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EnglishThe JTM4840 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
摘要：The JTM4840 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
目录
一,产品概述(General Description) 
The JTM4840 uses advanced trench technology and design to provide
excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety
of applications.
二</span>.产品特点(Features)
●VDS =40V,ID =7.0A
RDS(ON) < 24mΩ @ VGS=10V
RDS(ON) < 38mΩ @ VGS=4.5V
● High density cell design for ultra low Rdson
● Fully characterized Avalanche voltage and current
三</span>,应用范围 (Applications)
●Power switching application
●Hard Switched and High Frequency Circuits
●Hard Switched and High Frequency Circuits
●Uninterruptible Power Supply
四.技术</span>规格书下载（产品PDF）</span>
 | JTM4840 |
五,产品封装图 (Package)
六.电路原理图</span>
七</span>,功能概述
| Parameter | Symbol | Limit | Unit |
| Drain-Source Voltage | VDS | 40 | V |
| Gate-Source Voltage | VGS | ±20 | V |
| Drain Current-Continuous | ID | 7 | A |
| Drain Current-Continuous(TA=100℃) | ID (100℃) | 5 | A |
| Pulsed Drain Current | IDM | 30 | A |
| Maximum Power Dissipation | PD | 3 | W |
| Operating Junction and Storage Temperature Range | TJ,TSTG | -55 To 150 | ℃</td> |
八,相关芯片选择指南
| 型号 | 沟道 | VDS | VGS | VTH | ID | IDM | RDS(on) | 封装 | 状态</td> |
| (Max) | (Max) | (Max) | |||||||
| JTM2302/A | N沟道 | 20V | 10V | 0.75V | 3A | 10A | 30mΩ | SOT23 | 量产 |
| SOT23-3L | |||||||||
| JTM2302B | N沟道 | 20V | 12V | 0.85V | 2.5A | 10A | 46mΩ | SOT23 | 量产 |
| JTM2306/A | N沟道 | 30V | 12V | 0.9V | 5.8A | 22A | 25mΩ | SOT23 | 量产 |
| SOT23-3L | |||||||||
| JTM2300/B | N沟道 | 20V | 12V | 0.65V | 4.5A | 13.5A | 22mΩ | SOT23 | 量产 |
| SOT23-3L | |||||||||
| JTM2312/B | N沟道 | 20V | 12V | 0.65V | 4.5A | 13.5A | 22mΩ | SOT23 | 量产 |
| SOT23-3L | |||||||||
| JTM2314/B | N沟道 | 20V | 12V | 0.65V | 4.5A | 13.5A | 22mΩ | SOT23 | 量产 |
| SOT23-3L | |||||||||
| JTM3400/B | N沟道 | 30V | 12V | 0.9V | 5.8A | 30A | 25mΩ | SOT23 | 量产 |
| SOT23-3L | |||||||||
| JTM3400C | N沟道 | 30V | 20V | 1.5V | 3.6A | 15A | 40mΩ | SOT23 | 量产 |
| JTM3406/B | N沟道 | 30V | 20V | 1.6V | 5.8A | 20A | 25mΩ | SOT23 | 量产 |
| SOT23-3L | |||||||||
| JTM3414/B | N沟道 | 20V | 10V | 0.75V | 3.0A | 10A | 30mΩ | SOT23 | 量产 |
| SOT23-3L | |||||||||
| JTM3416E | N沟道 | 20V | 12V | 0.7V | 6.0A | 30A | 19mΩ | SOT23-3L | 量产 |
| 带ESD保护 | |||||||||
| JTM3420/B | N沟道 | 20V | 12V | 0.65V | 4.5A | 13.5A | 22mΩ | SOT23 | 量产 |
