CXLE86304BC 可控硅调光单段线性LED恒流驱动芯片:集成去频闪与350V高压MOS
产品版本:Rev.1.2 | 发布日期:2026年4月 | 型号:CXLE86304BC | 嘉泰姆电子(jtm-ic.com)
1. 产品概述:为可控硅调光优化的线性LED驱动方案
CXLE86304BC是嘉泰姆电子(JTM-IC)针对市电输入的可控硅调光应用开发的一款高精度单段线性LED恒流驱动芯片。该芯片专为GU10、E27 LED球泡灯、筒灯、吸顶灯等灯具设计,无需电解电容和磁性元件,实现小体积、长寿命并轻松通过EMI测试。芯片内部集成了350V高压MOS管、去频闪线路、高压启动JFET以及智能泄放电流控制,确保了在各种可控硅调光器下的出色兼容性和稳定的调光线性度。
相比传统开关电源方案,CXLE86304BC采用线性恒流技术,外围电路极简,系统成本低且无EMI电感噪声。芯片通过优化不同输入电压下的电流波形,有效降低线性MOS管损耗,提高系统效率。同时内置的过温调节功能可在温度过高时自动降低输出电流,保护LED和驱动电路,特别适用于密闭式小体积灯具。
2. CXLE86304BC 核心特点与技术优势
- 卓越的可控硅调光兼容性: 内置智能泄放电流控制,通过TRIAC引脚自动检测调光器,自动开启或关闭泄放通路,适应前切/后切可控硅,调光范围宽且无闪烁。
- 集成去频闪线路: 芯片内部集成去频闪控制,无需额外电路即可抑制LED输出电流纹波,显著降低调光过程中的低频闪烁,符合人眼舒适要求。
- 内置350V高压MOS管: VIN和DRAIN引脚耐受电压高达350V,可直接连接整流后母线,简化设计并提高系统可靠性。
- ±5% LED输出电流精度: 通过外部采样电阻精确设定LED电流,批量一致性优异。
- 高压启动,超快LED启动: 内置高压JFET供电,上电后迅速建立芯片工作电压,实现毫秒级快速点亮。
- 母线电压波动容忍度±10%: 适应电网波动,输出电流变化小,保证光输出稳定。
- 过温调节功能: 芯片结温超过135℃(典型值)时自动减小输出电流,防止过热损坏,提高系统寿命。
- SOP8-EP增强散热封装: 底部散热片直接连接GND,配合PCB覆铜可有效降低热阻。
这些特性使得CXLE86304BC成为替换传统阻容降压及初级侧开关电源的理想选择,特别适合对成本和体积敏感的可控硅调光LED灯具。
3. 引脚配置与功能描述
CXLE86304BC采用SOP8-EP封装,各引脚功能如表1所示。设计时请注意芯片底部散热片需可靠焊接至PCB地平面。

表1 CXLE86304BC 引脚功能说明
| 管脚号 | 管脚名称 | 功能描述 |
|---|---|---|
| 1 | LEDP | 芯片高压供电输入端,接LED+(LED灯串正极),同时为内部JFET提供启动电压 |
| 2 | VIN | 芯片高压输入端,提供调光器维持电流,连接整流桥后母线 |
| 3 | TRIAC | 可控硅调光器检测引脚,通过检测输入波形判断是否接入调光器 |
| 4 | CS1 | Bleeder泄放电流采样端,外接电阻设置泄放电流大小 |
| 5 | CS2 | LED主电流采样端,外接电阻R_CS2设定LED灯串电流 |
| 6 | VD | 输入电压检测反馈端,用于线电压补偿,高于0.5V时降低CS2基准 |
| 7 | DRAIN | 芯片内部线性恒流MOS漏极,连接LED-(LED灯串负极) |
| 8 | LEDN | 去频闪芯片输入端,接LED-,与内部去频闪电路配合 |
| 衬底 | GND | 芯片地,同时也是散热焊盘,必须接系统地并大面积覆铜散热 |
4. 电气参数与极限特性(工程师核心参考)
以下表格给出了CXLE86304BC的极限参数(超过可能损坏芯片)和典型电气特性,测试条件TA=25℃。
| 符号 | 参数 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VIN / DRAIN | 芯片高压接口电压 | -0.3 ~ 350 | V |
| LEDP / LEDN | 高压接口 | -0.3 ~ 350 | V |
