CXLB73211路元器件。该器件内部包括功率晶体管，应用时不需要外部的电流检测电阻和阻流二极管。CXLB73211只需要极少的外围元器件，并且符合USB 总线技术规范，非常适合
于便携式应用的领域。热调制电路可以在器件的功耗比较大或者环境温度比较高的时候将芯片温度控制在安全范围内。内部固定的恒压充电电压为4.2V，也可以通过一个外部的电阻调节。充电电流通过一个外部电阻设置。当输入电压（交流适配器或者USB电源）掉电时，CXLB73211自动进入低功耗的睡眠模式，此时电池的电流消耗小于0.1μA。当电池电压高于输入电压时,自动关闭内置功率MOSFET。其它功能包括输入电压过低锁存，自动再充电，电池温度监控以及充电状态/充电结束状态指示等功能。CXLB73211可以通过使能引脚关断充电，关断状态下芯片的静态功耗在20uA 以下。CXLB73211采用散热增强型的8 管脚小外形封装ESOP8。

CXLB73218是可以对单节可充电锂电池进行恒流/恒压充电的充电器电路。该器件内部包括功率晶体管，应用时不需要外部的电流检测电阻和阻流二极管。CXLB73218只需要极少的
外围元器件，并且符合USB 总线技术规范，非常适合于便携式应用的领域。热调制电路可以在器件的功耗比较大或者环境温度比较高的时候将芯片温度控制在安全范围内。内部固定的恒压充电电压为4.35V，也可以通过一个外部的电阻调节。充电电流通过一个外部电阻设置。当输入电压（交流适配器或者USB 电源）掉电时，CXLB73218自动进入低功耗的睡眠模式，此时电池的电流消耗小于0.1μA。内置防反灌保护电路,当电池电压高于输入电压时,自动关闭内置功率MOSFET。其它功能包括输入电压过低锁存，自动再充电，内置电池温度监控以及充电状态/充电结束状态指示等功能。CXLB73218采用散热增强型的8 管脚小外形封装DFN2020-8L。

CXLB73217是可以对单节可充电锂电池进行恒流/恒压充电的充电器电路芯片。该器件内部包括功率晶体管，应用时不需要外部的电流检测电阻和阻流二极管。CXLB73217只需要极
少的外围元器件，并且符合 USB 总线技术规范，非常适合于便携式应用的领域。热调制电路可以在器件的功耗比较大或者环境温度比较高的时候将芯片温度控制在安全范围内。内部固定的恒压充电电压为 4.35V，充电电流通过一个外部电阻设置。当输入电压（交流适配器或者 USB 电源）掉电时，CXLB73217自动进入低功耗的睡眠模式，此时电池的电流消耗小于 0.1µA。内置防反灌保护电路，当电池电压高于输入电压时，自动关闭内置功MOSFET。其它功能包括输入电压过低锁存，自动再充电，以及充电状态/充电结束状态指示等功能。
CXLB73217采用散热增强型的 8 管脚小外形封装 ESOP8

CXLB73221系列是一款双节锂电池充电管理芯片。该芯片包含了充电状态检测、充电过程、温度检测等，内部还集成一个高精度的基准电压模块，此芯片采用SOP-8 封装。CXLB73221充电包含三种模式：预充电，恒流充电，恒压充电。恒流充电时电流是预充电电流的5 倍；当电压低于6.5时预充电状态；当电压高于6.5V 时进入恒流充电模式，此时的充电电流是预充电时的5 倍，充电电流大小由一个外接的电阻来设置。

CXLB73214是一款500mA 可编程电流线性充电管理芯片。该成品的DFN2*2-8L 系列可以通过FB 和BAT 是否短路实现3.65/4.2 不同的电压输出；充电电流通过一个外部电阻设置。
CXLB73214内置了输入泄流回路，用来解决太阳能电池在强光时的高压对芯片本身的安全影响。CXLB73214外置TEMP 引脚可以监测电池表面温度。当电池表面温度超过设置的阈值时，禁止充电。当TEMP 接地时，该功能会被屏蔽。(该引脚只有DFN2*2-8L 封装时才有)
当输入电压（交流适配器或者 USB 电源）掉电时，CXLB73214自动进入低功耗的睡眠模式，此时电池的电流消耗小于0.1μA。内置防反灌保护电路,当电池电压高于输入电压时,自动关闭内置功率MOSFET。

