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CXMS5103基于P_SUB P_EPI工艺的高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器浮动通道驱动器可独立驱动两个N通道功率MOSFET或IGBT其工作电压高达600V
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CXMS5103是一种基于P_SUB P_EPI工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。浮动通道驱动器可独立驱动两个N通道功率MOSFET或IGBT,其工作电压高达600V。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计用于最小驱动器交叉传导。传播延迟被匹配以简化在高频应用中的使用。
完全工作至+600 V
3.3V逻辑兼容
dV/dt抗扰度±50v/nsec
为引导操作设计的浮动通道
栅极驱动电源范围为10 V至20 V
低压侧通道输出源/汇电流能力为300毫安/600毫安的紫外低辐射
独立的逻辑输入以适应所有拓扑
-5V负极Vs能力

CXMS5103基于P_SUB P_EPI工艺的高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器浮动通道驱动器可独立驱动两个N通道功率MOSFET或IGBT其工作电压高达600V
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产品简介

目录

1.产品概述       2.产品特点     Gh6嘉泰姆

3.应用范围       4.技术规格书下载(PDF文档)Gh6嘉泰姆

5.产品封装       6.电路原理图  Gh6嘉泰姆

7.相关产品Gh6嘉泰姆

   产品概述 返回TOPGh6嘉泰姆


The CXMS5103 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-channel power MOSFET or IGBT independently which operates up to 600V. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross -conduction. Propagation delays are matched to simplify use in high frequency applications.

   产品特点 返回TOPGh6嘉泰姆


Fully operational to +600 VGh6嘉泰姆

 3.3 V logic compatible Gh6嘉泰姆

 dV/dt Immunity ±50 V/nsec Gh6嘉泰姆

 Floating channel designed for bootstrap operation Gh6嘉泰姆

Gate drive supply range from 10 V to 20 V Gh6嘉泰姆

UVLO for low side channel Output Source / Sink Current Capability 300 mA / 600mA Gh6嘉泰姆

Independent Logic Inputs to Accommodate All Topologies Gh6嘉泰姆

 -5V negative Vs ability Gh6嘉泰姆

Matched propagation delay for both channels Patent PendingGh6嘉泰姆

   应用范围 返回TOPGh6嘉泰姆


Small and medium- power motor driverGh6嘉泰姆

   技术规格书(产品PDF) 返回TOP Gh6嘉泰姆


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 QQ截图20160419174301.jpgGh6嘉泰姆

产品封装图 返回TOPGh6嘉泰姆


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电路原理图 返回TOPGh6嘉泰姆


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