CXPR7169-AB内置高精度电压检测延迟电路单节锂离子锂聚合物可再充电电池的过充电过放电过电流进行保护IC CXPR7169-CB CXPR7169-DB CXPR7169-FB*

首页 > 产品中心 > 电池充电芯片 > 锂电池保护 > 单节锂电保护IC >CXPR7169-AB内置高精度电压检测延迟电路单节锂离子锂聚合物可再充电电池的过充电过放电过电流进行保护IC CXPR7169-CB CXPR7169-DB CXPR7169-FB*

CXPR7169-AB CXPR7169-CB CXPR7169-DB CXPR7169-FB*系列 IC，内置高精度电压检测电路和延迟电路，是用于单节锂离子/锂聚合物可再充电电池的保护 IC。本 IC 适合于对 1 节锂离子/锂聚合物可再充电电池的过充电、过放电和过电流进行保护。

产品手册

样品申请

产品简介

CXPR7169-AB CXPR7169-CB CXPR7169-DB CXPR7169-FB* 系列 IC，内置高精度电压检测电路和延迟电路，是用于单节锂离子/锂聚合物可再充电电池的保护 IC。本 IC 适合于对 1 节锂离子/锂聚合物可再充电电池的过充电、过放电和过电流进行保护。

产品特点 返回TOPInM嘉泰姆

InM嘉泰姆

CXPR7169全系列IC具备如下特点：InM嘉泰姆

（1）高精度电压检测电路InM嘉泰姆

 过充电检测电压 4.250~4.350V 精度±50mVInM嘉泰姆

 过充电释放电压 4.050~4.150V 精度±50mVInM嘉泰姆

 过放电检测电压 2.30~2.90V 精度±100mVInM嘉泰姆

 过放电释放电压 2.90~3.00V 精度±100mVInM嘉泰姆

 放电过流检测电压 150mV 精度±30mVInM嘉泰姆

 负载短路检测电压0.85V（固定）精度±300mVInM嘉泰姆

（2）各延迟时间由内部电路设置（不需外接电容）InM嘉泰姆

 过充电检测延迟时间典型值100msInM嘉泰姆

 过放电检测延迟时间典型值25msInM嘉泰姆

 放电过流检测延迟时间典型值10msInM嘉泰姆

 负载短路检测延迟时间典型值500μsInM嘉泰姆

（3）休眠功能：可以选择“有”或“无” （详见产品目录）InM嘉泰姆

（4）过放自恢复功能：可以选择“有”或“无” （详见产品目录）InM嘉泰姆

（5）低耗电流（具有休眠功能的型号）InM嘉泰姆

 工作模式典型值3.0μA，最大值6.0μA（VDD=3.9V）InM嘉泰姆

 休眠模式最大值0.1μA（VDD=2.0V）InM嘉泰姆

（6）连接充电器的端子采用高耐压设计（CS端子和OC端子，绝对最大额定值是20V）InM嘉泰姆

（7）向0V电池充电功能：可以选择“允许”或“禁止” （详见产品目录）InM嘉泰姆

（8）宽工作温度范围： -40℃～+85℃InM嘉泰姆

（9）小型封装： SOT-23-6InM嘉泰姆

（10）无卤素绿色环保产品InM嘉泰姆

应用范围 返回TOPInM嘉泰姆

InM嘉泰姆

 1节锂离子可再充电电池组InM嘉泰姆

 1节锂聚合物可再充电电池组InM嘉泰姆

技术规格书（产品PDF) 返回TOP InM嘉泰姆

需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持！InM嘉泰姆

QQ截图20160419174301.jpg InM嘉泰姆

产品封装图 返回TOPInM嘉泰姆

InM嘉泰姆

电路原理图 返回TOPInM嘉泰姆

InM嘉泰姆

相关芯片选择指南返回TOP 更多同类产品.......

