CXLE83209MD 带记忆开关调色调亮控制芯片:双路功率叠加调色温,三段记忆调光,重塑墙壁开关照明体验

发布时间:2026-04-07 10:42:41 浏览次数:1 作者:嘉泰姆 来源:产品笔记
摘要:CXLE83209MD 是一款带记忆功能的开关调色调亮控制器,集成两个开漏输出控制端口 P1/P2,可以控制双路/四路电源实现三段带记忆的功率叠加开关调色调亮(混色时亮度变化)。芯片内部设定状态切换窗口时间 Tsw,典型值 3.3S。关灯时间小于状态切换窗口时间开灯切换色温;关灯时间超过状态切换窗口时间芯片会记住关灯前的状态,下次开灯时直接呈现关灯前的状态,增加了使用的便利性。 CXLE83209MD 通过检测 AC 信号判断开关机状态,根据内部逻辑控制后端电源的启动和关闭,确保多个电源同时应用时的逻辑一致性,光源铝基板漏电情况下状态仍可正常切换。CXLE83209MD 采用 SOT23-6 封装。
CXLE83209MD 带记忆开关调色调亮控制芯片:双路功率叠加调色温,三段记忆调光,重塑墙壁开关照明体验

CXLE83209MD

带记忆功能的开关调色调亮控制器 · 集成双路开漏输出 · 三段功率叠加调色温

概述

CXLE83209MD 是一款带记忆功能的开关调色调亮控制器,集成两个开漏输出控制端口 P1/P2,可以控制双路/四路电源实现三段带记忆的功率叠加开关调色调亮(混色时亮度变化)。芯片内部设定状态切换窗口时间 Tsw,典型值 3.3S。关灯时间小于状态切换窗口时间开灯切换色温;关灯时间超过状态切换窗口时间芯片会记住关灯前的状态,下次开灯时直接呈现关灯前的状态,增加了使用的便利性。kve嘉泰姆

CXLE83209MD 通过检测 AC 信号判断开关机状态,根据内部逻辑控制后端电源的启动和关闭,确保多个电源同时应用时的逻辑一致性,光源铝基板漏电情况下状态仍可正常切换。CXLE83209MD 采用 SOT23-6 封装。kve嘉泰姆

特点

  • 控制双路/四路电源实现功率叠加开关调色调亮
  • 调色顺序:L1 → L2 → L1+L2
  • 带状态记忆功能,使用更加便利
  • 状态存储时间超过10年
  • 开关次数可达10万次以上(记忆功能正常)
  • 内置1S内开关两次复位功能
  • 状态切换窗口时间内部计时3.3S
  • 光源铝基板漏电情况下可正常切换状态

应用领域

中大功率调色温吸顶灯电源,LED 智能调光调色灯具,双色温驱动控制。kve嘉泰姆

图1 CXLE83209MD 典型应用示意图
CXLE83209MD 典型应用示意图
 
  AC输入 ──┬── 整流滤波 ───┬── 高压供电电阻 ──┬── VCC (CXLE83209MD)
           │                │
           └── 分压电阻网 ──┴── CLK (检测脚)
           
    P1 ──┬── 限流电阻 ── 电源芯片EN1 ── LED光源 L1
    P2 ──┴── 限流电阻 ── 电源芯片EN2 ── LED光源 L2
           
   注: VDD电容2.2uF紧靠芯片VDD/GND, 供电电流建议>0.4mA
            
图1 典型应用连接示意 (控制两路独立LED驱动器实现三段调色)

订购信息

定购型号 封装 包装形式 打印标记
CXLE83209MD SOT23-6 卷盘  3000颗/盘 CXLE83209MD

管脚封装

图2 管脚封装图 (SOT23-6 顶视图)kve嘉泰姆
图2 管脚封装图 (SOT23-6 顶视图)
1 P2 2 GND 3 VCC 6 P1 5 CLK 4 VDD SOT23-6
引脚顺序(俯视): 1-P2, 2-GND, 3-VCC, 4-VDD, 5-CLK, 6-P1

管脚描述

管脚号 管脚名称 描述
1 P2 控制脚2 (Open Drain)
2 GND 信号和功率地
3 VCC 芯片外部供电脚
4 VDD 芯片内部供电脚
5 CLK 信号检测脚 (AC开关检测)
6 P1 控制脚1 (Open Drain)

应用极限参数 (注1)

符号 参数 参数范围 单位
VCC 芯片外部供电脚电压范围 -0.3 ~ 9 V
VDD 芯片内部供电脚电压范围 -0.3 ~ 9 V
CLK 芯片开关检测脚电压范围 -0.3 ~ 9 V
P1/P2 芯片控制脚电压范围 -0.3 ~ 9 V
PDMAX 功耗 (注2) 0.3 W
θJA PN结到环境的热阻 240 ℃/W
TJ 工作结温范围 -40 ~ 150
TSTG 储存温度范围 -55 ~ 150
注1:最大极限值是指超出该工作范围,芯片有可能损坏。推荐工作范围是指在该范围内,器件功能正常,但并不完全保证满足个别性能指标。kve嘉泰姆
注2:最大允许功耗由 TMAX、θJA 和环境温度 TA 所决定,PDMAX = (TMAX - TA)/θJA

