产品信息查询
产品 技术 新闻 资料
首页 > 产品中心 > 功率器件 > N沟道P沟道双极MOSFETs >CXMS5157采用MOSFET和肖特基二极管 每个设备都有独立的插脚以便于电路设计超低VF肖特基
CXMS5157采用MOSFET和肖特基二极管 每个设备都有独立的插脚以便于电路设计超低VF肖特基
17

功率MOSFET和肖特基二极管CXMS5157,有MOSFET和肖特基二极管每个器件都有独立的引脚,便于电路设计超低VF肖特基

CXMS5157采用MOSFET和肖特基二极管 每个设备都有独立的插脚以便于电路设计超低VF肖特基
产品手册
样品申请

样品申请

产品简介

                          目录tDA嘉泰姆

   1.产品概述      2.产品特点      3.应用范围     4.技术规格书下载(PDF文档)tDA嘉泰姆

   5.产品封装      6.电路原理图     7.相关产品tDA嘉泰姆

一.产品概述tDA嘉泰姆

ParametertDA嘉泰姆

SymboltDA嘉泰姆

ValuetDA嘉泰姆

UnittDA嘉泰姆

Drain to Source   VoltagetDA嘉泰姆

VDSStDA嘉泰姆

20tDA嘉泰姆

VtDA嘉泰姆

Gate to Source   VoltagetDA嘉泰姆

VGStDA嘉泰姆

±8.0tDA嘉泰姆

VtDA嘉泰姆

Continuous DraintDA嘉泰姆

Current (Note 1)tDA嘉泰姆

SteadytDA嘉泰姆

StatetDA嘉泰姆

TA   = 25°CtDA嘉泰姆

IDtDA嘉泰姆

3tDA嘉泰姆

AtDA嘉泰姆

TA   = 85°CtDA嘉泰姆

2.3tDA嘉泰姆

     

t ≤ 5 stDA嘉泰姆

TA   = 25°CtDA嘉泰姆

4.1tDA嘉泰姆

     

Power DissipationtDA嘉泰姆

         

SteadytDA嘉泰姆

StatetDA嘉泰姆

TA   = 25°CtDA嘉泰姆

PDtDA嘉泰姆

1.45tDA嘉泰姆

WtDA嘉泰姆

t ≤ 5 stDA嘉泰姆

2.3tDA嘉泰姆

 

Continuous DraintDA嘉泰姆

         

SteadytDA嘉泰姆

StatetDA嘉泰姆

TA   = 25°CtDA嘉泰姆

IDtDA嘉泰姆

2.0tDA嘉泰姆

AtDA嘉泰姆

TA   = 85°CtDA嘉泰姆

1.5tDA嘉泰姆

 

Power DissipationtDA嘉泰姆

       

TA   = 25°CtDA嘉泰姆

PDtDA嘉泰姆

0.7tDA嘉泰姆

WtDA嘉泰姆

   

Pulsed Drain   CurrenttDA嘉泰姆

tp   = 10 mstDA嘉泰姆

IDMtDA嘉泰姆

20tDA嘉泰姆

AtDA嘉泰姆

Operating Junction   and Storage TemperaturetDA嘉泰姆

TJ,   TSTGtDA嘉泰姆

55 totDA嘉泰姆

150tDA嘉泰姆

°CtDA嘉泰姆

Source Current   (Body Diode) (Note 2)tDA嘉泰姆

IStDA嘉泰姆

2tDA嘉泰姆

AtDA嘉泰姆

二.产品特点tDA嘉泰姆


z Featuring a MOSFET and Schottky DiodetDA嘉泰姆

z Independent Pinout to each Device to Ease Circuit DesigntDA嘉泰姆

 Ultra Low VF SchottkytDA嘉泰姆

三.应用范围tDA嘉泰姆


 z Li--Ion Battery ChargingtDA嘉泰姆

 z High Side DC-DC Conversion CircuitstDA嘉泰姆

 z High Side Drive for Small Brushless DC MotorstDA嘉泰姆

 Power Management in Portable, Battery Powered Products M    tDA嘉泰姆

四.技术规格书(产品PDF)tDA嘉泰姆


需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持!tDA嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpgtDA嘉泰姆

