CXLE82107高端的工作电压可达100V，Vcc 的电源电压范围宽11V～30V，静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有 闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个10K下拉电阻， 在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构,采用SOP8 封装。CXLE82107是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电 路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器 中的驱动电路。
高端悬浮自举电源设计，耐压可达100V
内建死区控制电路
电源电压欠压关断输出
自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通
采用半桥达林顿管输出结构具有大电流栅极驱动能力
专用于无刷电机N 沟道MOS 管、IGBT 管栅极驱动
HIN 输入通道控制高端HO 输出
LIN 输入通道控制低端LO 输出
外围器件少
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[ CXLE82107 ]
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产品概述 返回TOP
CXLE82107高端的工作电压可达100V，Vcc 的电源电压范围宽11V～30V，静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有 闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个10K下拉电阻， 在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构,采用SOP8 封装。CXLE82107是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电 路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器 中的驱动电路。
产品特点 返回TOP
高端悬浮自举电源设计，耐压可达100V
内建死区控制电路
电源电压欠压关断输出
自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通
采用半桥达林顿管输出结构具有大电流栅极驱动能力
专用于无刷电机N 沟道MOS 管、IGBT 管栅极驱动
HIN 输入通道控制高端HO 输出
LIN 输入通道控制低端LO 输出
外围器件少
静态电流小：4.5mA
封装形式：SOP8
应用范围 返回TOP
电动摩托车控制器
电动自行车控制器
100V 降压型开关电源
无刷电机驱动器
高压Class-D 类功放
技术规格书（产品PDF) 返回TOP
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产品封装图 返回TOP
电路原理图 返回TOP
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MOSFET驱动芯片 |
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型号 |
工作型号 |
电流 |
封装 |
说明 |
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3V～30V |
1A |
SOP-8 |
单通道MOS驱动 |
|
|
8V～30V |
SOP-8 |
半桥驱动芯片 |
||
|
3V~30V |
1A |
SOP-8 |
单通道功率MOSFET驱动芯片 |
|
|
11V～30V |
SOP8 |
大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片 |
||
|
11V～30V |
SOP-8 |
大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片 |
||
|
10V-15V |
SOP-8 |
大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片 |
||
|
2.8V-20V |
1A/1.5A |
SOP-8 |
大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片 |
|
|
2.8V-20V |
1A/1.5A |
SOP-8 |
大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片 |
|
|
5V 3.3V |
0.2A/-0.35A |
SOP28L |
三相半桥电路驱动芯片 |
|
|
4.5V-20V |
1.2A/-1.4A |
TSSOP20 |
三相半桥驱动芯片 |
|
|
2.8V-20V |
1.8A/-1.8A |
SOP28L |
两相半桥驱动芯片 |
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| 热门信息 |
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| 最新信息 |
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| 推荐信息 |
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