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English大功率MOS管IGBT管栅极驱动芯片 CXLE82105 高端的工作电压可达120V，Vcc 的电源电压范围宽8V～30V，静态功耗低仅3.5mA闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道LIN 内建了上拉5V 高电位和HIN 内建了一个10K 下拉电阻， 在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电 路、死区时
摘要：大功率MOS管IGBT管栅极驱动芯片 CXLE82105 高端的工作电压可达120V，Vcc 的电源电压范围宽8V～30V，静态功耗低仅3.5mA闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道LIN 内建了上拉5V 高电位和HIN 内建了一个10K 下拉电阻， 在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电 路、死区时
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MOSFET驱动芯片 | ||||
型号 | 工作型号 | 电流 | 封装 | 说明 |
3V～30V | 1A | SOP-8 | 单通道MOS驱动 | |
8V～30V | SOP-8 | 半桥驱动芯片 | ||
3V~30V | 1A | SOP-8 | 单通道功率MOSFET驱动芯片 | |
11V～30V | SOP8 | 大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片</span> | ||
11V～30V | SOP-8 | 大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片</span> | ||
10V-15V | SOP-8 | 大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片</span> | ||
2.8V-20V | 1A/1.5A | SOP-8 | 大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片</span> | |
2.8V-20V | 1A/1.5A | SOP-8 | 大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片</span> | |
5V 3.3V | 0.2A/-0.35A | SOP28L | 三相半桥电路驱动芯片 | |
4.5V-20V | 1.2A/-1.4A | TSSOP20 | 三相半桥驱动芯片 | |
2.8V-20V | 1.8A/-1.8A | SOP28L | 两相半桥驱动芯片 | |
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