| SOT23-3L | |||||||||
| JTM2318 | N沟道 | 40V | 20V | 2.0V | 4.0A | 20A | 32mΩ | SOT23-3L | 量产 |
| JTM6400 | N沟道 | 30V | 12V | 0.9V | 6.9A | 30A | 25mΩ | SOT23-6L | 量产 |
| JTM7002 | N沟道 | 60V | 20V | 1.7V | 0.115A | 0.8A | 1.3Ω | SOT23 | 量产 |
| JTM2310 | N沟道 | 60V | 20V | 1.4V | 3A | 10A | 105mΩ | SOT23-3L | 量产 |
| JTM3422 | N沟道 | 60V | 20V | 1.4V | 3A | 10A | 105mΩ | SOT23-3L | 量产 |
| JTM2N10MR | N沟道 | 100V | 20V | 1.8V | 2A | 5A | 210mΩ | SOT23-3L | 量产 |
| JTM2324E | N沟道 | 100V | 20V | 1V | 2.7A | 10A | 140mΩ | SOT23-3L | 量产 |
| 带ESD保护 | |||||||||
| JTM4410 | N沟道 | 30V | 20V | 1.6V | 10A | 50A | 7.5mΩ | SOP8 | 量产 |
| JTM4412 | N沟道 | 30V | 20V | 1.0V | 7A | 30A | 22mΩ | SOP8 | 量产 |
| JTM4430 | N沟道 | 30V | 20V | 1.6V | 18A | 50A | 7.5mΩ | SOP8 | 量产 |
| JTM4480 | N沟道 | 40V | 20V | 2.0V | 20A | 50A | 16mΩ | SOP8 | 量产 |
| JTM4440 | N沟道 | 60V | 20V | 2V | 4.5A | 20A | 45mΩ | SOP8 | 量产 |
| JTM4486E | N沟道 | 100V | 20V | 2V | 3.5A | 20A | 85mΩ | SOP8 | 量产 |
| 带ESD保护 | |||||||||
| JTM4488 | N沟道 | 150V | 20V | 3.2V | 5.2A | 42A | 31mΩ | SOP8 | 量产 |
| JTM4490 | N沟道 | 200V | 20V | 3.0V | 3.9A | 30A | 56mΩ | SOP8 | 量产 |
| 双N沟道低压MOS场效应管 | |||||||||
| 型号 | 沟道 | VDS | VGS | VTH | ID | IDM | RDS(on) | 封装 | 状态</td> |
| (Max) | (Max) | (Max) | |||||||
| JTM4812 | 双N沟道 | 30V | 20V | 1.6V | 7A | 30A | 25mΩ | SOP8 | 量产 |
| JTM4822 | 双N沟道 | 30V | 20V | 1.8V | 8A | 30A | 18mΩ | SOP8 | 量产 |
| JTM4828 | 双N沟道 | 60V | 20V | 2V | 4.5A | 20A | 45mΩ | SOP8 | 量产 |
| JTM4886E | 双N沟道 | 100V | 20V | 2V | 3.5A | 20A | 85mΩ | SOP8 | 量产 |
| 带ESD保护 | |||||||||
| JTM9926 | 双N沟道 | 20V | 10V | 0.9V | 5A | 24A | 23mΩ | SOP8 | 量产 |
| JTM8205 | 双N沟道 | 19.5V | 10V | 0.7V | 4A | 16A | 21mΩ | SOT-26 | 量产 |
| JTM8205A | 双N沟道 | 19.5V | 10V | 0.7V | 6A | 25A | 21mΩ | TSSOP8 | 量产 |
| JTM8205B | 双N沟道 | 20V | 10V | 0.65V | 4A/6A | 16A | 24mΩ | SOT-26 | 量产 |
| JTM8810E | 双N沟道 | 20V | 12V | 0.7V | 7A | 30A | 15mΩ | SOT-26 | 量产 |
| 带ESD保护 | TSSOP8 | ||||||||
| JTM8810B | 双N沟道 | 20V | 12V | 0.7V | 7A | 30A | 15mΩ | TSSOP8 | 量产 |
| 带ESD保护 | |||||||||
| 不共D | |||||||||
| JTM8820E | 双N沟道 | 20V | 12V | 0.7V | 7A | 30A | 15mΩ | TSSOP8 | 量产 |
| 带ESD保护 | |||||||||
| JTM8822E | 双N沟道 | 20V | 12V | 0.7V | 7A | 30A | 15mΩ | TSSOP8 | 量产 |
| 带ESD保护 | |||||||||
| JTM6800 | 双N沟道 | 30V | 12V | 0.9V | 5.8A | 30A | 25mΩ | SOT-26 | 量</td> |
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