极驱动芯片。其高侧通道采用浮动电源设计，最高可承受600V的母线电压，适合直接驱动桥式拓扑中的上管NMOS或IGBT。内置100ns死区时间在高侧和低侧切换时自动插入保护间隙，防止因信号延迟导致的直通短路。输入逻辑兼容3.3V至15V的宽范围电平，无论是低压MCU还是传统模拟控制器均可无缝对接。高低侧均内置欠压保护电路，当驱动电源电压低于阈值时强制关断输出，保护功率管栅极不受欠驱动损坏。

2. 主要特点与技术亮点

• 高侧驱动浮动电源设计，最高耐压600V
• 对负瞬态电压具有高鲁棒性，耐受开关节点负压尖峰
• 栅极驱动电源电压：10V~20V
• 支持3.3V/5V/15V输入逻辑电平
• 高低侧均带欠压保护功能
• 内置100ns死区时间
• 开关电压摆率：50V/ns
• SOP8封装，引脚布局简洁

3. 引脚封装与说明

CXMD3263A采用SOP8封装，引脚定义如下：

图1. CXMD3263A 引脚封装图 (SOP8)
[ 封装外形示意图 ] 详细尺寸请参见数据手册机械图部分。

4. 内部功能框图与工作原理

图2. CXMD3263A 内部功能框图
[ 内部功能模块 ] 包含输入逻辑、死区时间控制、高侧电平移位、欠压保护、HO/LO驱动输出。

自举供电原理

CXMD3263A的高侧驱动采用自举供电方式。当低侧MOSFET导通时，VS引脚被拉至COM电平（接近地），VCC通过自举二极管对VB与VS之间的自举电容充电。当低侧关断、高侧导通时，VS被拉升至母线电压，自举二极管反向截止，VB电压自动浮升至VS+自举电容电压。这个浮动电源为高侧驱动级供电，使其能够驱动以VS为参考点的高侧NMOS。自举电容的选取需根据开关频率和驱动功耗计算，通常推荐0.1μF~1μF的陶瓷电容。

内置死区时间

芯片内部集成了100ns的死区时间。当HIN和LIN信号同时翻转时，HO和LO输出之间自动插入100ns的“两路皆低”间隙。这确保了正在导通的一侧MOSFET完全关断后，另一侧才开始导通，从根本上防止桥臂直通。对于外部MOSFET开关速度较慢的应用，100ns死区通常已足够，若需更长的死区时间，可在输入信号端由MCU额外插入。

欠压保护

VCC和VB分别带有欠压保护电路。当VCC或VB电压低于UVLO阈值（典型值约8V~8.8V）时，对应的LO或HO输出被强制拉低。当电压回升至释放阈值以上时，输出恢复正常。迟滞电压约0.8V，防止在阈值附近反复抖动的现象。

5. 极限参数与电气特性

设计时需确保不超过极限参数。工作结温范围-40℃~150℃。

极限参数表

关键电气参数 (VCC=VBS=15V, Ta=25℃)

6. 典型应用电路

图3. CXMD3263A 典型半桥应用电路
[ 电路原理图] 包含VCC供电、自举二极管与电容、HIN/LIN输入、HO/LO输出连接半桥MOSFET。

7. 设计指导要点

• 自举电容选择：VB与VS之间需外接自举电容，推荐0.1μF~1μF陶瓷电容，靠近芯片引脚放置。高频应用取小值，低频或大栅极电荷MOSFET取大值。
• 自举二极管选择：需选用快恢复或超快恢复二极管，耐压不低于母线电压，推荐ES1J等600V/1A规格。
• VCC去耦：VCC与COM之间就近放置1μF+0.1μF陶瓷电容组合，滤除驱动脉冲电流噪声。
• 输入信号：HIN和LIN兼容3.3V~15V逻辑电平。当MCU输出为3.3V时，逻辑"1"电平2.8V以下即可可靠识别。逻辑"0"阈值0.45V，低电平驱动能力弱的MCU也能正常驱动。
• PCB布局：HO和LO走线宽而短，至MOSFET栅极的走线尽量短以减少寄生电感。VB和VS之间的自举电容紧靠芯片引脚。