中文
English三相半桥电路驱动芯片 CXLE82112 是用作 N 型功率 MOSFET 和 IGBT 等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，主要包含三个独 立的半桥驱动电路。 内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。内置输入信号滤波，防止噪声 干扰。提供外部使能控制可同时关断六通道输出。 此外，它还具有欠压保护和过流保护功能，出现异常时 立即关断六通道输出
摘要：三相半桥电路驱动芯片 CXLE82112 是用作 N 型功率 MOSFET 和 IGBT 等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，主要包含三个独 立的半桥驱动电路。 内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。内置输入信号滤波，防止噪声 干扰。提供外部使能控制可同时关断六通道输出。 此外，它还具有欠压保护和过流保护功能，出现异常时 立即关断六通道输出
目录
相关芯片选择指南 返回TOP 更多同类产品.....
MOSFET驱动芯片 | ||||
型号 | 工作型号 | 电流 | 封装 | 说明 |
3V～30V | 1A | SOP-8 | 单通道MOS驱动 | |
8V～30V | SOP-8 | 半桥驱动芯片 | ||
3V~30V | 1A | SOP-8 | 单通道功率MOSFET驱动芯片 | |
11V～30V | SOP8 | 大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片</span> | ||
11V～30V | SOP-8 | 大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片</span> | ||
10V-15V | SOP-8 | 大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片</span> | ||
2.8V-20V | 1A/1.5A | SOP-8 | 大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片</span> | |
2.8V-20V | 1A/1.5A | SOP-8 | 大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片</span> | |
5V 3.3V | 0.2A/-0.35A | SOP28L | 三相半桥电路驱动芯片 | |
4.5V-20V | 1.2A/-1.4A | TSSOP20 | 三相半桥驱动芯片 | |
2.8V-20V | 1.8A/-1.8A | SOP28L | 两相半桥驱动芯片 | |
文章标签
暂无标签
发表评论