单串保护晶片InM嘉泰姆

IC型號InM嘉泰姆

過充電檢測電壓VCUInM嘉泰姆

過充電釋放電壓VCRInM嘉泰姆

過放電檢測電壓InM嘉泰姆
VDLInM嘉泰姆

過放電釋放電壓InM嘉泰姆
VDRInM嘉泰姆

放電過流檢測電壓 InM嘉泰姆
VDIPInM嘉泰姆

負載短路檢測電壓InM嘉泰姆
VSIPInM嘉泰姆

充電器檢測電壓VCHA/充電過流檢測電VCIP註3.InM嘉泰姆

過充電檢測延遲時間InM嘉泰姆
TOCInM嘉泰姆

過放電檢測延遲時間TODInM嘉泰姆

放電過流檢測延遲時間 InM嘉泰姆
TDIPInM嘉泰姆

充電過電流檢測延遲時間 InM嘉泰姆
TCIPInM嘉泰姆

負載短路檢測延遲時間 InM嘉泰姆
TSIPInM嘉泰姆

封裝型式InM嘉泰姆

CXPR7169-ABInM嘉泰姆

4.300 VInM嘉泰姆

4.100 VInM嘉泰姆

2.400 VInM嘉泰姆

3.000 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85VInM嘉泰姆

-300 mVInM嘉泰姆

100 msInM嘉泰姆

25 msInM嘉泰姆

10 msInM嘉泰姆

—InM嘉泰姆

500 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7169-CBInM嘉泰姆

4.280 VInM嘉泰姆

4.080 VInM嘉泰姆

2.400 VInM嘉泰姆

3.000 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85VInM嘉泰姆

-300 mVInM嘉泰姆

100 msInM嘉泰姆

25 msInM嘉泰姆

10 msInM嘉泰姆

—InM嘉泰姆

500 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7169-DBInM嘉泰姆

4.280 VInM嘉泰姆

4.080 VInM嘉泰姆

2.400 VInM嘉泰姆

3.000 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85VInM嘉泰姆

-300 mVInM嘉泰姆

100 msInM嘉泰姆

25 msInM嘉泰姆

10 msInM嘉泰姆

—InM嘉泰姆

500 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7169-FB*InM嘉泰姆

4.280 VInM嘉泰姆

4.080 VInM嘉泰姆

2.400 VInM嘉泰姆

3.000 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85VInM嘉泰姆

-300 mVInM嘉泰姆

100 msInM嘉泰姆

25 msInM嘉泰姆

10 msInM嘉泰姆

—InM嘉泰姆

500 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7170-DB*InM嘉泰姆

4.280 VInM嘉泰姆

4.080 VInM嘉泰姆

2.900 VInM嘉泰姆

3.000 VInM嘉泰姆

75 mVInM嘉泰姆

0.85VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

100 msInM嘉泰姆

25 msInM嘉泰姆

10 msInM嘉泰姆

12msInM嘉泰姆

500 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7170-EB*InM嘉泰姆

4.280 VInM嘉泰姆

4.080 VInM嘉泰姆

2.400 VInM嘉泰姆

2.500 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

100 msInM嘉泰姆

25 msInM嘉泰姆

10 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

500 μsInM嘉泰姆

SOT-23-6InM嘉泰姆

CXPR7170-GBInM嘉泰姆

4.280 VInM嘉泰姆

4.080 VInM嘉泰姆

2.900 VInM嘉泰姆

3.000 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

100 msInM嘉泰姆

25 msInM嘉泰姆

10 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

500 μsInM嘉泰姆

SOT-23-6InM嘉泰姆

CXPR7170-HBInM嘉泰姆

4.280 VInM嘉泰姆

4.080 VInM嘉泰姆

2.900 VInM嘉泰姆

3.000 VInM嘉泰姆

200 mVInM嘉泰姆

0.85VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

100 msInM嘉泰姆

25 msInM嘉泰姆

10 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

500 μsInM嘉泰姆

SOT-23-6InM嘉泰姆

CXPR7170-KBInM嘉泰姆

4.280 VInM嘉泰姆

4.080 VInM嘉泰姆

2.400 VInM嘉泰姆

2.500 VInM嘉泰姆

225 mVInM嘉泰姆

0.85VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

100 msInM嘉泰姆

25 msInM嘉泰姆

10 msInM嘉泰姆

12msInM嘉泰姆

500 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7170-NBInM嘉泰姆

4.280 VInM嘉泰姆

4.080 VInM嘉泰姆

2.900 VInM嘉泰姆

3.000 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

100 msInM嘉泰姆

25 msInM嘉泰姆

10 msInM嘉泰姆

12msInM嘉泰姆

500 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7170-RBInM嘉泰姆

4.280 VInM嘉泰姆

4.080 VInM嘉泰姆

2.400 VInM嘉泰姆

2.500 VInM嘉泰姆

225 mVInM嘉泰姆

0.85VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

100 msInM嘉泰姆

25 msInM嘉泰姆

10 msInM嘉泰姆

12msInM嘉泰姆

500 μsInM嘉泰姆

SOT-23-6InM嘉泰姆

CXPR7171-ABInM嘉泰姆

3.750 VInM嘉泰姆

3.600 VInM嘉泰姆

2.100 VInM嘉泰姆

2.300 VInM嘉泰姆

100 mVInM嘉泰姆

0.85VInM嘉泰姆

-200 mVInM嘉泰姆

1300 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7171-BBInM嘉泰姆

3.750 VInM嘉泰姆

3.600 VInM嘉泰姆

2.100 VInM嘉泰姆

2.300 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-200 mVInM嘉泰姆

1300 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7171-CBInM嘉泰姆

3.750 VInM嘉泰姆

3.600 VInM嘉泰姆

2.100 VInM嘉泰姆

2.300 VInM嘉泰姆

200 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-200 mVInM嘉泰姆

1300 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT-23-6InM嘉泰姆

CXPR7171-EBInM嘉泰姆

3.900 VInM嘉泰姆

3.750 VInM嘉泰姆

2.100 VInM嘉泰姆

2.300 VInM嘉泰姆

200 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-200 mVInM嘉泰姆

1300 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7171-GBInM嘉泰姆

3.750 VInM嘉泰姆

3.250 VInM嘉泰姆

1.825 VInM嘉泰姆

2.370 VInM嘉泰姆

100 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

1300 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7171-HBInM嘉泰姆

3.650 VInM嘉泰姆

3.450 VInM嘉泰姆

2.500 VInM嘉泰姆

3.000 VInM嘉泰姆

200 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-250 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

