中文
English
首页
产品中心
电源管理芯片
LED驱动芯片
电池管理与充电
电机与驱动
模拟与混合信号
微控制器与存储
接口与隔离
功率器件
技术资源
产品文档下载
技术方案
芯片目录
常见问题
新闻与动态
公司新闻
行业动态
产品发布
促销活动
旧闻博览
关于我们
客户服务
样品申请
技术支持
反馈建议
资料下载
人才招聘
人才招聘
人才理念
促销活动
产品发布
行业动态
公司新闻
旧闻博览
首页
>
新闻与动态
>
旧闻博览
旧闻博览
USB 输出限流负载开关CXCL6519是一款低压单片N-MOSFET高边电源开关，非常适用于自供电和总线供电的USB应用。CXCL6519 配备一个电荷泵电路来驱动内部MOSFET开关。80mA低导通电阻满足USB压降要求。FLAG引脚输出可 显示故
USB 输出限流负载开关CXCL6519是一款低压单片N-MOSFET高边电源开关，非常适用于自供电和总线供电的USB应用。CXCL6519 配备一个电荷泵电路来驱动内部MOSFET开关。80mA低导通电阻满足USB压降要求。FLAG引脚输出可 显示故障状态给本地USB控制器
2020
2020-04-06 09:43:38
查看详情
Current Limiter CXCL6520 Power Switches with Flag
Current Limiter CXCL6520 Power Switches with Flag
2020
2020-04-06 09:43:38
查看详情
电源分布开关CXCL6522 Power Switches with Fla
电源分布开关CXCL6522 Power Switches with Fla
2020
2020-04-06 09:43:38
查看详情
CXCL6523是一款低压单片N-MOSFET高边电源开关，非常适用于自供电和总线供电的USB应用。CXCL6523 配备一个电荷泵电路来驱动内部MOSFET开关。80mA低导通电阻满足USB压降要求。FLAG引脚输出可 显示故障状态给本地USB控制
CXCL6523是一款低压单片N-MOSFET高边电源开关，非常适用于自供电和总线供电的USB应用。CXCL6523 配备一个电荷泵电路来驱动内部MOSFET开关。80mA低导通电阻满足USB压降要求。FLAG引脚输出可 显示故障状态给本地USB控制器。
2020
2020-04-06 09:43:38
查看详情
超小型封装高精度电压检测器CXDR7543系列是基于CMOS工艺的高精度电压检测器。检测电压由芯片内部固定，精度达±百2.0。有 N沟道开漏输出和CMOS输出两种输出结构。其极小的工作电流和小封装结构用以满足便携设备的应用
超小型封装高精度电压检测器CXDR7543系列是基于CMOS工艺的高精度电压检测器。检测电压由芯片内部固定，精度达±百2.0。有 N沟道开漏输出和CMOS输出两种输出结构。其极小的工作电流和小封装结构用以满足便携设备的应用需求
2020
2020-04-06 09:43:38
查看详情
2MHz, 1.5A 闪光灯驱动CXLE87101是为手机摄像头模块或手持数码相机上使用 的大功率LED闪光灯而设计的DC/DC转换器。其内置 升压DC/DC转换电路具有高达2MHz的开关频率，可 以为便携设备提供极小整体的闪光灯解决方案
2MHz, 1.5A 闪光灯驱动CXLE87101是为手机摄像头模块或手持数码相机上使用 的大功率LED闪光灯而设计的DC/DC转换器。其内置 升压DC/DC转换电路具有高达2MHz的开关频率，可 以为便携设备提供极小整体的闪光灯解决方案
2020
2020-04-06 09:43:38
查看详情
High Power White LED
High Power White LED
2020
2020-04-06 09:43:38
查看详情
超低待机功耗直流转换芯片CXAC8580内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护（外部可调）、过载保护
超低待机功耗直流转换芯片CXAC8580内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护（外部可调）、过载保护、软启动功能
2020
2020-04-06 09:43:38
查看详情
CXAC8581良好的EMI表现由频率调制技术和SoftDriver技术充分保证。该芯片还内置智能高压启动模块。非常适用于DVB领域,提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护，过载保护，软启动功能。通过HI-mode、
CXAC8581良好的EMI表现由频率调制技术和SoftDriver技术充分保证。该芯片还内置智能高压启动模块。非常适用于DVB领域,提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护，过载保护，软启动功能。通过HI-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电
2020
2020-04-06 09:43:38
查看详情
CXAC8586低成本内置高压启动交直流转换芯片,间歇工作模式 能够降低系统处于待机模式时的功耗；抖频技术有助于改善EMI特性。该芯片还内置高压启动模块，保证系统能迅速启动
CXAC8586低成本内置高压启动交直流转换芯片,间歇工作模式 能够降低系统处于待机模式时的功耗；抖频技术有助于改善EMI特性。该芯片还内置高压启动模块，保证系统能迅速启动
2020
2020-04-06 09:43:38
查看详情
CXAC8589 PWM Controller;CXAC8589A PWM Controller
CXAC8589 PWM Controller;CXAC8589A PWM Controller
2020
2020-04-06 09:43:38
查看详情
CXAC8590 CXAC8590A高度集成的电流模式PWM控制芯片，可提供高性能、低待机功耗、低成本的反激应用。 CXAC8590 CXAC8590A内置绿色降频工作模式，根据负载情况调节工作频率，减少了开关损耗，从而获得较低的待机功 耗和较高的
