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CXMS5105用于DC-DC变换器或负载开关应用的N和P通道增强型场效应晶体管采用先进的沟道技术和设计提供低栅极电荷的出色的RD（ON）超高密度极低Rds电池设计卓越的导通电阻和最大直流电流能力
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CXMS5105是用于DC-DC变换器或负载开关应用的N和P通道增强型场效应晶体管，采用先进的沟道技术和设计，以提供低栅极电荷的出色的RD（ON）。标准产品CXMS5105不含铅。
超高密度极低Rds电池设计（开）卓越的导通电阻和最大直流电流能力
产品手册
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[ CXMS5105 ]
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产品概述 返回TOP
The CXMS5105 is the N- and P-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor as a single package for DC-DC converter or Load switch applications, uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. Standard Product CXMS5105 is Pb-free.
产品特点 返回TOP
z Trench Technology
z Supper high density cell design for extremely low Rds(on)
z Exceptional ON resistance and maximum DC current capability
z Small package design with DFN2x2-6L.
应用范围 返回TOP
z Driver: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers
z Power supply converters circuit
z Load/Power Switching for potable device
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| 场效应晶体管 > | |||||||||
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Product |
Polarity | Channel | VDS | VGS | VGS(th) | RDS(ON)@VGS=4.5V | ID@TA=25oC | Package | Size |
| (Max.) | (Max.) | (Max.) | (Typ.) | (MAX.) | (L×W) | ||||
| (V) | (V) | (V) | (Ω) | (A) | (mm) | ||||
| CXMS5105 | N + P | 2 | 20/-20 | ±6/±8 | 0.85/-1.0 | 0.18/0.085 | 0.65/-3.1 | DFN2020-6L | 2.0 x 2.0 |
| CXMS5106 | N + P | 2 | 20/-20 | ±6 | 0.9/-0.9 | 0.23/0.52 | 0.8/-0.59 | SOT-363 | 2.1 x 2.3 |
| CXMS5107 | N + P | 2 | 20/-20 | ±6 | 0.9/-0.9 | 0.18/0.45 | 0.79/-0.5 | SOT-563 | 1.6 x 1.6 |
| CXMS5108 | N + P | 2 | 20/-20 | ±8 | 1/-1 | 0.033/0.085 | 4.4/-2.8 | SOT-23-6L | 2.9 x 2.8 |
| CXMS5109 | N + P | 2 | 12/-12 | ±8 | 1.2/-1.2 | 0.028/-0.057 | 5.1/-4.0 | DFN2020-6L | 2.0 x 2.0 |
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