24 msInM嘉泰姆

16 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7172-AA1AInM嘉泰姆

4.280 VInM嘉泰姆

4.080 VInM嘉泰姆

2.300 VInM嘉泰姆

125 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

1300 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

DFN6 (1.8X2.0mm)InM嘉泰姆

CXPR7172-AB1AInM嘉泰姆

4.280 VInM嘉泰姆

4.080 VInM嘉泰姆

2.300 VInM嘉泰姆

125 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

1300 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7172-BA1AInM嘉泰姆

4.325 VInM嘉泰姆

4.125 VInM嘉泰姆

2.500 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

1300 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

DFN6 (1.8X2.0mm)InM嘉泰姆

CXPR7172-BB1AInM嘉泰姆

4.325 VInM嘉泰姆

4.125 VInM嘉泰姆

2.500 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

1300 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7172-CA1AInM嘉泰姆

4.275 VInM嘉泰姆

4.075 VInM嘉泰姆

2.300 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

1300 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

DFN6 (1.8X2.0mm)InM嘉泰姆

CXPR7172-CB1AInM嘉泰姆

4.275 VInM嘉泰姆

4.075 VInM嘉泰姆

2.300 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

1300 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7172-DA1AInM嘉泰姆

4.275 VInM嘉泰姆

4.175 VInM嘉泰姆

2.300 VInM嘉泰姆

2.400 VInM嘉泰姆

100 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

1300 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

DFN6 (1.8X2.0mm)InM嘉泰姆

CXPR7172-DB1AInM嘉泰姆

4.275 VInM嘉泰姆

4.175 VInM嘉泰姆

2.300 VInM嘉泰姆

2.400 VInM嘉泰姆

100 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

1300 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7172-EA1BInM嘉泰姆

4.300 VInM嘉泰姆

4.100 VInM嘉泰姆

2.300 VInM嘉泰姆

250 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

1300 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

DFN6 (1.8X2.0mm)InM嘉泰姆

CXPR7172-EB1BInM嘉泰姆

4.300 VInM嘉泰姆

4.100 VInM嘉泰姆

2.300 VInM嘉泰姆

250 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

1300 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7172-FA2BInM嘉泰姆

4.250 VInM嘉泰姆

4.050 VInM嘉泰姆

2.500 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

200 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

20 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

DFN6 (1.8X2.0mm)InM嘉泰姆

CXPR7172-FB2BInM嘉泰姆

4.250 VInM嘉泰姆

4.050 VInM嘉泰姆

2.500 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

200 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

20 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7172-GA3AInM嘉泰姆

4.280 VInM嘉泰姆

4.080 VInM嘉泰姆

3.000 VInM嘉泰姆

75 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

1300 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

6 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

DFN6 (1.8X2.0mm)InM嘉泰姆

CXPR7172-GB3AInM嘉泰姆

4.280 VInM嘉泰姆

4.080 VInM嘉泰姆

3.000 VInM嘉泰姆

75 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

1300 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

6 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7172-HA3AInM嘉泰姆

4.280 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

50 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-50 mVInM嘉泰姆

1300 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

6 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

DFN6 (1.8X2.0mm)InM嘉泰姆

CXPR7172-HB3AInM嘉泰姆

4.280 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

50 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-50 mVInM嘉泰姆

1300 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

6 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7172-IA2CInM嘉泰姆

4.190 VInM嘉泰姆

2.700 VInM嘉泰姆

3.000 VInM嘉泰姆

100 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-40 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

20 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

DFN6 (1.8X2.0mm)InM嘉泰姆

CXPR7172-IB2CInM嘉泰姆

4.190 VInM嘉泰姆

2.700 VInM嘉泰姆

3.000 VInM嘉泰姆

100 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-40 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

