CXLE86305BCL 高精度单段线性可控硅调光LED恒流驱动芯片 | 集成去频闪 | 嘉泰姆电子

CXLE86305BCL 高精度单段线性可控硅调光LED恒流驱动芯片 | 集成去频闪 | 嘉泰姆电子

产品型号:CXLE86305BCL
产品类型:照明驱动
产品系列: 可控硅调光系列
产品状态:量产
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产品简介

CXLE86305BCL 是嘉泰姆电子 (JTM-IC) 推出的一款高集成度单段线性LED恒流驱动芯片,专为可控硅调光照明及去频闪应用设计。芯片内部集成350V高压MOSFET,支持85~265V全电压交流输入,具有高功率因数、无电解电容、长寿命等特点。相比传统线性驱动,CXLE86305BCL 创新集成了去频闪线路,能够有效抑制输出电流纹波,实现无频闪照明,同时保持良好的可控硅调光兼容性。通过外部电阻即可精确设定LED电流,芯片自动优化不同输入电压下的电流分配,降低芯片损耗,提升系统效率。内置过温调节、高压快速启动、智能泄放电流管理等功能,为GU10/E27球泡灯、LED筒灯、吸顶灯等提供高性价比、无频闪的驱动解决方案。

技术参数

输入电压范围 (VIN)80~260VV
输出电压 (VOUT)-
输出电流 (IOUT)<50W
工作频率2.0MHz
转换效率95%
封装类型ESOP8
Power20W
Topology 可控硅调光系列
Pf value.95
Dimming method模拟调光/PWM调光
Thd<10%
Ripple.02
Operating temp-40℃~85℃
ProtectionOVP/OCP/短路保护
CertificationUL/CE
Application高压高效率单段线性集成去纹波可控硅调光,线性可控硅调光
线补偿Y
过热调节外部可设定

产品详细介绍

CXLE86305BCL 高精度单段线性可控硅调光LED恒流驱动芯片 (集成去频闪线路)

产品版本:Rev.1.0 | 更新日期:2026年4月 | 产品型号:CXLE86305BCL

1. 产品概述

CXLE86305BCL 是嘉泰姆电子 (JTM-IC) 推出的一款高集成度单段线性LED恒流驱动芯片,专为可控硅调光照明及去频闪应用设计。芯片内部集成350V高压MOSFET,支持85~265V全电压交流输入,具有高功率因数、无电解电容、长寿命等特点。相比传统线性驱动,CXLE86305BCL 创新集成了去频闪线路,能够有效抑制输出电流纹波,实现无频闪照明,同时保持良好的可控硅调光兼容性。通过外部电阻即可精确设定LED电流,芯片自动优化不同输入电压下的电流分配,降低芯片损耗,提升系统效率。内置过温调节、高压快速启动、智能泄放电流管理等功能,为GU10/E27球泡灯、LED筒灯、吸顶灯等提供高性价比、无频闪的驱动解决方案。

CXLE86305BCL 采用独特的LEDP/LEDN去频闪架构,内置去频闪控制电路,无需外置大容量电解电容即可实现低纹波输出,显著提升照明舒适度。同时芯片具备卓越的可控硅调光兼容性,调光深度低至5%,全程无闪烁,满足欧美及国内高端照明认证要求。

2. 主要特点与核心技术优势

  • 集成去频闪线路: 内置去频闪控制,无需外部大电容,输出电流纹波低,照明无频闪。
  • 极简外围电路: 仅需少量电阻及整流桥,无需电解电容与磁性元件,降低BOM成本。
  • 卓越可控硅调光兼容性: 支持前后沿切相调光器,自动检测并开启智能泄放电流,调光全程无闪烁。
  • 高压集成技术: 内置350V/280mA高压MOS管,集成高压启动JFET,实现超快LED启动(<150ms)。
  • 宽电压稳定性: 母线电压波动±10%范围内,输出电流变化极小,适应电网波动环境。
  • 高精度恒流: LED输出电流精度±5%,电流值通过外部采样电阻RCS2自由设定。
  • 过温调节功能: 内置双温度调节点(135℃ / 120℃),芯片过热时自动降低输出电流,保护系统。
  • 线电压补偿: 检测VD引脚电压,自动调整CS2基准,补偿高压段额外功耗。
  • 封装及散热增强: ESOP-8封装,底部散热片直接连接GND,利于热管理。

3. 引脚配置与功能描述

CXLE86305BCL 管脚封装图
图1. CXLE86305BCL 管脚封装图 (俯视图)

