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CXLB73306智能升降压充电芯片 - 支持I2C控制与自动快充协议申请 | JTM-IC
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在便携式电子设备与电动工具日益智能化的今天,充电管理芯片不仅要高效、安全,还需具备灵活的配置与通信能力。CXLB73306是一款全集成、支持I2C接口与自动快充协议申请的升降压充电管理IC,适用于1~4节锂离子电池和1~5节磷酸铁锂电池,最大充电电流达3A。本文将深入解析其架构、功能配置与典型应用。

CXLB73306智能升降压充电芯片 - 支持I2C控制与自动快充协议申请 | JTM-IC
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产品简介

 H3b嘉泰姆

CXLB73306智能升降压充电芯片:高集成、可编程、快充兼容的完整电源方案

         在便携式电子设备与电动工具日益智能化的今天,充电管理芯片不仅要高效、安全,还需具备灵活的配置与通信能力。CXLB73306是一款全集成、支持I2C接口与自动快充协议申请的升降压充电管理IC,适用于1~4节锂离子电池和1~5节磷酸铁锂电池,最大充电电流达3A。本文将深入解析其架构、功能配置与典型应用。H3b嘉泰姆


一、芯片概览与技术亮点

CXLB73306在集成度、智能控制与安全保护方面具备显著优势:H3b嘉泰姆

·    全集成功率路径:内置4开关MOSFET、电流检测与环路补偿,极大简化外围电路。H3b嘉泰姆

·    宽输入电压:3.6V~21V,BAT端耐压30V,适配多种电源环境。H3b嘉泰姆

·    I2C可编程接口:支持充电参数灵活配置,包括电流、电压、保护阈值等。H3b嘉泰姆

·    自动快充申请:通过DP/DM引脚自动识别并申请快充电压(9V/12V),提升充电效率H3b嘉泰姆

·    多重智能环路:包含CC/CV、温度调节、输入自适应等,系统运行更加可靠。H3b嘉泰姆


二、核心功能详解

2.1. 智能充电管理与I2C控制

CXLB73306支持完整的TC/CC/CV三段式充电,关键参数可通过I2C实时调节:H3b嘉泰姆

·    消流充电:电池电压<67% VCV时以小电流激活。H3b嘉泰姆

·    恒流充电:电流可通过RS电阻与I2C共同设定,公式:H3b嘉泰姆

ICC​=VICC​​/RS

默认VICC = 50mV,支持1.25mV步进调节。H3b嘉泰姆

·    恒压充电:浮充电压由外部FB分压电阻与I2C共同设定:H3b嘉泰姆

2.2. 输入自适应与快充协议

·    输入自适应:通过VSEN引脚设置输入电压跌落点,防止适配器过载。H3b嘉泰姆

·    自动快充申请:芯片自动通过DP/DM申请9V或12V输入,失败则回退至5V,兼容多种快充协议。H3b嘉泰姆

2.3. 温度保护与JEITA兼容

NTC配置:支持双温度窗口(低温70% REGN,高温47.5% REGN),可通过I2C选择JEITA1/JEITA2模式:H3b嘉泰姆

·    JEITA1:低温时充电电流降为50%,高温时降低浮充电压。H3b嘉泰姆

·    JEITA2:除电流与电压调节外,高温段进一步限制电流至60% ICC。H3b嘉泰姆

2.4. 状态指示与中断输出

2.4.1.  STAT引脚H3b嘉泰姆

·    充电中:低电平(LED亮)H3b嘉泰姆

·    充满:高阻(LED灭)H3b嘉泰姆

·    异常:1.5Hz闪烁H3b嘉泰姆

2.4.2.  INT引脚:开漏输出,支持系统中断响应,实时上报故障与状态变化。H3b嘉泰姆


三、I2C寄存器配置概览

CXLB73306提供丰富的I2C寄存器,地址为0x4C,支持单字节与连续读写:H3b嘉泰姆

寄存器 功能
REG[0]–[2] 系统状态读取(含中断标志)
REG[8] 充电终止电流、消流电流设置
REG[9] 电池节数、CV电压设置
REG[A] NTC模式、REGN电压、LED行为
REG[B] 恒流电流、消流转换点
REG[C] 充电使能、超时设置、抖频控制
REG[D] 输入电压、VSEN自适应点

例如:H3b嘉泰姆

·    设置4节电池、4.2V/节:REG[9] = 0b00011011H3b嘉泰姆

·    启用JEITA2:REG[A]的NTC[1:0] = 0b10H3b嘉泰姆


四、典型应用场景

CXLB73306广泛适用于以下领域:H3b嘉泰姆

·    智能蓝牙音箱:支持快充与多节电池,提升用户体验。H3b嘉泰姆

·    电动工具与玩具:3A大电流快速回充,适用高功率场景。H3b嘉泰姆

·    电子烟与便携医疗设备:精准的电压与温度控制,保障安全。H3b嘉泰姆

·    对讲机与应急设备:宽输入电压适应性强,适合户外多变环境。H3b嘉泰姆


五、封装与设计要点

5.1.  封装形式:QFN4x4-32L,具有良好的散热性与焊接工艺性。H3b嘉泰姆

H3b嘉泰姆
H3b嘉泰姆

5.2.  热阻参数:θJA = 52℃/W,建议配合散热过孔设计。H3b嘉泰姆

5.3.  布局建议H3b嘉泰姆

·    大电流路径(VIN、SW、BAT)尽量短而宽。H3b嘉泰姆

·    RS电阻应紧靠CSP/CSN布局,降低噪声干扰。H3b嘉泰姆

·    FB采样线应直接连接电池正极,减少线损误差。H3b嘉泰姆


六、典型应用原理图


七、为什么选择CXLB73306?

       CXLB73306以其高集成度、灵活的I2C控制与自动快充协议支持,成为智能设备充电管理的理想选择。无论是开发新一代便携设备,还是升级现有电源系统,该芯片都能提供高效、可靠、安全的充电解决方案。H3b嘉泰姆

关于JTM-ICH3b嘉泰姆
         JTM-IC(官网:jtm-ic.com)专注于高性能电源管理芯片的研发与销售,为客户提供从选型到技术支持的全流程服务。CXLB73306是我们推荐的智能升降压充电芯片之一,欢迎访问官网获取更多产品信息与技术资料。
H3b嘉泰姆


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