20 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7172-JA1BInM嘉泰姆

4.275 VInM嘉泰姆

4.075 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

1300 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

DFN6 (1.8X2.0mm)InM嘉泰姆

CXPR7172-JB1BInM嘉泰姆

4.275 VInM嘉泰姆

4.075 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

1300 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT-23-6InM嘉泰姆

CXPR7172-KA5BInM嘉泰姆

4.250 VInM嘉泰姆

4.190 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

3.000 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

24 msInM嘉泰姆

16 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

DFN6 (1.8X2.0mm)InM嘉泰姆

CXPR7172-KB5BInM嘉泰姆

4.250 VInM嘉泰姆

4.190 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

3.000 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

24 msInM嘉泰姆

16 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7172-LA1AInM嘉泰姆

4.200 VInM嘉泰姆

2.500 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

1300 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

DFN6 (1.8X2.0mm)InM嘉泰姆

CXPR7172-LB1AInM嘉泰姆

4.200 VInM嘉泰姆

2.500 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

1300 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7172-MA1AInM嘉泰姆

4.280 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

250 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

1300 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

DFN6 (1.8X2.0mm)InM嘉泰姆

CXPR7172-MA1BInM嘉泰姆

4.280 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

250 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

1300 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

DFN6 (1.8X2.0mm)InM嘉泰姆

CXPR7172-MB1AInM嘉泰姆

4.280 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

250 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

1300 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7172-MB1BInM嘉泰姆

4.280 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

250 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

1300 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7172-MB4DInM嘉泰姆

4.280 VInM嘉泰姆

4.080 VInM嘉泰姆

2.900 VInM嘉泰姆

3.000 VInM嘉泰姆

200 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

250 msInM嘉泰姆

20 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

170 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7172-NA4AInM嘉泰姆

4.380 VInM嘉泰姆

4.280 VInM嘉泰姆

2.600 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-175 mVInM嘉泰姆

250 msInM嘉泰姆

20 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

170 μsInM嘉泰姆

DFN6 (1.8X2.0mm)InM嘉泰姆

CXPR7172-NA4B*InM嘉泰姆

4.380 VInM嘉泰姆

4.280 VInM嘉泰姆

2.600 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-175 mVInM嘉泰姆

250 msInM嘉泰姆

20 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

170 μsInM嘉泰姆

DFN6 (1.8X2.0mm)InM嘉泰姆

CXPR7172-NB4A*InM嘉泰姆

4.380 VInM嘉泰姆

4.280 VInM嘉泰姆

2.600 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-175 mVInM嘉泰姆

250 msInM嘉泰姆

20 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

170 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7172-NB4B*InM嘉泰姆

4.380 VInM嘉泰姆

4.280 VInM嘉泰姆

2.600 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-175 mVInM嘉泰姆

250 msInM嘉泰姆

20 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

170 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7172-OA1AInM嘉泰姆

4.400 VInM嘉泰姆

4.200 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

3.000 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-200 mVInM嘉泰姆

1300 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

DFN6 (1.8X2.0mm)InM嘉泰姆

CXPR7172-OA1BInM嘉泰姆

4.400 VInM嘉泰姆

4.200 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

3.000 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-200 mVInM嘉泰姆

1300 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

DFN6 (1.8X2.0mm)InM嘉泰姆

CXPR7172-OA1CInM嘉泰姆

4.400 VInM嘉泰姆

4.200 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

