CXMS5213系列N沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。 CXMS5213XG适用于低压应用，例如移动电 话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电 路。
z VDS=20V ID=4.2A RDS(ON) =29mΩ@VGS=4.5V，ID=3A RDS(ON)
=36mΩ@VGS=2.5V，ID=2A
z 超大密度单元、极小的 RDS(ON)）
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[ CXMS5213 ]"
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CXMS5213XG系列N沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。 CXMS5213XG适用于低压应用，例如移动电 话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电 路。这种低损耗可采用小尺寸封装。
产品特点 返回TOP
z VDS=20V ID=4.2A RDS(ON) =29mΩ@VGS=4.5V，ID=3A RDS(ON)
=36mΩ@VGS=2.5V，ID=2A
z 超大密度单元、极小的 RDS(ON)）
z 超小封装：SOT23
应用范围 返回TOP
z 电池电源管理
z 高速开关
z 低功率 DC DC 转换
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略
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MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)>>>MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管) |
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Part |
Mode |
VDS(Max) |
VGS |
ID(Max) |
RDS(on) |
Application |
Package |
|
N channel |
20V |
12V |
5.2A |
37mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOT23 |
|
|
N channel |
20V |
8V |
3A |
22mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOT23/SOT23-3 |
|
|
N channel |
20V |
12V |
5.2A |
29mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOT23 |
|
|
Double N |
20V |
12V |
6A |
22mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOP8 |
|
|
N channel |
30V |
12V |
5.8A |
25mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOT23/SOT23-3 |
|
|
N channel |
30V |
20V |
4.4A |
35mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOT23 |
|
|
Double N |
20V |
12V |
6A |
21mΩ |
①②③④⑤ |
SOT23-6/ TSSOP8 |
|
|
Double N |
20V |
12V |
5A |
19mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
TSSOP8/SOT26 |
|
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Applications： ①Mobile phone②MID③GPS④DC/DC Converter⑤Load Switch⑥Power Management Notebook⑦LCD Display Inverter⑧Battery powered system⑨Battery Protection |
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