CXLB73213是一款2 节锂电池充电管理芯片。芯片采用分时串放并充模式实现对锂电池的充电；CXLB73213带电池反接保护，采用恒流恒压线性控制，只需要较少的外部元件使得CXLB73213成为便携式应用的理想选择；由于采用了内部PMOS 结构，加上防倒灌充电电路所以不需要外部检测电阻和隔离二极管。同时芯片自带芯片热保护，该保护可以在大功率或者高温情况下对芯片充电电流自动调节，从而对芯片温度进行控制；当输入电压被拿掉时，CXLB73213自动进入低电流模式；充满电压为4.2V，当电池达到4.2V 以后充电电流降到
预定值的1/6，CXLB73213将自动停止充电；

CXLB73215是一款适用于太阳能电池应用场合的 1A 充电能力的线性充电管理芯片。MPPT 功能的引入使得芯片可以自动跟踪太阳能板的最大功率点，提高对太阳能电池的能量利用效率。CXLB73215外置 TEMP 引脚可以监测电池表面温度。当电池表面温度超过设置的阈值时，禁止充电。当 TEMP 接地时，该功能会被屏蔽。CXLB73215内置了泄流回路，用来确保在电池不需要电荷时，太阳能电池电压不会升得太高而导致的芯片损伤。CXLB73215通过 FB 与 BAT 及之间的电阻来实现输出电压的调节。FB 与 BAT 短接可以满足 3.65V 磷酸铁锂的应用；FB 保持不接，为 4.2V 电池应用；也可以通过在 FB 与 BAT之间接电阻实现 3.65~4.2V 的电池应用。当输入电压（交流适配器或者 USB 电源）掉电时，CXLB73215自动进入低功耗的睡眠模式，此时电池的电流消耗小于 0.1µA。芯片内置防反灌保护电路,当电池电压高于输入电压时,自动关闭内置功率 MOSFET。CXLB73215采用散热增强型的 8 管脚小外形封装 ESOP8和 PDF5X6-8L。

CXLB73222是一款完整的单节锂离子电池充电器，带电池正负极反接保护，采用恒定电流/恒定电压线性控制。采用了内部PMOSFET 架构，加上防反灌电路，所以不需要外部隔离二极管。充电电压固定于4.2V，精度可达±1%；而充电电流可通过外置电阻进行设置，最大充电可达0.5A。芯片内部集成过温保护，可对充电电流进行自动调节，以便在大功率操作或高环境温度条件下对芯片温度加以限制。当输入电压（交流适配器或USB 电源）被拿掉时，CXLB73222自动进入低电流状态，电池漏电降至1uA 以下。在有电源时也可置于停机模式，将供电电流降至65uA。CXLB73222的其他特点包括欠压闭锁、过压保护、2.5V 涓流充电和两个用于指示充电、结束的LED 状态。

CXLB73219是一个完善的单片锂离子电池恒流/恒压线性电源管理芯片。它薄的尺寸和小的外包装使它便于便携应用。更值得一提的是，CXLB73219专门设计适用于USB的供电规格。
得益于内部的MOSFET 结构，在应用上不需要外部电阻和阻塞二极管。充电电压被限定在4.2V，充电电流通过外部电阻调节。在达到目标充电电压后，当充电电流降低到设定值的3/10时，CXLB73219就会自动结束充电过程。当输入端（插头或USB提供电源）拔掉后，CXLB73219自动进入低电流状态，电池漏电流将降到1μA 以下。CXLB73219还可被设置于停止工作状态，使电源供电电流降到25μA。CXLB73219内置电池反接保护电路，确保了电池接反时芯片自动进入保护状态，确保IC 不被击穿导致电池自放电引起事故。其余特性包括：充电电流监测，输入低电压闭锁，自动重新充电和充电已满及开始充电的标志。