3.000 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-200 mVInM嘉泰姆

1300 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

DFN6 (1.8X2.0mm)InM嘉泰姆

CXPR7172-OA4LInM嘉泰姆

4.420 VInM嘉泰姆

4.200 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

3.000 VInM嘉泰姆

125 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-150 mVInM嘉泰姆

250 msInM嘉泰姆

20 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

170 μsInM嘉泰姆

DFN6 (1.8X2.0mm)InM嘉泰姆

CXPR7172-OB1AInM嘉泰姆

4.400 VInM嘉泰姆

4.200 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

3.000 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-200 mVInM嘉泰姆

1300 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7172-OB1BInM嘉泰姆

4.400 VInM嘉泰姆

4.200 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

3.000 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-200 mVInM嘉泰姆

1300 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7172-OB1CInM嘉泰姆

4.400 VInM嘉泰姆

4.200 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

3.000 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-200 mVInM嘉泰姆

1300 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7172-OB4B*InM嘉泰姆

4.400 VInM嘉泰姆

4.200 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

3.000 VInM嘉泰姆

170 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-150 mVInM嘉泰姆

250 msInM嘉泰姆

20 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

170 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7172-OC4LInM嘉泰姆

4.420 VInM嘉泰姆

4.200 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

3.000 VInM嘉泰姆

125 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-150 mVInM嘉泰姆

250 msInM嘉泰姆

20 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

170 μsInM嘉泰姆

DFN6 (1.4X1.4mm)InM嘉泰姆

CXPR7172-PA5BInM嘉泰姆

4.250 VInM嘉泰姆

4.190 VInM嘉泰姆

2.500 VInM嘉泰姆

3.000 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

24 msInM嘉泰姆

16 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

DFN6 (1.8X2.0mm)InM嘉泰姆

CXPR7172-PB5BInM嘉泰姆

4.250 VInM嘉泰姆

4.190 VInM嘉泰姆

2.500 VInM嘉泰姆

3.000 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

24 msInM嘉泰姆

16 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7172-RA1AInM嘉泰姆

4.280 VInM嘉泰姆

4.130 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

3.100 VInM嘉泰姆

100 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

1300 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

DFN6 (1.8X2.0mm)InM嘉泰姆

CXPR7172-RB1A*InM嘉泰姆

4.280 VInM嘉泰姆

4.130 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

3.100 VInM嘉泰姆

100 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

1300 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7172-SA1BInM嘉泰姆

4.275 VInM嘉泰姆

4.075 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

3.000 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

1300 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

DFN6 (1.8X2.0mm)InM嘉泰姆

CXPR7172-SB1B*InM嘉泰姆

4.275 VInM嘉泰姆

4.075 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

3.000 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

1300 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7172-TB6B*InM嘉泰姆

4.400 VInM嘉泰姆

4.300 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

3.000 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-150 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7172-UA4LInM嘉泰姆

4.475 VInM嘉泰姆

2.465 VInM嘉泰姆

2.700 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-125 mVInM嘉泰姆

250 msInM嘉泰姆

20 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

170 μsInM嘉泰姆

DFN6 (1.8X2.0mm)InM嘉泰姆

CXPR7172-UA6CInM嘉泰姆

4.475 VInM嘉泰姆

2.465 VInM嘉泰姆

2.700 VInM嘉泰姆

100 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

DFN6 (1.8X2.0mm)InM嘉泰姆

CXPR7172-UB2BInM嘉泰姆

4.475 VInM嘉泰姆

4.275 VInM嘉泰姆

2.500 VInM嘉泰姆

2.700 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-150 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

