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多功能恒流手电筒专用芯片 CXLE87128可以控制LED在全亮、半亮、弱光、爆闪和SOS等状态之间依次循环,非常适合手电筒的应用恒定电流输出,并且电流可以调整,可以用来驱动包括白光发光二极管在内的各类发光二极管两个引脚OP
多功能恒流手电筒专用芯片 CXLE87128可以控制LED在全亮、半亮、弱光、爆闪和SOS等状态之间依次循环,非常适合手电筒的应用恒定电流输出,并且电流可以调整,可以用来驱动包括白光发光二极管在内的各类发光二极管两个引脚OPT1和OPT2提供4种不同的 工作模式进行选择,芯片内部集成有功率晶体管,手电筒功能上外围非常简单。芯片内部还集
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2020-04-06 09:43:38
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线性恒流LED驱动芯片内建基准电压源及电流驱动电路CXLE87129具有极好的负载与电源调整率及极小的输出电流误差,CXLE87129能使LED的电流非常稳定,甚至在大面积的光源上,电源及负载波动范围大时都能让LED亮度均匀一致,并增
线性恒流LED驱动芯片内建基准电压源及电流驱动电路CXLE87129具有极好的负载与电源调整率及极小的输出电流误差,CXLE87129能使LED的电流非常稳定,甚至在大面积的光源上,电源及负载波动范围大时都能让LED亮度均匀一致,并增长LED使用寿命VCC脚可以充当输出使能功能使用,可配合数位PWM控制线路,达到更精确的灰度电流调整应用。
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四路单灯手电筒控制芯片CXLE87130 CXLE87131专用于LED手电筒设计的专用集成电路,采用最先进的控制技术和宽电压设计方案,工 作电压可达2.5V~5.5V有全亮、半亮、快闪、慢闪和SOS等功能,两个引脚OPT1和OPT2提供四种不同的工
四路单灯手电筒控制芯片CXLE87130 CXLE87131专用于LED手电筒设计的专用集成电路,采用最先进的控制技术和宽电压设计方案,工 作电压可达2.5V~5.5V有全亮、半亮、快闪、慢闪和SOS等功能,两个引脚OPT1和OPT2提供四种不同的工作模式 进行选择,四路独立输出信号LED1~LED4,可通外扩功率PMOS管,驱动3W或3W以上的LED灯应用
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多种波特率选择滚动码编码芯片CXRT2121可编程64位加密密钥可编程64位加密密钥 无重复编码可编程64位加密密钥 无重复编码 片内集成振荡器4路按钮,15种按键组合超低等特点。芯片内部采用64位加密技术无法破解EEPROM数据
多种波特率选择滚动码编码芯片CXRT2121可编程64位加密密钥可编程64位加密密钥 无重复编码可编程64位加密密钥 无重复编码 片内集成振荡器4路按钮,15种按键组合超低等特点。芯片内部采用64位加密技术无法破解EEPROM数据能够保存10年以上
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红外热释电专用芯片CXRT2122 CXRT2123热释电红外传感器信号放大及处理输出的数模混合专用芯片,内部集成了运算放大 器、双门限电压比较器、参考电压源、延时时间定时器和封锁时间定时器及状态控制器等,专用于防盗报 警
红外热释电专用芯片CXRT2122 CXRT2123热释电红外传感器信号放大及处理输出的数模混合专用芯片,内部集成了运算放大 器、双门限电压比较器、参考电压源、延时时间定时器和封锁时间定时器及状态控制器等,专用于防盗报 警系统、人体门控制装置、照明控制开关等场合电源工作电压为+3V~+6V,采用 COMS 工艺数模混合相结合的集成电路,8
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CMOS数模混合专用集成电路热释电红外传感信号处理器 CXRT2124较高性能的传感器信号处理集成电路。它配以热释电红外传感器和少量外接元器件构成被动式的热释电红外开关。它能自动快速开启各类白炽灯、荧光灯、蜂鸣器
CMOS数模混合专用集成电路热释电红外传感信号处理器 CXRT2124较高性能的传感器信号处理集成电路。它配以热释电红外传感器和少量外接元器件构成被动式的热释电红外开关。它能自动快速开启各类白炽灯、荧光灯、蜂鸣器、自动门、电风扇、烘干机和自动选手池等装置,特别适用于企业、宾馆、商场、库房及家庭的过道走廊等敏感区域
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单通道功MOSFET驱动芯片CXLE82104单通道高性价比的功率MOSFET管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动专用芯片,内部 集成了输入逻辑信号处理电路、快速比较器、SD 快速关断处理电路及大电流输出驱动电路专用于电源转换
单通道功MOSFET驱动芯片CXLE82104单通道高性价比的功率MOSFET管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动专用芯片,内部 集成了输入逻辑信号处理电路、快速比较器、SD 快速关断处理电路及大电流输出驱动电路专用于电源转换器及电机控制器等的功率 MOSFET管驱动器独立的拉电流和灌电流输出结构可独立调节上升沿和下降沿时间源出峰值