CXAC8590 CXAC8590A高度集成的电流模式PWM控制芯片，可提供高性能、低待机功耗、低成本的反激应用。 CXAC8590 CXAC8590A内置绿色降频工作模式，根据负载情况调节工作频率，减少了开关损耗，从而获得较低的待机功 耗和较高的转换效率。
2020
2020-04-06 09:43:38
查看详情
AC-DC(PSR)原边反馈PSR交直流转换器
AC-DC(PSR)原边反馈PSR交直流转换器
2020
2020-04-06 09:43:38
查看详情
隔离/恒压/恒流/内置MOS/ 原边反馈CXAC8557高精度CC/CV 原边反馈PSR交直流转换器，高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的 充电器和LED照明
隔离/恒压/恒流/内置MOS/ 原边反馈CXAC8557高精度CC/CV 原边反馈PSR交直流转换器，高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的 充电器和LED照明
2020
2020-04-06 09:43:38
查看详情
恒压和恒流可调CXAC8558内置650V高雪崩能力的功率MOSFET,原边反馈和调节可省光耦和TL431,输出线补偿功能 内置原边电感量补偿电路高压启动电路 优异全面的保护功能
恒压和恒流可调CXAC8558内置650V高雪崩能力的功率MOSFET,原边反馈和调节可省光耦和TL431,输出线补偿功能 内置原边电感量补偿电路高压启动电路 优异全面的保护功能
2020
2020-04-06 09:43:38
查看详情
CXAC8559高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的 充电器和LED照明。CXAC8559工作在原边检测和调整模式，可省略光耦和TL431。该芯片提供了极为全面 的自恢复保护功能，包含逐周期过流保护
CXAC8559高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的 充电器和LED照明。CXAC8559工作在原边检测和调整模式，可省略光耦和TL431。该芯片提供了极为全面 的自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短 路保护等
2020
2020-04-06 09:43:38
查看详情
采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准CXAC8561集成超低待机功耗准谐振原边控制器及内置650V高雪崩能力的功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源
采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准CXAC8561集成超低待机功耗准谐振原边控制器及内置650V高雪崩能力的功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源
2020
2020-04-06 09:43:38
查看详情
CXAC8562采用准谐振与多模式技术提高效率并消 除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，集成超低待机功耗准谐振原边控制器及内置650V高雪崩能力的功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源
CXAC8562采用准谐振与多模式技术提高效率并消 除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，集成超低待机功耗准谐振原边控制器及内置650V高雪崩能力的功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源
2020
2020-04-06 09:43:38
查看详情
CXAC8563为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。可实现芯片空载损耗（230VAC)小于30mW.在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消 除音频噪声，使得系统满足6级能效标准
CXAC8563为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。可实现芯片空载损耗（230VAC)小于30mW.在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消 除音频噪声，使得系统满足6级能效标准
2020
2020-04-06 09:43:38
查看详情
CXAC8565内置650V高雪崩能力的功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内 置电源,内置 高压启动电路，可实现芯片空载损耗（264VAC)小于50mW.在恒压模 式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声，使
CXAC8565内置650V高雪崩能力的功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内 置电源,内置 高压启动电路，可实现芯片空载损耗（264VAC)小于50mW.在恒压模 式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准
2020
2020-04-06 09:43:38
查看详情
页次：191/353 每页20 总数7060
首页
上一页
下一页
尾页
转到:
第 1 页
第 2 页
第 3 页
第 4 页
第 5 页
第 6 页
第 7 页
第 8 页
第 9 页
第 10 页
第 11 页
第 12 页
第 13 页
