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CXCP5367E采用先进的沟道技术在低至-2.5V的栅极电压下提供优良的RDS（ON）低栅极充电和操作适合用作电池保护或其他开关应用
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CXCP5367EThe CXCP5367E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as -2.5V. This device is suitable for use as a battery protection or in other switching application.

CXCP5367E采用先进的沟道技术在低至-2.5V的栅极电压下提供优良的RDS（ON）低栅极充电和操作适合用作电池保护或其他开关应用
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   产品概述 返回TOP4gE嘉泰姆

The CXCP5367E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as -2.5V. This device is suitable for use as a battery protection or in other switching application.

blob.png4gE嘉泰姆

   产品特点 返回TOP4gE嘉泰姆

● VDS = -12V,ID =-2.0A 4gE嘉泰姆

RDS(ON)<130mΩ @ VGS =-4.5V 4gE嘉泰姆

RDS(ON)<175mΩ @ VGS =-2.5V 4gE嘉泰姆

 ● High Power and current handing capability 4gE嘉泰姆

● Lead free product is acquired 4gE嘉泰姆

● Surface Mount Package4gE嘉泰姆

   应用范围 返回TOP4gE嘉泰姆

● Battery protection 4gE嘉泰姆

● Load switch 4gE嘉泰姆

● Power management4gE嘉泰姆

   技术规格书（产品PDF) 返回TOP 4gE嘉泰姆

     需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持！4gE嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpg4gE嘉泰姆

产品封装图 返回TOP4gE嘉泰姆

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电路原理图 返回TOP4gE嘉泰姆

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ID4gE嘉泰姆

IDM4gE嘉泰姆

RDS(on)4gE嘉泰姆

封装4gE嘉泰姆

(Max)4gE嘉泰姆

  

(Typ)4gE嘉泰姆

(Max)4gE嘉泰姆

  

(Max)4gE嘉泰姆

BSS844gE嘉泰姆

P沟道4gE嘉泰姆

-50V4gE嘉泰姆

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-30V4gE嘉泰姆

-12V4gE嘉泰姆

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-20V4gE嘉泰姆

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-30V4gE嘉泰姆

-20V4gE嘉泰姆

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-20V4gE嘉泰姆

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-40V4gE嘉泰姆

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7.5mΩ4gE嘉泰姆

SOP84gE嘉泰姆

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P沟道4gE嘉泰姆

-40V4gE嘉泰姆

-20V4gE嘉泰姆

-2.0V4gE嘉泰姆

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-20V4gE嘉泰姆

-1V4gE嘉泰姆

-5.0A4gE嘉泰姆

-30A4gE嘉泰姆

50mΩ4gE嘉泰姆

SOT23-6L4gE嘉泰姆

CXCP53814gE嘉泰姆

P沟道4gE嘉泰姆

-30V4gE嘉泰姆

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-20V4gE嘉泰姆

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