五.产品封装图tDA嘉泰姆


  blob.pngtDA嘉泰姆

六.电路原理图tDA嘉泰姆


   blob.pngtDA嘉泰姆

七.相关芯片选择指南    更多同类产品.....tDA嘉泰姆


场效应晶体管 P沟道MOS管
Product Polarity Channel VDS VGS VGS(th) RDS(ON)@VGS=4.5V ID@TA=25oC Package Size
(Max.) (Max.) (Max.) (Typ.) (MAX.)
(V) (V) (V) (Ω) (A) (mm)(L×W)
CXMS5151 P 1 -20 ±8 -1 0.11 -1.4 SOT-323 2.1 x 2.3
CXMS5152 P 1 -12 ±12 -0.9 0.022 -5.1 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5153 P 1 -12 ±8 -0.9 0.031 -3.5 SOT-23 2.9 x 2.4
CXMS5154 P 1 -12 ±8 -1 0.015 -7.4 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5155 P 1 -12 ±8 -0.9 0.08 -1.5 SOT-323 2.1 x 2.3
CXMS5156 P+Diode 1 -20 ±8 -0.8 - -2.9 DFN3020-8L 3.0 x 2.0
CXMS5156B P+Diode 1 -20 ±8 -0.8 - -2.7 DFN3020-8L 3.0 x 2.0
CXMS5157 P+Diode 1 -20 ±8 -1 0.09 -3 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5158D P 1 -20 ±12 -1 0.042 -4 DFN3030-8L 3.0 x 3.0
CXMS5159 P 1 -20 ±8 -0.9 0.05 -4.1 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5160 P 1 -20 ±8 -0.8 0.081 -2.2 SOT-23 2.9 x 2.4
CXMS5161 P 1 -20 ±5 -0.9 0.48 -0.62 SOT-523 1.6 x 1.6
CXMS5162 P 1 -20 ±12 -1 0.056 -2.9 SOT-23 2.9 x 2.4
CXMS5163 P 1 -20 ±5 -0.8 0.495 -0.6 SOT-723 1.2 x 1.2
CXMS5164 P 1 -20 ±12 -1 0.047 -3.3 SOT-23-6L 2.9 x 2.8
CXMS5165 P 1 -20 ±12 -1 0.096 -2.2 SOT-23 2.9 x 2.4
CXMS5166 P 1 -20 ±5 -0.9 - -0.51 DFN1006-3L 1.0 x 0.6
CXMS5166B P 1 -20 ±5 -0.9 0.44 -0.51 DFN1006-3L 1.0 x 0.6
CXMS5167 P 1 -20 ±8 -1 0.017 -6.2 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5168 P 1 -20 ±12 -1 0.043 -4 SOT-23-3L 2.9 x 2.8
CXMS5169 P 1 -20 ±12 -1 0.043 -3.2 SOT-23 2.9 x 2.4
CXMS5170 P 1 -20 ±8 -1 0.081 -2.4 SOT-23 2.9 x 2.4
CXMS5171 P 1 -20 ±8 -1 0.052 -3.5 SOT-23-3L 2.9 x 2.8
CXMS5171A P 1 -20 ±12 -1 0.052 -3.5 SOT-23-3L 2.9 x 2.8
CXMS5172 P 1 -30 ±20 -2.5 0.079 -3.8 SOP-8L 4.9 x 6.0
CXMS5173 P 1 -30 ±20 -2.5 0.083 -4.1 SOT-23-3L 2.9 x 2.8
CXMS5174 P 1 -30 ±20 -2.5 0.08 -2.9 SOT-23 2.9 x 2.4
CXMS5175 P 1 -30 ±20 -2.5 0.077 -3.1 SOT-23 2.9 x 2.4
CXMS5176 P 1 -30 ±12 -1.5 0.043 -4.6 SOT-23-3L 2.9 x 2.8
CXMS5177 P 1 -30 ±20 -3 0.053 -3.7 SOT-23-3L 2.9 x 2.8
CXMS5178 Dual P 2 -30 ±12 -1.4 0.045 -5.6 SOP-8L 4.9 x 6.0
CXMS5179 Dual P 2 -30 ±20 -3 0.053 -5.5 SOP-8L 4.9 x 6.0
CXMS5180 P 1 -50 ±20 -2 3.5 -0.2 SOT-23 2.9 x 2.4
CXMS5181 P 1 -20 ±12 -1 0.025 -5.7 SOT-23-3 2.9 x 2.8
CXMS5182 P 1 -30 ±20 -3 0.053 -5.5 SOP-8L 4.9 x 6.0
CXMS5182A P 1 -30 ±20 -3 0.043 -5.4 SOP-8L 4.9 x 6.0
CXMS5183 Dual P 2 -20 ±8 -1 0.09 -3 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5184 Dual P 2 -20 ±12 -1 0.075 -3.1 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5185 Dual P 2 -20 ±12 -1 0.052 -3.7 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5186 Dual P 2 -20 ±6 -0.9 0.55 -0.56 SOT-563 1.6 x 1.6
CXMS5187 Dual P 2 -20 ±12 -2.5 0.07 -3.6 SOT-23-6L 2.9 x 2.8
CXMS5188 Dual P 2 -20 ±12 -2.5 0.07 -4.6 SOP-8L 4.9 x 6.0
CXMS5189 Dual P 2 -20 ±10 -1 0.08 -3.3 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5190 Dual P 2 -30 ±20 -2.5 0.07 -3.8 SOP-8L 4.9 x 6.0