20 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7172-UB4L*InM嘉泰姆

4.475 VInM嘉泰姆

2.465 VInM嘉泰姆

2.700 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-125 mVInM嘉泰姆

250 msInM嘉泰姆

20 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

170 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7172-UB6CInM嘉泰姆

4.475 VInM嘉泰姆

2.465 VInM嘉泰姆

2.700 VInM嘉泰姆

100 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7172-UC4LInM嘉泰姆

4.475 VInM嘉泰姆

2.465 VInM嘉泰姆

2.700 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-125 mVInM嘉泰姆

250 msInM嘉泰姆

20 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

170 μsInM嘉泰姆

DFN6 (1.4X1.4mm)InM嘉泰姆

CXPR7172-UC6CInM嘉泰姆

4.475 VInM嘉泰姆

2.465 VInM嘉泰姆

2.700 VInM嘉泰姆

100 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

DFN6 (1.4X1.4mm)InM嘉泰姆

CXPR7173-AC9DInM嘉泰姆

4.405 VInM嘉泰姆

2.400 VInM嘉泰姆

80 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-50 mVInM嘉泰姆

1040 msInM嘉泰姆

120 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

DFN6InM嘉泰姆

CXPR7173-BC9DInM嘉泰姆

4.405 VInM嘉泰姆

2.400 VInM嘉泰姆

32 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-20 mVInM嘉泰姆

1040 msInM嘉泰姆

120 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

DFN6InM嘉泰姆

CXPR7173-CC9DInM嘉泰姆

4.425 VInM嘉泰姆

2.400 VInM嘉泰姆

34 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-22 mVInM嘉泰姆

1040 msInM嘉泰姆

120 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

DFN6InM嘉泰姆

CXPR7173-DC9DInM嘉泰姆

4.435 VInM嘉泰姆

2.400 VInM嘉泰姆

28 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-28 mVInM嘉泰姆

1040 msInM嘉泰姆

120 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

DFN6InM嘉泰姆

CXPR7173-KB9DInM嘉泰姆

4.405 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

42 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-50 mVInM嘉泰姆

1040 msInM嘉泰姆

120 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7173-LB9DInM嘉泰姆

4.280 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

42 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-50 mVInM嘉泰姆

1040 msInM嘉泰姆

120 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7173-MB9DInM嘉泰姆

4.280 VInM嘉泰姆

2.400 VInM嘉泰姆

42 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-30 mVInM嘉泰姆

1040 msInM嘉泰姆

120 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7173-MC9DInM嘉泰姆

4.280 VInM嘉泰姆

2.400 VInM嘉泰姆

42 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-30 mVInM嘉泰姆

1040 msInM嘉泰姆

120 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

DFN6InM嘉泰姆

CXPR7173-NB9DInM嘉泰姆

4.250 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

42 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-50 mVInM嘉泰姆

1040 msInM嘉泰姆

120 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT-23-6InM嘉泰姆

CXPR7173-OB9DInM嘉泰姆

4.450 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

42 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-30 mVInM嘉泰姆

1040 msInM嘉泰姆

120 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7174-AB6BInM嘉泰姆

4.280 VInM嘉泰姆

4.100 VInM嘉泰姆

2.400 VInM嘉泰姆

2.500 VInM嘉泰姆

180 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-225 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7174-BB6AInM嘉泰姆

4.350 VInM嘉泰姆

4.150 VInM嘉泰姆

2.500 VInM嘉泰姆

3.000 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-200 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7174-CB6B*InM嘉泰姆

4.280 VInM嘉泰姆

4.100 VInM嘉泰姆

2.300 VInM嘉泰姆

2.500 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-225 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7174-DB6BInM嘉泰姆

4.275 VInM嘉泰姆

4.175 VInM嘉泰姆

3.000 VInM嘉泰姆

3.200 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-200 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7174-EB6B*InM嘉泰姆

4.475 VInM嘉泰姆

4.275 VInM嘉泰姆

2.500 VInM嘉泰姆

2.900 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-150 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7174-FB5BInM嘉泰姆

4.300 VInM嘉泰姆

4.250 VInM嘉泰姆

2.500 VInM嘉泰姆

3.000 VInM嘉泰姆

200 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-225 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