第 14 页
第 15 页
第 16 页
第 17 页
第 18 页
第 19 页
第 20 页
第 21 页
第 22 页
第 23 页
第 24 页
第 25 页
第 26 页
第 27 页
第 28 页
第 29 页
第 30 页
第 31 页
第 32 页
第 33 页
第 34 页
第 35 页
第 36 页
第 37 页
第 38 页
第 39 页
第 40 页
第 41 页
第 42 页
第 43 页
第 44 页
第 45 页
第 46 页
第 47 页
第 48 页
第 49 页
第 50 页
第 51 页
第 52 页
第 53 页
第 54 页
第 55 页
第 56 页
第 57 页
第 58 页
第 59 页
第 60 页
第 61 页
第 62 页
第 63 页
第 64 页
第 65 页
第 66 页
第 67 页
第 68 页
第 69 页
第 70 页
第 71 页
第 72 页
第 73 页
第 74 页
第 75 页
第 76 页
第 77 页
第 78 页
第 79 页
第 80 页
第 81 页
第 82 页
第 83 页
第 84 页
第 85 页
第 86 页
第 87 页
第 88 页
第 89 页
第 90 页
第 91 页
第 92 页
第 93 页
第 94 页
第 95 页
第 96 页
第 97 页
第 98 页
第 99 页
第 100 页
第 101 页
第 102 页
第 103 页
第 104 页
第 105 页
第 106 页
第 107 页
第 108 页
第 109 页
第 110 页
第 111 页
第 112 页
第 113 页
第 114 页
第 115 页
第 116 页
第 117 页
第 118 页
第 119 页
第 120 页
第 121 页
第 122 页
第 123 页
第 124 页
第 125 页
第 126 页
第 127 页
第 128 页
第 129 页
第 130 页
第 131 页
第 132 页
第 133 页
第 134 页
第 135 页
第 136 页
第 137 页
第 138 页
第 139 页
第 140 页
第 141 页
第 142 页
第 143 页
第 144 页
第 145 页
第 146 页
第 147 页
第 148 页
第 149 页
第 150 页
第 151 页
第 152 页
第 153 页
第 154 页
第 155 页
第 156 页
第 157 页
第 158 页
第 159 页
第 160 页
第 161 页
第 162 页
第 163 页
第 164 页
第 165 页
第 166 页
第 167 页
第 168 页
第 169 页
第 170 页
第 171 页
第 172 页
第 173 页
第 174 页
第 175 页
第 176 页
第 177 页
第 178 页
第 179 页
第 180 页
第 181 页
第 182 页
第 183 页
第 184 页
第 185 页
第 186 页
第 187 页
第 188 页
第 189 页
第 190 页
第 191 页
第 192 页
第 193 页
第 194 页
第 195 页
第 196 页
第 197 页
第 198 页
第 199 页
第 200 页
第 201 页
第 202 页
第 203 页
第 204 页
第 205 页
第 206 页
第 207 页
第 208 页
第 209 页
第 210 页
第 211 页
第 212 页
第 213 页
第 214 页
第 215 页
第 216 页
第 217 页
第 218 页
第 219 页
第 220 页
第 221 页
第 222 页
第 223 页
第 224 页
第 225 页
第 226 页
第 227 页
第 228 页
第 229 页
第 230 页
第 231 页
第 232 页
第 233 页
第 234 页
第 235 页
第 236 页
第 237 页
第 238 页
第 239 页
第 240 页
第 241 页
第 242 页
第 243 页
第 244 页
第 245 页
第 246 页
第 247 页
第 248 页
第 249 页
第 250 页
第 251 页
第 252 页
第 253 页
第 254 页
第 255 页
第 256 页
第 257 页
第 258 页
第 259 页
第 260 页
第 261 页
第 262 页
第 263 页
第 264 页
第 265 页
第 266 页
第 267 页
第 268 页
第 269 页
第 270 页
第 271 页
第 272 页
第 273 页
第 274 页
第 275 页
第 276 页
第 277 页
第 278 页
第 279 页
第 280 页
第 281 页
第 282 页
第 283 页
第 284 页
第 285 页
第 286 页
第 287 页
第 288 页
第 289 页
第 290 页
第 291 页
第 292 页
第 293 页
第 294 页
第 295 页
第 296 页
第 297 页
第 298 页
第 299 页
第 300 页
第 301 页
第 302 页
第 303 页
第 304 页
第 305 页
第 306 页
第 307 页
第 308 页
第 309 页
第 310 页
第 311 页
第 312 页
第 313 页
第 314 页
第 315 页
第 316 页
第 317 页
第 318 页
第 319 页
第 320 页
第 321 页
第 322 页
第 323 页
第 324 页
第 325 页
第 326 页
第 327 页
第 328 页
第 329 页
第 330 页
第 331 页
第 332 页
第 333 页
第 334 页
第 335 页
第 336 页
第 337 页
第 338 页
第 339 页
第 340 页
第 341 页
第 342 页
第 343 页
第 344 页
第 345 页
第 346 页
第 347 页
第 348 页
第 349 页
第 350 页
第 351 页
第 352 页
第 353 页
中文
English
