CXLE82113是一款高性价比的大功率MOS 、IGBT栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处 理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。
CXLE82113高端的工作电压可达300V，低端VCC的电源电压范围宽4.5V～20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个下拉和上拉电阻， 在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO +1.2A/-1.4A，
高端悬浮自举电源设计，耐压可达300V
集成三路独立半桥驱动
适应5V、3.3V输入电压
最高频率支持 500KHZ
低端VCC电压范围 4.5V-20V
输出电流能力IO +1.2A/-1.4A
内建死区控制电路
自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通
HIN输入通道高电平有效，控制高端 HO输出
LIN输入通道高低平有效，控制低端 LO 输出
-
[ CXLE82113 ]
目录
7.相关产品
产品概述 返回TOP
CXLE82113是一款高性价比的大功率MOS 、IGBT栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处 理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。
CXLE82113高端的工作电压可达300V，低端VCC的电源电压范围宽4.5V～20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个下拉和上拉电阻， 在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO +1.2A/-1.4A，采用TSSOP20封装。
产品特点 返回TOP
高端悬浮自举电源设计，耐压可达300V
集成三路独立半桥驱动
适应5V、3.3V输入电压
最高频率支持 500KHZ
低端VCC电压范围 4.5V-20V
输出电流能力IO +1.2A/-1.4A
内建死区控制电路
自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通
HIN输入通道高电平有效，控制高端 HO输出
LIN输入通道高低平有效，控制低端 LO 输出
封装形式：TSSOP20
应用范围 返回TOP
三相直流无刷电机驱动器
技术规格书（产品PDF) 返回TOP
需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持！
产品封装图 返回TOP
电路原理图 返回TOP
相关芯片选择指南 返回TOP 更多同类产品.....
|
MOSFET驱动芯片 |
||||
|
型号 |
工作型号 |
电流 |
封装 |
说明 |
|
3V～30V |
1A |
SOP-8 |
单通道MOS驱动 |
|
|
8V～30V |
SOP-8 |
半桥驱动芯片 |
||
|
3V~30V |
1A |
SOP-8 |
单通道功率MOSFET驱动芯片 |
|
|
11V～30V |
SOP8 |
大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片 |
||
|
11V～30V |
SOP-8 |
大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片 |
||
|
10V-15V |
SOP-8 |
大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片 |
||
|
2.8V-20V |
1A/1.5A |
SOP-8 |
大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片 |
|
|
2.8V-20V |
1A/1.5A |
SOP-8 |
大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片 |
|
|
5V 3.3V |
0.2A/-0.35A |
SOP28L |
三相半桥电路驱动芯片 |
|
|
4.5V-20V |
1.2A/-1.4A |
TSSOP20 |
三相半桥驱动芯片 |
|
|
2.8V-20V |
1.8A/-1.8A |
SOP28L |
两相半桥驱动芯片 |
|
◀ 上一篇:CXLE82112三相半桥电路驱动芯片N型功率MOSFET和IGBT等高压高速功率器件的三相栅极驱动电路三个独立的半桥驱动电路内置死区时间保功率管上下桥臂不会同时导通
下一篇▶:CXLE82114两路半桥驱动电路芯片高性价比的大功率MOS管IGBT管栅极驱动芯片5V的LDO运放比较器逻辑信号输入处理电路死区时控制闭锁电平位移脉冲滤波电路及输出驱动电用于全桥拓扑电路
| 热门信息 |
|---|
| 最新信息 |
|---|
| 推荐信息 |
|---|
