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首页 > 产品中心 > LED驱动电路 > 升降压型线性恒流LED驱动IC > 高压线性降压LED驱动 >CXLE86143 高功率因数无频闪线性LED驱动IC | 临界储能模式, 可编程功率限制, ESOP8封装 | JTM-IC
CXLE86143 高功率因数无频闪线性LED驱动IC | 临界储能模式, 可编程功率限制, ESOP8封装 | JTM-IC
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CXLE86143是一款采用专有临界储能线性恒流控制架构的高压驱动IC,内置500V耐压工艺制造,具备高可靠性与稳定性。其通过独特的双电流源结构(恒流源与可变电流源)实现对LED负载的精确控制,无需传统电解电容即可实现高功率因数与无频闪输出,极大提升了系统寿命与光品质。芯片集成可编程功率限制与过温保护功能,有效降低系统散热成本,提升整体可靠性。

CXLE86143 高功率因数无频闪线性LED驱动IC | 临界储能模式, 可编程功率限制, ESOP8封装 | JTM-IC
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产品简介

CXLE86143:高功率因数无频闪线性LED驱动芯片,打造高效稳定照明解决方案

        在现代LED照明应用中,驱动电路的性能直接影响灯具的能效、寿命与光品质。CXLE86143作为一款基于临界储能模式的线性恒流LED驱动集成电路,以其高功率因数、无频闪输出、低电磁干扰等优异特性,成为LED球泡灯、灯管、吸顶灯等应用的理想选择。本文将全面解析CXLE86143的技术特点、工作原理与设计要点,助力工程师构建符合法规要求、性能卓越的照明系统。L3O嘉泰姆

一,产品概述

       CXLE86143是一款采用专有临界储能线性恒流控制架构的高压驱动IC,内置500V耐压工艺制造,具备高可靠性与稳定性。其通过独特的双电流源结构(恒流源与可变电流源)实现对LED负载的精确控制,无需传统电解电容即可实现高功率因数与无频闪输出,极大提升了系统寿命与光品质。芯片集成可编程功率限制与过温保护功能,有效降低系统散热成本,提升整体可靠性。L3O嘉泰姆

二,核心特性

•    高功率因数:满足能源法规要求,典型PF值>0.9。L3O嘉泰姆

•    无频闪输出:保障视觉舒适,适用于高品质照明场景。L3O嘉泰姆

•    低EMI设计:简化滤波电路,降低系统成本。L3O嘉泰姆

•    可编程功率限制:通过PLIM引脚设定输入功率上限,适应不同市电电压。L3O嘉泰姆

•    过温保护机制:自动降额或关断,防止热失效。L3O嘉泰姆

•    高压集成工艺:500V耐压,适应电网波动与瞬态冲击。L3O嘉泰姆

•    外围电路简洁:无需磁性元件,结构紧凑。L3O嘉泰姆

•    环保封装:ESOP8封装,散热优良,支持自动化生产。L3O嘉泰姆

二,典型应用场景

CXLE86143广泛适用于以下照明产品:L3O嘉泰姆

•    LED球泡灯、蜡烛灯L3O嘉泰姆

•    LED T5/T8灯管L3O嘉泰姆

•    LED吸顶灯、面板灯L3O嘉泰姆

•    其他非隔离式线性LED驱动方案L3O嘉泰姆

三,电气特性与性能优势

在典型输入电压范围内(180V–270V),CXLE86143表现出以下优越性能:L3O嘉泰姆

•    恒流精度高:输出电流稳定,不受电网波动影响。L3O嘉泰姆

•    效率优良:在全电压范围内保持较高转换效率L3O嘉泰姆

•    THD低:总谐波失真符合照明类法规要求。L3O嘉泰姆

•    功率限制响应快:PLIM功能有效控制高电压下系统功耗。L3O嘉泰姆

实测数据显示,在220V输入条件下,系统功率因数可达0.95以上,效率超过85%,表现出优异的综合性能。L3O嘉泰姆

四,功能说明与设计指南

4.1. 临界储能工作原理

CXLE86143采用恒流源与可变电流源协同工作的控制方式。在每个市电周期内:L3O嘉泰姆

•    放电阶段:当市电电压低于储能电容电压时,恒流源主导放电,维持LED电流稳定L3O嘉泰姆

•    充电阶段:当市电电压升高时,可变电流源为电容充电,临界控制电路通过调节充电电流使系统工作在临界状态,实现高效能量转移与恒流输出。L3O嘉泰姆

4.2. 电流设定方法

•    恒流源电流:由CCS引脚外接电阻设定:L3O嘉泰姆

ICC​=​0.22​/RCS

•    可变电流源最大电流L3O嘉泰姆

IVC​=​0.4​/RCS
4.3. 功率限制设置

当PLIM引脚电压>2.5V时,芯片自动降低内部基准,限制系统功率。通过外接R1、R2分压电阻可设定功率降额起点,适应不同输入电压条件。L3O嘉泰姆

4.4. 供电机制

芯片内部集成500V耗尽管,直接从CC引脚取电,在6V–500V范围内维持VCC稳定在5.5V,确保控制电路可靠工作。L3O嘉泰姆

五,外围元件选型建议

5.1. 储能电容

推荐使用耐压高于400V的薄膜电容或高压陶瓷电容,容量根据LED电流与保持时间要求选择,典型值为1–4.7μF。L3O嘉泰姆

5.2. 电流设定电阻

应选用精度高、温度特性好的金属膜电阻,建议精度≥1%。L3O嘉泰姆

5.3. 功率限制电阻

R1、R2需根据目标降额电压点计算,建议使用耐压与稳定性良好的电阻。L3O嘉泰姆

5.4. 二极管选型

D1、D2应选用高压、快恢复型二极管,反向耐压需高于最大系统电压。L3O嘉泰姆

六,布局与散热建议

•    高压部分(CC、VC)布线应保持安全间距,避免爬电风险。L3O嘉泰姆

•    CCS、VCS、PLIM等信号引脚应远离高压节点,防止噪声耦合。L3O嘉泰姆

•    芯片底部散热焊盘应充分连接至PCB地平面,提升导热性能。L3O嘉泰姆

•    在高温或高功率应用中,可适当增加铜皮面积或辅以散热涂层。L3O嘉泰姆

七封装与供货信息

CXLE86143采用ESOP8封装,具有良好的散热性能与电气隔离特性。产品支持卷盘包装,每盘2500颗,适用于规模化、自动化生产。L3O嘉泰姆

八,结语

       CXLE86143凭借其高功率因数、无频闪输出、可编程功率限制与完善的保护功能,为LED照明系统提供了高效、可靠、紧凑的驱动解决方案。无论是在家用照明、商业灯具还是工业照明应用中,其卓越的性能与稳定性都能满足现代照明系统对能效与品质的高要求。如需获取详细数据手册、申请样品或进一步技术支持,欢迎访问JTM-IC官网查询。L3O嘉泰姆

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