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高电源抑制比、低噪声 300mA LDO CXLD64001系列芯片，具有很高的电源抑制比，静态工作电流 40uA左右，适合射频方面的应用。该系列采用先进的 CMOS工艺，实现快速启动、低噪声、极好的瞬时反应特性和很高电源抑制比功能。CXLD64001BXX系列芯片稳定于1.0μF陶瓷输出电容，并且使用精确的参考电压和反馈环路，能够在所有负载，线路，流程和温度变化情况下最多产生 2％的精度误差
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