极低的导通电阻高密度的单元设计,高级的加工技术,20V P沟道增强型MOS场效应管CXMS5254,CXMS5255

发布时间:2020-04-06 09:43:38 浏览次数:703 作者:oumao18 来源:嘉泰姆
极低的导通电阻高密度的单元设计,高级的加工技术,20V P沟道增强型MOS场效应管CXMS5254,CXMS5255

目录

   产品概述 返回TOPCNE嘉泰姆


RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-1.0A = 48mΩ@TYP 

RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-0.5A = 75mΩ@TYP

blob.pngCNE嘉泰姆

   产品特点 返回TOPCNE嘉泰姆


 高级的加工技术 CNE嘉泰姆

 极低的导通电阻高密度的单元设计</p>

   应用范围 返回TOPCNE嘉泰姆


  笔记本、便携式设备等</span>CNE嘉泰姆

   技术规格书(产品PDF) 返回TOP CNE嘉泰姆


     需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持</span>!</span>
CNE嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpgCNE嘉泰姆

产品封装图&nbsp;返回TOPCNE嘉泰姆


blob.pngCNE嘉泰姆

电路原理图&nbsp;返回TOPCNE嘉泰姆

CNE嘉泰姆


CNE嘉泰姆

blob.png

相关芯片选择指南 返回TOP               更多同类产品......


CNE嘉泰姆

MOSFET类   MOSFET CLASS>>>MOS管 MOS TUBECNE嘉泰姆

型号CNE嘉泰姆

功能CNE嘉泰姆

适用范围CNE嘉泰姆

封装CNE嘉泰姆

CXMS5264CNE嘉泰姆

18V P 沟道增强型 MOS 场效应管CNE嘉泰姆

电源管理、小功率驱动等</span>CNE嘉泰姆

SOT23-3CNE嘉泰姆

CXMS5254CNE嘉泰姆

P 沟道增强型 MOS 场效应管CNE嘉泰姆

笔记本、便携式设备等</span>CNE嘉泰姆

SOT23-3CNE嘉泰姆

CXMS5256CNE嘉泰姆


电源管理、小功率驱动等</span>CNE嘉泰姆

SOT23-3CNE嘉泰姆

CXMS5266CNE嘉泰姆

30V P 沟道 MOS 场效应管CNE嘉泰姆

笔记本、便携式设备等</span>CNE嘉泰姆

SOT-23CNE嘉泰姆

CXMS5268CNE嘉泰姆

20V P 沟道增加型 MOS 场效应管CNE嘉泰姆

TFT屏、数码相机、便携式小音响等CNE嘉泰姆

SOP-8CNE嘉泰姆

CXMS5255CNE嘉泰姆

P 沟道增强型 MOS 场效应管CNE嘉泰姆

笔记本、便携式设备等</span>CNE嘉泰姆

SOT23CNE嘉泰姆

CXMS5251CNE嘉泰姆

-30V P 沟道增强型   MOS 场效应管
CNE嘉泰姆

LED屏驱动等CNE嘉泰姆

SOT23-6CNE嘉泰姆

CXMS5271CNE嘉泰姆

20V 高密度 P 沟道 MOS 管</span>CNE嘉泰姆

笔记本、便携式设备等</span>CNE嘉泰姆

SOP-8CNE嘉泰姆

CXMS5261CNE嘉泰姆

30V P 沟道增加型 MOS 场效应管CNE嘉泰姆

电源管理、小功率驱动等&nbsp;CNE嘉泰姆

SOP-8 CNE嘉泰姆

CXMS5262CNE嘉泰姆

双重增强型 MOSFET(N-P 沟道)CNE嘉泰姆

笔记本电脑的电源管理系统、便携式设备和供电系统</span>CNE嘉泰姆

SOP-8CNE嘉泰姆

CXMS5252CNE嘉泰姆

20V P 沟道增强型 MOS 场效应管CNE嘉泰姆

LED屏驱动等CNE嘉泰姆

SOP-8CNE嘉泰姆

CXMS5252CCNE嘉泰姆

30V P 沟道增强型 MOS 场效应管CNE嘉泰姆

LED屏驱动等CNE嘉泰姆

SOP-8CNE嘉泰姆

CXMS5252LCNE嘉泰姆

30V P 沟道增强型 MOS 场效应管CNE嘉泰姆

LED屏驱动等CNE嘉泰姆

SOP-8CNE嘉泰姆

文章标签

暂无标签

发表评论

共有条评论
用户名: 密码:
验证码: 匿名发表