ESOP-8 顶部标识:CXLE86305BCL + 批次码;引脚1 LEDP,引脚2 VIN,引脚3 TRIAC,引脚4 CS1,引脚5 CS2,引脚6 VD,引脚7 DRAIN,引脚8 LEDN,底部散热片为GND。
管脚号 管脚名称 功能描述
1 LEDP 芯片高压供电输入端,接LED+,同时为去频闪电路提供电源。
2 VIN 芯片高压输入端,用于提供调光器维持电流及内部供电。
3 TRIAC 可控硅调光器检测引脚。检测调光器切相角度,自动控制泄放电流开关状态。
4 CS1 Bleeder电流采样端。外接电阻RCS1到GND,与RCS2共同设定泄放电流值。
5 CS2 LED主电流采样端。外接电阻RCS2到GND,决定主功率管恒流值。
6 VD 输入电压检测反馈端。用于线补偿,当VD>0.5V时,VCS2_REF线性下降。
7 DRAIN 内部线性恒流MOS漏极,连接LED灯串负极(或去频闪输入端)。
8 LEDN 去频闪芯片输入端,接LED-。内部集成去频闪控制电路,抑制输出纹波。
衬底 GND 芯片地,同时也是散热焊盘,必须大面积焊接在PCB地铜箔上以增强散热。

4. 电气规格与极限参数

注1:最大极限值指超出该范围可能导致器件永久损坏。注2:最大功耗PDMAX = (TJMAX - TA) / θJA,实际应用需根据环境温度降额使用。

极限参数 (注1)

符号 参数 参数范围 单位
VIN / DRAIN 芯片高压接口电压 -0.3 ~ +350 V
VCS1 / VCS2 / TRIAC 低压模拟引脚电压 -0.3 ~ +6 V
PD 最大功耗 (ESOP-8, 环境温度85℃) 0.9 W
TJ 工作结温范围 -40 ~ +150
TSTG 存储温度范围 -55 ~ +150

电气参数 (TA=25℃, 典型值)

符号 描述 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
IOP 芯片静态工作电流 VCC稳定 - 440 550 μA
VCS1_REF 泄放电流检测阈值 - 230 240 250 mV
VCS2_REF LED电流基准电压 正常模式 880 900 920 mV
VCS2_clamp CS2下钳位电压 线补偿后最低值 245 255 265 mV
BVDSS 高压MOS击穿电压 VGS=0V, ID=250μA 350 380 - V
IDSS_MAX MOS饱和电流 VGS=VCS2_REF, VDS>50V 250 280 310 mA
TREG1 过热调节温度1 内置设定 132 135 138
TREG2 过热调节温度2 内置设定(低温保护) 117 120 123
VVD1 线补偿起始电压 VCS2开始下降阈值 - 0.5 - V

5. 典型应用电路与工作原理

CXLE86305BCL 典型应用原理图
图2. CXLE86305BCL 典型应用原理图

[ 交流输入→保险丝→整流桥→LED+灯串正极接芯片LEDP引脚;LED灯串负极接LEDN引脚;CS2电阻接地设定电流;TRIAC经分压电阻接整流桥正极;CS1电阻设定泄放电流;VD分压检测母线电压;VIN接母线正极提供维持电流。]

上电后,芯片通过内部高压JFET启动,VCC建立后芯片开始工作。TRIAC引脚检测整流后母线电压波形,判断是否接入可控硅调光器。当检测到调光器时,芯片自动导通泄放电流支路,为调光器提供维持电流;若未检测到调光器,则关闭泄放电流,系统效率最大化。主功率管根据CS2采样电压实现恒定电流控制。独特的去频闪电路通过LEDP/LEDN引脚内部调节,有效抑制输出电流纹波,实现无频闪照明。

泄放电流设定公式: IBLEEDING = VCS1_REF / (RCS1 + RCS2)
主通道LED电流公式: ILED = VCS2_REF / RCS2 (典型VCS2_REF=900mV)

设计实例:选用RCS2 = 9Ω,则ILED = 900mV/9Ω = 100mA;若LED灯串电压为50V,整灯功率约5W。由于散热限制,120Vac输入时最大输入功率约为5W,适用于小功率无频闪球泡灯。

6. 集成去频闪线路详解

传统线性驱动方案在交流输入下易产生100/120Hz工频纹波,导致照明频闪。CXLE86305BCL 内部集成了专有的去频闪控制模块,通过LEDP和LEDN引脚实现主动纹波抑制。无需外置大容量电解电容,即可将输出电流纹波降低至5%以内,满足IEEE 1789无频闪标准。同时,去频闪线路与可控硅调光电路协同工作,确保调光过程中仍然保持低纹波输出,提升用户视觉舒适度。

