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CXCP5371 CXCP5371B采用先进的沟道技术在栅极电压低至2.5V的情况下提供优良的RDS（ON）低栅极充电和操作适合用作负载开关或在PWM应用中使用
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The CXCP5371 CXCP5371B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications
● VDS = -30V,ID = -4.2A
RDS(ON) < 130mΩ @ VGS=-2.5V
RDS(ON) < 75mΩ @ VGS=-4.5V
RDS(ON) < 65mΩ @ VGS=-10V
● High Power and current handing capability
● Lead free product is acquired
● Surface Mount Package

CXCP5371 CXCP5371B采用先进的沟道技术在栅极电压低至2.5V的情况下提供优良的RDS（ON）低栅极充电和操作适合用作负载开关或在PWM应用中使用
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   产品概述 返回TOPSi8嘉泰姆

The CXCP5371  CXCP5371B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.

   产品特点 返回TOPSi8嘉泰姆

● VDS = -30V,ID = -4.2A Si8嘉泰姆

RDS(ON) < 130mΩ @ VGS=-2.5V Si8嘉泰姆

RDS(ON) < 75mΩ @ VGS=-4.5V Si8嘉泰姆

RDS(ON) < 65mΩ @ VGS=-10V Si8嘉泰姆

● High Power and current handing capability Si8嘉泰姆

● Lead free product is acquired Si8嘉泰姆

● Surface Mount PackageSi8嘉泰姆

   应用范围 返回TOPSi8嘉泰姆

●PWM applications Si8嘉泰姆

●Load switch Si8嘉泰姆

●Power managementSi8嘉泰姆

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 QQ截图20160419174301.jpgSi8嘉泰姆

产品封装图 返回TOPSi8嘉泰姆

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电路原理图 返回TOPSi8嘉泰姆

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(Typ)Si8嘉泰姆

(Max)Si8嘉泰姆

  

(Max)Si8嘉泰姆

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