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EnglishCXMS5104单通道高性价比的功率 MOSFET 管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动专用芯片，内部集成了输入逻辑信号处理电路、SD 快速关断处理电路及大电流输出驱动电路，专用于电源转换器及电机控制器等的功率 MOSFET 管驱动器。电源电压范围宽 3V～30V，静态功耗低仅 2mA，输出结构具有独立的源出电流 OUTD 端和吸入电流 OUTS 端引脚，可以用
目录
1.产品概述 2.产品特点
3.应用范围 4.下载产品资料PDF文档
5.产品封装图</span> 6.电路原理图</span>
7.功能概述 8.相关产品
一,产品概述(General Description)
CXMS5104是一款单通道高性价比的功率 MOSFET 管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动专用<a href="http://www.jtm-ic.com/a/xinwenzhongxin/xingyexinwen/2015/0707/11.html" target="_blank" style="padding: 0px; margin: 0px; color: rgb(37, 110, 177); text-decoration: none;">芯片，内部集成了输入逻辑信号处理电路、SD 快速</span>关断处理电路及大电流输出驱动电路，专用于电源转换器及电机控制器等的功率 MOSFET 管驱动器。<br style="padding: 0px; margin: 0px;"/> CXMS5104电源电压范围宽 3V～30V，静态<a href="http://www.jtm-ic.com/a/xinwenzhongxin/xinpinjishu/" target="_blank" style="padding: 0px; margin: 0px; color: rgb(37, 110, 177); text-decoration: none;">功耗</span>低仅 2mA，输出结构具有独立的源出电流 OUTD 端和吸入电流 OUTS 端引脚，可以用来独立地调节输入到 MOSFET 管 G 极的上升沿时间和下降沿时间。
二</span>.产品特点(Features)
源出峰值驱动电流达 1A 和吸入峰值驱动电流达 1.2A
宽电压输入范围：+3V - +30V
输入端 IN 可承受最高为+30V 的输入电压<br style="padding: 0px; margin: 0px;"/>低输入供电电流：
逻辑 1 输入— 200uA（典型值）
逻辑 0 输入— 0uA（典型值）
独立的拉电流和灌电流输出结构可独立调节上升沿和下降沿时间
SD 引脚实现逐周关断控制，可用于短路或过流保护处理电路<br style="padding: 0px; margin: 0px;"/>封装形式：SOP-8
三</span>,应用范围 (Applications)
电机驱动器<br style="padding: 0px; margin: 0px;"/>逆变器<br style="padding: 0px; margin: 0px;"/>步进电机驱动
DC/DC 转换器<br style="padding: 0px; margin: 0px;"/>驱动大功率双极型晶体管<br style="padding: 0px; margin: 0px;"/>UPS 不间断电源<br style="padding: 0px; margin: 0px;"/>Class-D 功率放大器</span>
开关电源<br style="padding: 0px; margin: 0px;"/>脉冲变压器驱动器
无刷风扇
四.产品资料PDF文档
需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持</span>！</span>
引脚序号 | 引脚名称 | I/O | 描述 |
1 | NC | NC | 空脚 |
2 | IN | I | 驱动输入信号，控制 MOSFET 管的导通与截止，输入电压范围为-0.3V~+Vcc ：<br style="padding: 0px; margin: 0px;"/>“0”是关闭功率 MOSFET 管<br style="padding: 0px; margin: 0px;"/>“1”是开启功率 MOSFET 管</p> |
3 | SD | I | 驱动输出关断控制脚： |
4 | NC | NC | 空脚 |
5 | GND | GND | 输入、输出公共地端，必须靠近被驱动的 MOSFET 源极 |
6 | OUTS | O | 驱动输出吸入端,能吸入 1.2A 的灌电流输出能力 |
7 | OUTD | O | 驱动输出源出端,能源出 1A 的拉电流输出能力 |
8 | Vcc | Power | 芯片工作电源及 MOSFET 驱动电源，电压范围为 3V 至 30V |
七</span>,功能概述
符号 | 参数名称 | 测试条件 | 最小</p> | 最大</p> | 单位 |
输出端</p> | OUTD | - | -0.3 | 35 | V |
输出端</p> | OUTS | - | -0.3 | 35 | V |
电源 | VCC | - | -0.3 | 35 | V |
逻辑信号输入高<br style="padding: 0px; margin: 0px;"/>电平 | IN | - | -0.3 | 35 | V |
逻辑信号输入低<br style="padding: 0px; margin: 0px;"/>电平 | IN | - | -0.3 | 35 | V |
SD 控制端</p> | SD | - | -0.3 | 7 | V |
TA | 环境温度 | - | -45 | 85 | ℃</p> |
Tstr | 储存温度 | - | -65 | 125 | ℃</p> |
TL | 焊接温度 | T=10S | - | 300 | ℃</p> |
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半桥输出大功率MOS管/IGBT驱动IC | |||||||||
型号 | 工作电压 | 静态电流</span> | I/O拉电流</span> | I/O灌电流</span> | 上升时间 | 下降时间 | 开延时 | 关延时</span> | 封装 |
10V-20V/高端工作电压120V | 150uA | 0.45A | 0.9A | 70nS | 60nS | 120nS | 120nS | SOP8 | |
11V-30V/高端工作电压100V | 4.5mA | 0.8A | 1A | 400nS | 200nS | 300nS | 400nS | SOP8 | |
11V-30V/高端工作电压100V | 4.5mA | 0.8A | 1A | 400nS | 200nS | 300nS | 400nS | SOP8 | |
10V-20V/高端工作电压600V | 150uA | 0.3A | 0.6A | 60nS | 35nS | 500nS | 500nS | SOP8 | |
10V-20V/高端工作电压600V | 150uA | 0.3A | 0.6A | 90nS | 40nS | 20nS | 20nS | SOP8 | |
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型号 | 工作电压 | 静态电流</span> | I/O拉电流</span> | I/O灌电流</span> | 上升时间 | 下降时间 | 开延时 | 关延时</span> | 封装 |
3V-30V | 2mA | 1A | 1.2A | 80nS | 20nS | 200nS | 80nS | SOP8 | |
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