CXLB73220是一个完善的单片锂离子电池恒流/恒压线性电源管理芯片。它薄的尺寸和小的外包装使它适用于便携式产品的应用。更值得一提的是，CXLB73220专门设计适用于USB的供电规格。得益于内部的MOSFET 结构，在应用上不需要外部电阻和阻塞二极管。充电电压被限定在4.2V，充电电流通过外部电阻调节。在达到目标充电电压后，当充电电流降低到设定值的1/10
时，CXLB73220就会自动结束充电过程。当输入端（插头或USB提供电源）拔掉后，CXLB73220自动进入低电流状态，电池漏电流将降到1μA 以下。CXLB73220 还可被设置于停止工作状态，
使电源供电电流降到40μA。CXLB73220内置电池反接保护电路，确保了电池接反时芯片自动进入保护状态，确保IC 不被击穿导致电池自放电引起事故。CXLB73220具有外部使能端口，当使能端口接GND 时，芯片停止工作，当使能端口接高电平时，芯片正常充电。其余特性包括：电电流监测，输入低电压闭锁，自动重新充电和充电已满及开始充电的标志。

CXLB73212是可以对单节可充电锂电池进行恒流/恒压充电的充电器电路元器件。该器件内部包括功率晶体管，应用时不需要外部的电流检测电阻和阻流二极管。CXLB73212只需要
极少的外围元器件，并且符合USB 总线技术规范，非常适合于便携式应用的领域。热调制电路可以在器件的功耗比较大或者环境温度比较高的时候将芯片温度控制在安全范围内。内部固定的恒压充电电压为4.2V，也可以通过一个外部的电阻调节。充电电流通过一个外部电阻设置。当输入电压（交流适配器或者USB 电源）掉电时，CXLB73212自动进入低功耗的睡眠模式，此时电池的电流消耗小于0.1μA。当电池电压高于输入电压时,自动关闭内置功率MOSFET。其它功能包括输入电压过低锁存，自动再充电，电池温度监控以及充电状态/充电结束状态指示等功能。CXLB73212可以通过使能引脚关断充电，关断状态下芯片的静态功耗在20uA 以下；CXLB73212采用8 管脚小外形封装DFN2*2-8L。

CXLB73216是可以对单节可充电锂电池进行恒流/恒压充电的充电器电路。该器件内部包括功率晶体管，应用时不需要外部的电流检测电阻和阻流二极管。CXLB73216只需要极少的
外围元器件，并且符合 USB 总线技术规范，非常适合于便携式应用的领域。热调制电路可以在器件的功耗比较大或者环境温度比较高的时候将芯片温度控制在安全范围内。内部固定的恒压充电电压为 4.35V，也可以通过一个外部的电阻调节。充电电流通过一个外部电阻设置。当输入电压（交流适配器或者USB 电源）掉电时，CXLB73216自动进入低功耗的睡眠模式，此时电池的电流消耗小于 0.1µA。内置防反灌保护电路,当电池电压高于输入电压时,自动关闭内置功率 MOSFET。其它功能包括输入电压过低锁存，自动再充电，内置电池温度监控以及充电状态/充电结束状态指示等功能。CXLB73216采用散热增强型的 8 管脚小外形封装 ESOP-8。

CXLB73210是可以对单节可充电锂电池进行恒流/恒压充电的充电器电路。该器件内部包括功率晶体管，应用时不需要外部的电流检测电阻和阻流二极管。CXLB73210只需要极少的
外围元器件，并且符合USB 总线技术规范，非常适合于便携式应用的领域。热调制电路可以在器件的功耗比较大或者环境温度比较高的时候将芯片温度控制在安全范围内。内部固定的恒压充电电压为4.2V，充电电流通过一个外部电阻设置。当输入电压（交流适配器或者USB 电源）掉电时，CXLB73210自动进入低功耗的睡眠模式，此时电池的电流消耗小于3 微安。电池电压高于输入电压时,自动关闭内置功率MOSFET。其它功能包括输入电压过低锁存，自动再充电，充电状态/充电结束状态指示等功能。CXLB73210采用散热增强型的8 管脚小外形封装ESOP8或EMSOP8。