| TRIAC / CS1 / CS2 / VD | 低压模拟引脚 | -0.3 ~ 6 | V |
| PMAX | 最大功耗(注2) | 0.8 | W |
| TJ | 工作结温范围 | -40 ~ 135 | ℃ |
| TSTG | 存储温度范围 | -55 ~ 150 | ℃ |
| 符号 | 描述 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IOP | 芯片工作电流 | 稳态工作 | - | 250 | 350 | μA |
| VCS1 | CS1检测阈值 | 泄放电流检测 | 250 | 265 | 280 | mV |
| VCS2 | CS2检测阈值 | LED电流检测 | - | 900 | - | mV |
| VCS2,clamp | CS2钳位电压(VD补偿后最低) | VD>2V | - | 300 | - | mV |
| VD1 | 线补偿起点 | VD电压上升 | - | 0.5 | - | V |
| BVDS_VIN | VIN击穿电压 | IGS=0, ID=250μA | 330 | 350 | - | V |
| BVDS_MOS | DRAIN击穿电压 | VGS=0, ID=250μA | 350 | 400 | - | V |
| IDSAT | MOS饱和电流 | VIN=120V | - | 280 | - | mA |
| TREG | 过热调节起始温度 | 结温上升 | - | 135 | - | ℃ |
注:CS2基准在VD<0.5V时为900mV;当VD>0.5V后,基准随VD升高线性下降至300mV,实现输入电压补偿,优化高输入电压下的功率损耗。
5. 工作原理与调光机制深度解析
CXLE86304BC采用线性恒流控制架构,内部功率MOS管工作于线性区,根据采样电阻上的压差调节栅极驱动,使LED电流恒定。芯片通过TRIAC引脚检测整流后母线电压波形中的斩波状态,智能判断是否接入可控硅调光器。当检测到调光器存在时,芯片自动开启内部泄放电流通路(Bleeder),提供足够的维持电流以保证可控硅正常导通,避免调光器误关断或闪烁。泄放电流大小可通过CS1引脚电阻设定,计算公式如下:
当未检测到调光器时,芯片关闭泄放通路以降低系统损耗,提高效率。主LED电流由CS2电阻设定:
为了改善高输入电压下的芯片功耗,CXLE86304BC引入了VD引脚电压补偿功能。VD引脚通过电阻分压采样输入电压,当VD超过0.5V时,CS2基准电压随VD升高而线性下降,最低可降至300mV。这在高输入电压(如220V)时有效降低LED电流,平衡输入功率,避免MOS管过热。该机制使芯片能在90Vac~264Vac宽电压范围内安全工作,最大输出功率受限于封装散热,120Vac条件下推荐输出功率约5W,220Vac条件下可适当提高电流但需注意热设计。
6. 典型应用电路与设计指南
图1为CXLE86304BC在GU10球泡灯中的典型应用电路。输入端采用整流桥,VIN引脚直接接整流桥正极,LEDP接LED灯串正极,DRAIN与LEDN共同连接LED灯串负极。CS1和CS2分别接采样电阻到地。VD引脚通过分压电阻(例如上电阻1MΩ,下电阻20kΩ)接母线电压以检测输入电压。实际设计时建议如下:
- 输入部分: 整流桥后可选小容量C0G电容(≤100nF)用于EMI滤波,避免使用大电解电容以保证高功率因数和可控硅兼容性。
- LED灯串设计: 灯串总VF值应接近整流后峰值电压的70%~80%,例如120Vac系统峰值170V,推荐灯串电压120V~140V;220Vac系统峰值311V,推荐灯串电压220V~250V。这有助于降低MOS管压降,提升效率。
- 采样电阻选择: R_CS2 = 0.9V / I_LED。例如需要50mA LED电流,R_CS2=18Ω;需要100mA则R_CS2=9Ω。R_CS1可根据需要设定泄放电流,通常取100Ω~470Ω,泄放电流约2.5mA~0.6mA。
- 散热处理: SOP8-EP底部焊盘必须大面积接地并加过孔散热,芯片周围保留足够覆铜区域。对于5W以上应用,推荐使用铝基板或增加灯具散热结构。