发表评论
    共有条评论
    用户名: 密码:
    验证码: 匿名发表

热门信息
  • 最新信息
    推荐信息
    相关文章
  • CXMS5156B
  • CXMS5156采用MOSFET和肖特基二极管每个设备都有独立的
  • CXMS5150双N沟道增强型MOS场效应晶体管采用先进的沟道
  • CXMS5149是N沟道增强MOS场效应晶体管采用沟道技术和设
  • CXMS5147采用沟道技术和设计低栅极电荷提供优秀的RDS(O
  • CXMS5146采用先进的沟道技术和设计以低栅极电荷提供优
  • CXMS5145 N沟道增强型MOS场效应晶体管采用先进的沟道
  • CXMS5144沟道技术和设计以低栅极电荷提供优秀的RSS(ON)
  • CXMS5143是双N通道增强MOS场效应晶体管MOSFET1和MOSFE
  • CXMS5142双N通道增强MOS场效应晶体管采用先进的沟道技
  • 推荐资讯
    CXRT2122微波感应解决方案
    CXRT2122微波感应解决
    电池管理系统(BMS)深度解析:工作原理、关键技术与应用电路设计
    电池管理系统(BMS)深
    移动储能电源深度解析:工作原理、技术特点与典型应用电路
    移动储能电源深度解析
    光伏逆变器深度解析:工作原理、类型特点与典型应用电路
    光伏逆变器深度解析:工
    LC谐振DAB拓扑深度解析:工作原理、技术特点与典型应用电路
    LC谐振DAB拓扑深度解
    工业级运放深度解析:工作原理、类型特点与典型应用电路
    工业级运放深度解析:工
    信号分配电路深度解析:工作原理、类型特点与典型应用电路
    信号分配电路深度解析
    电压比较器深度解析:工作原理、类型特点与典型应用电路
    电压比较器深度解析:工
    有源滤波器设计深度解析:原理、类型、参数计算与典型应用电路
    有源滤波器设计深度解
    单电源运算放大器深度解析:工作原理、典型应用与设计要点
    单电源运算放大器深度
    宽电压运算放大器深度解析:技术特点、典型应用与设计选型
    宽电压运算放大器深度
    四路运算放大器深度解析:技术特点、典型应用与设计选型
    四路运算放大器深度解