极低的导通电阻高密度的单元设计,高级的加工技术,20V P沟道增强型MOS场效应管CXMS5254,CXMS5255

发布时间:2020-04-06 09:43:38 浏览次数:697 作者:oumao18 来源:嘉泰姆
极低的导通电阻高密度的单元设计,高级的加工技术,20V P沟道增强型MOS场效应管CXMS5254,CXMS5255

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   产品概述 返回TOP1XK嘉泰姆


RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-1.0A = 48mΩ@TYP 

RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-0.5A = 75mΩ@TYP

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   产品特点 返回TOP1XK嘉泰姆


 高级的加工技术 1XK嘉泰姆

 极低的导通电阻高密度的单元设计</p>

   应用范围 返回TOP1XK嘉泰姆


  笔记本、便携式设备等</span>1XK嘉泰姆

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 QQ截图20160419174301.jpg1XK嘉泰姆

产品封装图&nbsp;返回TOP1XK嘉泰姆


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电路原理图&nbsp;返回TOP1XK嘉泰姆

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