7. 可控硅调光优化与兼容性设计指南

CXLE86305BCL 集成了先进的调光器识别与动态泄放控制。实测兼容飞利浦、欧司朗、松下等主流可控硅调光器,调光深度可达5%,曲线平滑无闪烁。设计建议:TRIAC引脚外接分压电阻(典型1MΩ+100kΩ),在整流桥后增加RC吸收电路(10Ω+10nF)可抑制尖峰噪声。由于芯片内置去频闪,调光时不会产生额外频闪。

8. 线电压补偿及高精度恒流实现

通过VD引脚检测输入电压,当VD电压超过0.5V时,VCS2_REF基准线性下降,最低降至255mV(下钳位),使高压输入时LED电流适当减小,平衡芯片功耗,确保全电压范围热稳定。该机制有效抑制因电压升高导致的电流过冲,提升整灯光效一致性。

VD线补偿曲线示意图
图3. VD线补偿曲线示意图

[横轴VD电压(V) 0→0.5V→2.5V;纵轴V_CS2_REF 从900mV线性下降至255mV]

9. 过温调节功能与热设计要点

热设计指导: CXLE86305BCL 内部设置双温度调节点:135℃(主调节)和120℃(辅助保护)。当芯片结温超过120℃时开始轻微折返,超过135℃时显著降低输出电流,有效防止热失控。建议输出功率控制在5W以内(120Vac),采用铝基板PCB,并确保芯片底部GND散热焊盘与大面积铜皮良好焊接。

增大输出电流的措施:使用铝基板、增大散热面积、适当降低RCS2值(需重新评估结温)。但受限于封装散热,不建议超过6W持续输出。

10. PCB布局与EMI设计准则

  • 地线分离: CS1、CS2采样电阻的功率地线应独立短接至芯片GND引脚,避免采样偏差。
  • 散热焊盘处理: 底部焊盘与GND大面积覆铜,并设计4~6个Φ0.5mm过孔连接背面散热铜箔。
  • 高压爬电: VIN、DRAIN、LEDP引脚与低压引脚间距>1.2mm,必要时开槽。
  • TRIAC走线: 分压电阻靠近TRIAC引脚,避免与高压开关节点并行。
  • 去频闪电容: 虽然芯片内部集成去频闪,但建议在LED+与LED-之间预留小型陶瓷电容(≤1μF)以优化高频特性。

11. 订购信息与封装尺寸

订购型号 封装 包装形式 打印标识 数量
CXLE86305BCL ESOP-8 编带,卷盘 XXXXXX
XXWWC
4000颗/盘

ESOP-8 封装尺寸表 (单位:mm)

以下为机械尺寸,常规公差参考JEDEC标准。详细图纸可从嘉泰姆官网下载完整数据手册。
 

符号 最小值 (MIN) 典型值 (NOM) 最大值 (MAX)
A 1.35 - 1.75
A1 0.00 - 0.15
A2 1.25 1.40 1.65
b 0.30 - 0.50
c 0.10 - 0.25
D 4.70 4.90 5.10
D1 1.95 - -
D2 0.37 0.52 0.62
E 5.80 - 6.40
E1 3.70 3.90 4.10
E2 1.67 1.82 1.97
E3 0.61 0.71 0.81
e 1.17 1.27 1.37
L 0.40 0.60 1.25
注:D2/E2/E3 为去频闪相关引脚内部尺寸参考。实际尺寸以官方数据手册为准。
封装尺寸
图4. ESOP-8 封装外形图 (含尺寸标注)

[ 此处为封装尺寸示意图,展示顶部视图、侧视图及底部散热焊盘尺寸。具体机械尺寸请参考上表及官方数据手册。]

12. 设计资源与技术支持生态

访问官网 jtm-ic.com 获取参考设计、应用笔记、FAE在线支持。推荐下载 LED系列驱动选型芯片手册,涵盖线性、开关型全系列驱动IC。

典型应用领域: 小功率GU10/E27 LED球泡灯、筒灯、吸顶灯、无频闪台灯、智能照明等对频闪要求严格的场景。

13. 版本历史与免责声明

版本 日期 更新内容
Rev.1.0 2026年4月 初始版本发布 (基于CXLE86305BCL)

免责声明:嘉泰姆电子尽力确保资料准确性,但保留修改规格的权利。本文档不构成任何明示或暗示的保证。产品最终解释权归嘉泰姆电子所有。

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