[典型应用电路示意] CXLE86304BC + 整流桥 + LED灯串。VIN接整流桥正极,LEDP接LED+,DRAIN和LEDN接LED-。CS1与GND之间接R_CS1,CS2与GND之间接R_CS2。VD通过分压电阻接母线。TRIAC脚可悬空或接分压网络,默认自动检测。
7. PCB布局与热管理建议(提高可靠性)
为保证CXLE86304BC在可控硅调光应用中的稳定性和长寿命,PCB布局需遵循以下要点:
- 地线处理: 功率地(CS1/CS2电阻地)和芯片GND散热焊盘应单点连接,采样电阻地线尽可能短且直接回到芯片GND,避免引入额外压降。
- 散热设计: 芯片底部散热焊盘通过至少4个过孔连接到背面或顶层大面积铜箔,增加热传导面积。对于功率超过4W的应用,建议使用2oz铜厚及铝基板。
- 高压引脚间距: VIN、DRAIN、LEDP等高压引脚与低压引脚之间保持足够爬电距离(>1.5mm),防止漏电。
- 去耦电容: 芯片VCC由内部JFET产生,无需外部VCC电容。但可在整流桥输出端并联10nF~47nF电容改善调光器兼容性。
- TRIAC检测: TRIAC引脚走线应远离高压开关噪声源,必要时并联1nF电容到地滤波。
通过优化PCB热设计,CXLE86304BC可以在环境温度50℃下稳定输出额定功率。嘉泰姆电子提供参考Layout文件和Gerber,欢迎联系FAE获取。
8. 增大输出电流与功率扩展方法
虽然CXLE86304BC单颗芯片推荐最大功率受限于SOP8封装散热(约5W@120Vac),但用户可通过以下方法适当增大输出电流或功率:
- 采用铝基板PCB,并加大底部散热铜皮面积,使热阻降低至40℃/W以下。
- 增大整个灯具的散热底座,确保芯片工作时外壳温度低于85℃。
- 使用更高效率的LED灯串(VF更低),减少MOS管压降损耗。
- 对于更高功率需求(如10W),可采用两颗CXLE86304BC并联分别驱动两组LED灯串,或使用嘉泰姆电子其他线性驱动系列(如CXLE86xx多段方案)。
注意:在220Vac输入条件下,由于峰值电压高,MOS管损耗会显著增加,建议单颗芯片输出功率控制在4W以内,并严格遵循散热指南。
9. 订购信息与封装尺寸
| 订购型号 | 封装 | 温度范围 | 包装形式 | 打印标识 | 最小包装 |
|---|---|---|---|---|---|
| CXLE86304BC | SOP8-EP | -40℃ ~ 105℃ | 编带卷盘 | CXLE86304B + 批次码 | 4000颗/盘 |
SOP8-EP封装尺寸(单位mm):本体宽度3.9~4.1,长度4.9~5.1,高度1.35~1.75,底部散热焊盘尺寸2.1×2.6。具体机械图请联系嘉泰姆销售代表索取。
10. 设计实例:7W 可控硅调光球泡灯方案
以120Vac输入、7W GU10球泡灯为例:采用CXLE86304BC驱动120V/60mA LED灯串(VF=120V)。设计参数:R_CS2 = 0.9V / 0.06A = 15Ω;设定泄放电流约2mA,R_CS1 = 265mV / 2mA ≈ 132Ω,选用150Ω。VD分压电阻:上电阻1.2MΩ,下电阻39kΩ,VD约3.8V(母线170V),CS2基准下降至约350mV,实际LED电流降至约23mA,平衡高输入电压时功率。配合铝基板和良好散热,整灯光效>110lm/W,调光深度可至5%无闪烁。该方案通过了主流可控硅调光器(如Lutron、Leviton)兼容性测试。
11. 嘉泰姆电子:专注高可靠LED线性驱动方案
嘉泰姆电子(jtm-ic.com)深耕LED照明驱动领域,提供从可控硅调光、0-10V调光到智能PWM调光的全系列驱动芯片。CXLE86304BC是公司针对小体积、高兼容性可控硅调光市场推出的重磅产品,集成了去频闪、高压启动、智能泄放等先进功能,帮助客户快速通过能源之星、CCC认证。我们提供全面的技术文档、设计工具和FAE现场支持,加速产品上市。如需获取CXLE86304BC评估板、应用笔记或定制参数,请通过以下方式联系。

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