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大功率MOS管IGBT管栅极驱动芯片 CXLE82105 高端的工作电压可达120V,Vcc 的电源电压范围宽8V~30V,静态功耗低仅3.5mA闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道LIN 内建了上拉5V 高电位和HIN 内建了一个10K 下拉电阻, 在输入
大功率MOS管IGBT管栅极驱动芯片 CXLE82105 高端的工作电压可达120V,Vcc 的电源电压范围宽8V~30V,静态功耗低仅3.5mA闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道LIN 内建了上拉5V 高电位和HIN 内建了一个10K 下拉电阻, 在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信
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源出峰值驱动电流达1A和吸入峰值驱动电流达1.2A单通道功率MOSFET驱动芯片 CXLE82106是一款单通道高性价比的功率MOSFET管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动专用芯片,内部集成了输入逻辑信号处理电路、SD快速关断处理
源出峰值驱动电流达1A和吸入峰值驱动电流达1.2A单通道功率MOSFET驱动芯片 CXLE82106是一款单通道高性价比的功率MOSFET管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动专用芯片,内部集成了输入逻辑信号处理电路、SD快速关断处理电路及大电流输出驱动电路,专用于电源转换器及电机控制器等的功率MOSFET管驱动器。独立地调节输入到MOSFET管
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内建死区控制电路大功率MOS管IGBT管栅极驱动芯片 CXLE82107高端的工作电压可达100V,Vcc 的电源电压范围宽11V~30V,静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有 闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN和LIN内建了一个10K下拉电阻
内建死区控制电路大功率MOS管IGBT管栅极驱动芯片 CXLE82107高端的工作电压可达100V,Vcc 的电源电压范围宽11V~30V,静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有 闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN和LIN内建了一个10K下拉电阻, 在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态,输出结构采用半桥式达林顿管结构
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高端悬浮自举电源设计,耐压可达100V CXLE82108自带闭锁功能,彻底杜绝上、下管输出同时导通采用半桥达林顿管输出结构具有1A 大电流栅极驱动能力专用于无刷电机N 沟道MOS 管、IGBT 管栅极驱动HIN 输入通道高电平有效,控制
高端悬浮自举电源设计,耐压可达100V CXLE82108自带闭锁功能,彻底杜绝上、下管输出同时导通采用半桥达林顿管输出结构具有1A 大电流栅极驱动能力专用于无刷电机N 沟道MOS 管、IGBT 管栅极驱动HIN 输入通道高电平有效,控制高端HO 输出LIN 输入通道低电平有效,控制低端LO 输出
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大功率MOS管IGBT管栅极驱动芯片CXLE82109逻辑信号输入处理电 路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器 中的驱动电路在输入悬空时使上、下 功率 MOS 管处于关闭
大功率MOS管IGBT管栅极驱动芯片CXLE82109逻辑信号输入处理电 路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器 中的驱动电路在输入悬空时使上、下 功率 MOS 管处于关闭状态,输出结构采用半桥式达林顿管结构
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高端悬浮自举电源设计耐压可达600V CXLE82110闭锁功能防止输出功率管同时导通, 输入通道HIN和LIN内建了一个200K下拉电阻, 在输入悬空时使上下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 1/1.5A
高端悬浮自举电源设计耐压可达600V CXLE82110闭锁功能防止输出功率管同时导通, 输入通道HIN和LIN内建了一个200K下拉电阻, 在输入悬空时使上下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 1/1.5A
