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EnglishP 沟道增强型场效应管 CXCP5363B CXCP5363 低导通电阻 高可靠性 驱动要求简单 2.5V 驱动
一,产品概述(General Description)
Vdss=-20V
Vgss=±12V
Id=-1.1A
Idm=-2.4A
Is=-0.26A
封装形式:SOT-523
VDSS | ID | RDS(ON)(mΩ)TYP |
-20V | -0.45A | 300 @ VGS=-4.5V |
-0.35A | 450 @ VGS=-2.5V |
二</span>.产品特点(Features)
低</span>导通电阻</span>
高</span>可靠性</span>
驱动要求简单
2.5V 驱动
采用 SOT-523 封装
三</span>,应用范围 (Applications)
四.下载产品资料PDF文档
需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持</span>！</span>
五,产品封装图 (Package)
六.电路原理图</span>
七</span>,功能概述
参数 | 符号 | 条件 | 最小</p> | 典型 | 最大</p> | 单位 |
静态特性</p> | ||||||
漏源击穿电压 | V(BR)DSS | VGS=0V, ID=-250μA | -20 | V | ||
栅极阈值电压</p> | VGS(th) | VDS=VGS, ID=-250μA | -0.35 | -1 | V | |
栅－衬漏电流 | IGSS | VDS =0V, VGS=±12V | ±100 | nA | ||
零栅压漏电流 | IDSS | VDS=-20V, VGS=0V | -1 | μA | ||
VDS=-20V, VGS=0V | -5 | |||||
通态漏电流 | ||||||
ID(ON) | VDS≤-4.5V,VGS=-5V | -0.7 | A | |||
漏源通态电阻</p> | RDS(ON) | VGS=-4.5V, ID=-0.45A | 0.23 | 0.3 | Ω | |
VGS=-2.5V, ID=-0.35A | 0.37 | 0.45 | ||||
VGS=-1.8V, ID=-0.25A | ||||||
0.51 | 0.58 | |||||
正向跨导 | ||||||
gfs | VDS=-10V, ID=-0.25A | 1 | S | |||
漏源二极管正向电压</p> | VSD | VGS=0V,Is=-0.15A | -0.8 | -1.2 | V | |
动态特性</p> | ||||||
栅极总电荷</p> | Qg | VDS=-10V,ID=-0.6A | 1.5 | 2 | nC | |
栅源电荷 | Qgs | VGS=-4.5V | 0.3 | |||
栅漏电荷 | ||||||
Qgd | 0.35 | |||||
开通延迟时间</p> | ||||||
td (ON) | VDD=-10V | 5 | 10 | ns | ||
VGEN=-4.5V | ||||||
上升时间 | ID=-0.4A | tr | 15 | 25 | ||
关断延迟时间 | RL=10Ω | |||||
td (OFF) | RG=6Ω | 8 | 15 | |||
下降时间 | ||||||
tf | 1.4 | 1.8 | ||||
产品名称 | Vdss(V) | Vgss(V) | Id(A) | Idm(A) | Is(A) | 封装形式 |
-30 | ±20 | -4.4 | -30 | -1 | SOT-23-3 | |
-20 | ±12 | -1.1 | -2.4 | -0.26 | SOT-523 | |
-20 | ±12 | -0.8 | -2.8 | -0.58 | SOT-23-3 | |
-20 | ±12 | -0.8 | -1.8 | -0.58 | SOT-23-3 | |
-20 | ±12 | -3.6 | -11 | -1.25 | SOT-23-3 |
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