24 msInM嘉泰姆

16 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT-23-6InM嘉泰姆

CXPR7174-GA2BInM嘉泰姆

4.425 VInM嘉泰姆

4.275 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

3.000 VInM嘉泰姆

225 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-225 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

20 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

DFN6 (1.8X2.0mm)InM嘉泰姆

CXPR7174-GB2B*InM嘉泰姆

4.425 VInM嘉泰姆

4.275 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

3.000 VInM嘉泰姆

225 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-225 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

20 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT-23-6InM嘉泰姆

CXPR7174-HA2BInM嘉泰姆

4.420 VInM嘉泰姆

4.235 VInM嘉泰姆

2.500 VInM嘉泰姆

2.700 VInM嘉泰姆

200 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-225 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

20 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

DFN6 (1.8X2.0mm)InM嘉泰姆

CXPR7174-HB2BInM嘉泰姆

4.420 VInM嘉泰姆

4.235 VInM嘉泰姆

2.500 VInM嘉泰姆

2.700 VInM嘉泰姆

200 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-225 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

20 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7174-HB6B*InM嘉泰姆

4.420 VInM嘉泰姆

4.235 VInM嘉泰姆

2.500 VInM嘉泰姆

2.700 VInM嘉泰姆

200 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-225 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7174-IB6B*InM嘉泰姆

4.275 VInM嘉泰姆

4.175 VInM嘉泰姆

3.000 VInM嘉泰姆

3.200 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-150 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7174-JB6B*InM嘉泰姆

4.425 VInM嘉泰姆

4.225 VInM嘉泰姆

2.500 VInM嘉泰姆

2.900 VInM嘉泰姆

200 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-200 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7174-KB6B*InM嘉泰姆

4.425 VInM嘉泰姆

4.225 VInM嘉泰姆

2.500 VInM嘉泰姆

2.900 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-150 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7174-OA6BInM嘉泰姆

4.425 VInM嘉泰姆

4.225 VInM嘉泰姆

2.500 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-200 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

DFN6 (1.8X2.0mm)InM嘉泰姆

CXPR7174-OB6AInM嘉泰姆

4.425 VInM嘉泰姆

4.225 VInM嘉泰姆

2.500 VInM嘉泰姆

150 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-200 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7174-PB6B*InM嘉泰姆

4.250 VInM嘉泰姆

4.050 VInM嘉泰姆

2.500 VInM嘉泰姆

3.000 VInM嘉泰姆

200 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-100 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7174-SB6B*InM嘉泰姆

4.475 VInM嘉泰姆

4.275 VInM嘉泰姆

2.500 VInM嘉泰姆

2.900 VInM嘉泰姆

200 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-200 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

145 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7174-UA2BInM嘉泰姆

4.475 VInM嘉泰姆

4.275 VInM嘉泰姆

2.500 VInM嘉泰姆

2.700 VInM嘉泰姆

225 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-200 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