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最高频率支持 500KHZ CXLE82111适应 5V、 3.3V 输入电压低端 VCC 电压范围 2.8V-20V内建死区控制电路自带闭锁功能,彻底杜绝上、下管输出同时导通静态电流小于 5uA,非常适合电池场合内部集成了逻辑信号输入处理电 路、
最高频率支持 500KHZ CXLE82111适应 5V、 3.3V 输入电压低端 VCC 电压范围 2.8V-20V内建死区控制电路自带闭锁功能,彻底杜绝上、下管输出同时导通静态电流小于 5uA,非常适合电池场合内部集成了逻辑信号输入处理电 路、 死区时控制电路、 闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路, 专用于无刷电机控制器 中的驱动电
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三相半桥电路驱动芯片 CXLE82112 是用作 N 型功率 MOSFET 和 IGBT 等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路,主要包含三个独 立的半桥驱动电路。 内置死区时间,可确保功率管上下桥臂不会同时导通。内置输入信号滤波,防止
三相半桥电路驱动芯片 CXLE82112 是用作 N 型功率 MOSFET 和 IGBT 等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路,主要包含三个独 立的半桥驱动电路。 内置死区时间,可确保功率管上下桥臂不会同时导通。内置输入信号滤波,防止噪声 干扰。提供外部使能控制可同时关断六通道输出。 此外,它还具有欠压保护和过流保护功能,出现异常时 立即
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三相独立半桥驱动芯片CXLE82113高性价比的大功率MOS IGBT栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处 理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路闭锁功能防止输出功率管同时导通,输
三相独立半桥驱动芯片CXLE82113高性价比的大功率MOS IGBT栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处 理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN和LIN内建了一个下拉和上拉电阻, 在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态
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两路半桥驱动电路芯片CXLE82114内部集成了5V的LDO、一个运放、一个比较器、逻辑信号输入处理电路、 死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,更适合用于全桥拓扑电路。高端的工作电压可
两路半桥驱动电路芯片CXLE82114内部集成了5V的LDO、一个运放、一个比较器、逻辑信号输入处理电路、 死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,更适合用于全桥拓扑电路。高端的工作电压可达 600V,低端 Vcc 的电源电压范围宽 2.8V~20V
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CXLE82115 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动
CXLE82115 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路高端的工作电压可达 300V,低端 Vcc 的电源电压范围宽 11V~20V,静态功耗小于5uA。该芯片具有闭锁功能防止输
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带SD功能MOS管驱动芯片 CXLE82116是一款高性价比的带SD功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器、电源
带SD功能MOS管驱动芯片 CXLE82116是一款高性价比的带SD功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器、电源 DC-DC中的驱动电路高端的工作电压可达600V,低端Vcc的电源电压范围宽2.8V~20V,静态功耗小于1uA
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带SD功能双路驱动芯片 CXLE82117内部集成了逻辑信号输入处理电路、 电平位移电路、输出驱动电路,用于电机控制器、电源、变压器中的驱动电路电源电压范围宽2.8V~20V,静态功耗小于1uA。该芯片输入通道INA以及INB各内建了
带SD功能双路驱动芯片 CXLE82117内部集成了逻辑信号输入处理电路、 电平位移电路、输出驱动电路,用于电机控制器、电源、变压器中的驱动电路电源电压范围宽2.8V~20V,静态功耗小于1uA。该芯片输入通道INA以及INB各内建了一个200K下拉电阻;SD内建了一个200K下拉电阻,在SD输入悬空时,不影响 OUTA 与 OUTB 的输出
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