FM25V02A 256 Kb SPI 串行 F-RAM

Cypress 的 FM25V02A 是一款采用先进的铁电体工艺制造的 256 Kb 非易失性存储器。 F-RAM 是非易失性的，执行读写操作类似于 RAM。 该器件提供了可靠的数据保留，同时消除了串行闪存、EEPROM 和其它非易失性存储器存在的复杂性、开销和系统级可靠性问题。

与串行闪存和 EEPROM 不同，FM25V02A 以总线速度执行写操作。 不会产生写入延迟。 每个字节成功传输到器件后，数据会立即写入存储器阵列。 无需进行数据轮询即可开始下一个总线周期。 此外，相比其它非易失性存储器，该产品具有足够的写入耐久性。 FM25V02A 能支持 10¹⁴ 读/写循环，写周期比 EEPROM 多 1 亿次。

这些功能使得 FM25V02A 成为需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用的理想选择。 具体应用实例如，从写循环次数可能比较关键的数据记录，到苛刻的工业控制，对于后者来说，串行闪存或 EEPROM 的长写入时间会造成数据丢失。

作为硬件直接替代品，FM25V02A 为串行 EEPROM 或闪存用户提供了显著的优势。 FM25V02A 采用高速 SPI 总线，可增强 F-RAM 技术的高速写入功能。 该器件加入了一个只读器件 ID，允许主机来确定制造商、产品密度和产品版本。 在 -40°C 至 85°C 的工业温度范围内器件技术规格是有保证的。

FM25V01A 是 128 Kb (16 K x 8) (SPI) 的串行 F-RAM 版本。