20 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

DFN6 (1.8X2.0mm)InM嘉泰姆

CXPR7174-UB2B*InM嘉泰姆

4.475 VInM嘉泰姆

4.275 VInM嘉泰姆

2.500 VInM嘉泰姆

2.700 VInM嘉泰姆

225 mVInM嘉泰姆

0.85 VInM嘉泰姆

-200 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

20 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

8 msInM嘉泰姆

300 μsInM嘉泰姆

SOT23-6InM嘉泰姆

CXPR7175-AG2J*InM嘉泰姆

4.425 VInM嘉泰姆

2.400 VInM嘉泰姆

34 mVInM嘉泰姆

0.18 VInM嘉泰姆

-22 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

20 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

16 msInM嘉泰姆

250 μsInM嘉泰姆

DFN6InM嘉泰姆

CXPR7175-BG2JInM嘉泰姆

4.280 VInM嘉泰姆

2.400 VInM嘉泰姆

32 mVInM嘉泰姆

0.18 VInM嘉泰姆

-30 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

20 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

16 msInM嘉泰姆

250 μsInM嘉泰姆

DFN6InM嘉泰姆

CXPR7175-CG2JInM嘉泰姆

4.425 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

40 mVInM嘉泰姆

0.18 VInM嘉泰姆

-30 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

20 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

16 msInM嘉泰姆

250 μsInM嘉泰姆

DFN6InM嘉泰姆

CXPR7175-EG2JInM嘉泰姆

4.470 VInM嘉泰姆

2.465 VInM嘉泰姆

40 mVInM嘉泰姆

0.18 VInM嘉泰姆

-25 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

20 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

16 msInM嘉泰姆

250 μsInM嘉泰姆

DFN6InM嘉泰姆

CXPR7175-FG2JInM嘉泰姆

4.450 VInM嘉泰姆

2.600 VInM嘉泰姆

40 mVInM嘉泰姆

0.18 VInM嘉泰姆

-30 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

20 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

16 msInM嘉泰姆

250 μsInM嘉泰姆

DFN6InM嘉泰姆

CXPR7175-GG2JInM嘉泰姆

4.280 VInM嘉泰姆

2.800 VInM嘉泰姆

30 mVInM嘉泰姆

0.18 VInM嘉泰姆

-20 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

20 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

16 msInM嘉泰姆

250 μsInM嘉泰姆

DFN6InM嘉泰姆

CXPR7175-HG2JInM嘉泰姆

4.380 VInM嘉泰姆

2.600 VInM嘉泰姆

42 mVInM嘉泰姆

0.18 VInM嘉泰姆

-25 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

20 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

16 msInM嘉泰姆

250 μsInM嘉泰姆

DFN6InM嘉泰姆

CXPR7175-IG2JInM嘉泰姆

4.380 VInM嘉泰姆

2.600 VInM嘉泰姆

32 mVInM嘉泰姆

0.18 VInM嘉泰姆

-22 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

20 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

16 msInM嘉泰姆

250 μsInM嘉泰姆

DFN6InM嘉泰姆

CXPR7175-JG2JInM嘉泰姆

4.450 VInM嘉泰姆

2.400 VInM嘉泰姆

40 mVInM嘉泰姆

0.18 VInM嘉泰姆

-30 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

20 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

16 msInM嘉泰姆

250 μsInM嘉泰姆

DFN6InM嘉泰姆

CXPR7175-KG2JInM嘉泰姆

4.450 VInM嘉泰姆

2.400 VInM嘉泰姆

30 mVInM嘉泰姆

0.18 VInM嘉泰姆

-50 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

20 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

16 msInM嘉泰姆

250 μsInM嘉泰姆

DFN6InM嘉泰姆

CXPR7175-LG2JInM嘉泰姆

4.475 VInM嘉泰姆

2.400 VInM嘉泰姆

40 mVInM嘉泰姆

0.18 VInM嘉泰姆

-25 mVInM嘉泰姆

1000 msInM嘉泰姆

20 msInM嘉泰姆

12 msInM嘉泰姆

16 msInM嘉泰姆

250 μsInM嘉泰姆

DFN6InM嘉泰姆

註1.:省電功能=省電 / 過放自動恢復功能=過放恢復InM嘉泰姆

註2:是標有“*”的特定機型型號。InM嘉泰姆

註3:CXPR7169系列為VCHA,其它系列為VCIPInM嘉泰姆

◀ 上一篇:CXPR7165锂电充电器保护防止输入过电压过电流保护ILIM引脚连接到接地的电阻器进行编程当任何监测参数超过阈值时IC通过关闭内部开关来切断充电系统的电源

返回顶部

下一篇▶:CXPR7169-CB

产品中心

电源管理

LED驱动电路

音频放大IC

电机风扇驱动芯片

MCU存储ADC时钟数据线

功率器件

隔离芯片

电池充电芯片

技术支持

产品方案

质量承诺

目录

CXPR7169-AB CXPR7169-CB CXPR7169-DB CXPR7169-FB* 系列 IC，内置高精度电压检测电路和延迟电路，是用于单节锂离子/锂聚合物可再充电电池的保护 IC。本 IC 适合于对 1 节锂离子/锂聚合物可再充电电池的过充电、过放电和过电流进行保护。

相关芯片选择指南返回TOP 更多同类产品.......

联系我们

产品中心

技术支持

产品方案

质量承诺

目录

相关芯片选择指南 返回TOP 更多同类产品.......

联系我们

相关芯片选择指南返回TOP 更多同类产品.......