电气参数

(无特别说明情况下,VCC = 5V,TA = 25℃)kve嘉泰姆

描述 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位
供电脚限制电压 VCCI VCC=1mA 4.7 5.2 5.7 V
内部供电电压 VDD IVCC=1mA 4.5 5.0 5.5 V
工作电流 IVCC VCC=5V - 0.2 - mA
VCC开启电压 Uvlo_on - - 3.3 - V
VCC关断电压 Uvlo_off - - 1.5 - V
检测阈值电压 CLK(th) - - 2.7 - V
检测脚输入电阻 Rclk - - 40 -
最小有效CLK脉冲宽度 Tclk - - 180 - uS
判断开关闭合状态延迟 TDon - - 35 - mS
判断开关断开状态延迟 TDoff - - 30 - mS
状态复位时间 Tfs - 1.0 1.1 1.2 S
状态复位开关次数 Treset - - 2 -
状态切换窗口时间 Tsw - 3.0 3.3 3.6 S
P1和P2导通阻抗 Rpx - - 150 - Ω
注3:典型参数值为 25℃ 下测得的参数标准。注4:规格书的最小、最大规范范围由测试保证,典型值由设计、测试或统计分析保证。

检测脚信号要求

CXLE83209MD 的检测 CLK 脚既可以检测电平,也可以检测脉冲信号(5kHz以内频率),高电平或脉冲信号宽度须大于 180uS,电平幅度大于 2.7V,如图3所示。设计时须留足够余量,CLK脚峰值电平建议设置在 4~5.5V 范围内。kve嘉泰姆

图3 检测脚波形要求示意图kve嘉泰姆
图3 检测脚波形要求示意图
>180us 高电平>2.7V 脉冲宽度要求
CLK检测脚:高电平/正脉冲宽度>180μs,幅度>2.7V

功能说明

1、供电

CXLE83209MD 通过 VCC 脚进行供电,应用中通过电阻从大于 6V 的稳定电压取电(如输入电容正端,若搭配 boost 电路则从 boost 输出电容正端)。芯片工作电流约 0.2mA,供电电阻选取必须留有余量(供电电流建议大于 0.4mA)。kve嘉泰姆

2、P1 和 P2 开漏输出

P1 和 P2 脚为开漏输出(Open Drain),导通阻抗 150Ω 左右。稳态工作时,P1/P2 脚承受电压不能超过 6V;开关切换时,流入 P1/P2 的瞬时电流超过 1mA 须串限流电阻。CXLE83209MD 通过 P1/P2 与电源芯片使能脚相连(使能脚需内置上拉或外加上拉),需要关闭某路电源时,对应 P1/P2 内部下拉导通,拉低使能电平。调色顺序为 L1 → L2 → L1+L2,L1/L2 分别对应 P1/P2 控制的光源。kve嘉泰姆

3、状态控制与记忆

CXLE83209MD 内置 EEPROM 存储单元,关灯时会把当前状态存储,关灯时间超过状态切换窗口时间 Tsw (典型3.3S) 后再次开灯,芯片直接读取存储单元状态(即关灯前状态)。若需要切换色温,只需关灯时间小于 Tsw 再开灯即可切换色温。为保证记忆窗口,VDD 电容通常采用 2.2μF/25V,若 VDD 电容因外围放电导致窗口缩短,可在 VCC 供电线路串二极管避免提前进入记忆模式。kve嘉泰姆

4、复位方式

内置开关两次复位功能:从 AC 开关关断时刻算起,Tfs 时间内(典型值1.1S)完成两次“关灯→开灯”操作,芯片会在第二次开灯时将状态复位到第一个状态 (L1),如图4所示。后续开关仍满足复位条件将保持第一状态。kve嘉泰姆

图4 复位操作示意图
复位操作示意图
⚡ 关灯 → 开灯 (t < 1.1S) → 关灯 → 开灯 (t < 1.1S) → 复位至 L1 状态kve嘉泰姆
[开关动作时序] Tfs窗口内完成两次开关切换,输出复位。
复位时序:快速开关两次(1.1秒内)强制回到L1状态

5、应用注意事项

  • 设计PCB时,VDD电容尽量靠近芯片VDD和GND管脚。
  • 检测脚CLK直接检测AC输入端,考虑电阻耐压,建议至少使用两个1206电阻串联。
  • VCC通过电阻从输入电容正极取电,至少两个1206电阻串联,供电电流>0.4mA。
  • 如控制的后级芯片控制端口电压超过6V,须加外围降压电路。
  • 光源铝基板接地时若逻辑异常,可加大CLK上拉电阻消除漏电影响,但须考虑最低工作电压余量。
  • 稳态时P1/P2电压不可超过6V,瞬时电流较大时串联限流电阻。
设计提示: 为保证切换窗口Tsw可靠性,建议VDD电容≥2.2μF,且断电后VDD电压跌落时间大于Tsw窗口。若供电回路存在快速泄放,可串联二极管隔离。

封装及存储条件

封装及存储条件kve嘉泰姆

封装形式:SOT23-6,符合RoHS标准。存储条件:温度-55℃~150℃,防潮等级MSL 3。焊接温度(回流焊)峰值不超过260℃。kve嘉泰姆

芯片内置EEPROM记忆单元,数据保持时间>10年,开关循环次数>10万次(记忆功能正常)。kve嘉泰姆

版本信息: 数据手册 Rev.1.0 (CXLE83209MD) | 原厂技术信息请以最新规格为准。
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