CXAR41326是一款5W (2Ω 负载) ，AB 类/D 类可选音频功率放大器。CXAR41326应用电路简单，只需极少数外围器件。CXAR41326具有过流保护、过温保护、欠压锁定等功能，以及降低EMI 跟“砰砰”噪声抑制功能。CXAR41326使用ESOP8 封装形式，适用于小音量，小体积的便携系统。

CXAS4258是一个双通道单刀双掷 (SPDT) CMOS 模拟开关，适用于语音切换，移动设备等。CXAS4258可在1.8V-5.5V 的电源下工作，工作带宽为300MHz，最低导通电阻为4.5Ω。CXAS4258 可以在一定范围内传输负电平。它单路的两个开关之间的导通电阻失配小于 0.3Ω*，两路之间的开关导通电阻失配小于 0.5Ω。在整个导通范围内，内阻变化不超过 2.3Ω*。(*：以上参数均为在 VDD=5.0V 时测得)

CXHA3161 is with proprietary Hall effect plate and single CMOS output driver, mainly designed for battery–powered,hand-held equipment (such as Cellular and Cordless
Phone, PDA).When north-pole of sufficient strength on chip or south-pole of sufficient strength under chip, the CXHA3161 will turn on the OUT output. When south-pole of sufficient strength on chip or north-pole of sufficient strength under chip, the CXHA3161 will turn on the OUT output.CXHA3161 series have above two kinds Hall effect output,
please select appropriate model for different application.While the magnetic flux density (B) is larger than operate point BOP, the OUT will be turned on (low), the output is
held until B is lower than release point BRP, then turned off(high).

CXHA3159 is with proprietary Hall effect plate and dual CMOS output driver, mainly designed for battery–powered,hand-held equipment (such as Cellular and Cordless
Phone, PDA). When north-pole of sufficient strength on chip or south-pole of sufficient strength under chip, the CXHA3159 will turn on the NOUT output. When south-pole of
sufficient strength on chip or north-pole of sufficient strength under chip, the CXHA3159 will turn on the SOUT output.While the magnetic flux density (B) is larger than operate point BOP(s), the SOUT will be turned on (low),the output is held until B is lower than release point BRP(s),then turned off (high).While the magnetic flux density (B) is larger than
operate point BOP (n), the NOUT will be turned on (low),the output is held until B is lower than release point BRP(n), then turned off (high).

CXHA3157 is with proprietary Hall effect plate and single CMOS output driver, mainly designed for battery–powered,hand-held equipment (such as Cellular and Cordless
Phone, PDA). When north-pole of sufficient strength on chip or south-pole of sufficient strength under chip, the CXHA3157will turn on the NOUT output.While the magnetic flux density (B) is larger than operate point BOP(n), the NOUT will be turned on (low), the output
is held until B is lower than release point BRP(n), then turned off (high).

CXHA3160 is with proprietary Hall effect plate and singleCMOS output driver, mainly designed for battery–powered,hand-held equipment (such as Cellular and Cordless Phone, PDA). When north-pole of sufficient strength on chip or south-pole of sufficient strength under chip, the CXHA3160 will turn on the NOUT output.While the magnetic flux density (B) is larger than operate point BOP(n), the NOUT will be turned on (low), the output is held until B is lower than release point BRP(n), then turned off (high).

CXHA3156 is with proprietary Hall effect plate and singleCMOS output driver, mainly designed for battery–powered,hand-held equipment (such as Cellular and Cordless Phone, PDA). When south-pole of sufficient strength on chip or north-pole of sufficient strength under chip, the
CXHA3156 will turn on the SOUT output.While the magnetic flux density (B) is larger than operate point BOP(s), the SOUT will be turned on (low), the output is held until B is lower than release point BRP(s), then turned off (high).