STripFET F7 系列功率 MOSFET

ST 的 STripFET F7 系列低压 MOSFET 采用增强型沟槽栅极结构，在降低器件导通电阻的同时还降低了内部电容和栅极电荷，以实现更快、更高效的开关操作。 其出色的品质因数 (FoM) 和高雪崩稳固性有助于简化设计、减小器件尺寸和成本并提升应用可靠性，如电信或计算系统、太阳能逆变器、工业自动化和汽车应用等。

相比以前的 STripFET F4 和 F3 系列，全新的 F7 系列具有更低的芯片面积导通电阻。 这样，又能通过减少并联器件降低设计人员对高功率设计的需求。

采用 H2PAK 封装的 80 V STripFET F7 MOSFET 用于高电流电机控制设计，具有 1.7 mΩ 导通电阻和高达 200 A 的电流能力。

增加了您下一个高电流电机控制设计的能效，带有 ST 最新的 80 V STripFET F7 MOSFET，组装在高电流（高达 200 A）、低热阻 2 和 6 引线 H2PAK 封装中。 它们将极低的导通电阻 (1.7 mΩ) 与经过优化的开关性能结合在一起，满足严格的能效要求，具有出色的 EMI 性能和高雪崩稳固性，适合坚固型设计（STH270N8F7-2 和 STH270N8F7-6）。

特性和优势

• 市面上最小的 R_DS(ON)
• 最小的 R_DS(ON) x Q_g，可提升系统能效、实现更紧凑的设计
• 最低 C_rss/C_iss 比率，以增强抗 EMI 性能
• 高雪崩稳固性