CXMS5224双N沟道增强型场效应晶体管，采用高密度DMOS沟道技术制造，主要用于减小通态电阻。这种装置特别适合于低电压应用和低功耗。
20V/6A
RDS(ON) =18mΩ@ VGS=4.5V,ID=6A
RDS(ON) =19mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A
-
[ CXMS5224 ]
目录
产品概述 返回TOP
CXMS5224FG Series Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor ,produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance. This device particularly suits low voltage applications, and low power dissipation.
产品特点 返回TOP
z 20V/6A
RDS(ON) =18mΩ@ VGS=4.5V,ID=6A
RDS(ON) =19mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A
z High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance
z Surface mount package：SOP8 z ESD Protected: 3000 V
应用范围 返回TOP
z Battery management
z power management
z Portable equipment
z Low power DC to DC converter.
z Load switch z LCD adapter
技术规格书（产品PDF) 返回TOP
需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持！
产品封装图 返回TOP
电路原理图 返回TOP
相关芯片选择指南 返回TOP 更多同类产品........
|
Part |
Mode |
VDS(Max) |
VGS |
ID(Max) |
RDS(on) |
Application |
Package |
|
N channel |
20V |
12V |
5.2A |
37mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOT23 |
|
|
N channel |
20V |
8V |
3A |
22mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOT23/SOT23-3 |
|
|
N channel |
20V |
12V |
5.2A |
29mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOT23 |
|
|
Double N |
20V |
12V |
6A |
22mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOP8 |
|
|
N channel |
30V |
12V |
5.8A |
25mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOT23/SOT23-3 |
|
|
N channel |
30V |
20V |
4.4A |
35mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOT23 |
|
|
Double N |
20V |
12V |
6A |
21mΩ |
①②③④⑤ |
SOT23-6/ TSSOP8 |
|
|
Double N |
20V |
12V |
5A |
19mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
TSSOP8/SOT26 |
|
|
Applications： ①Mobile phone②MID③GPS④DC/DC Converter⑤Load Switch⑥Power Management Notebook⑦LCD Display Inverter⑧Battery powered system⑨Battery Protection |
|||||||
◀ 上一篇:CXMS5223双N沟道增强型场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造用于减小导通电阻适合于低压应用和低功耗超低导通电阻高密度电池设计
下一篇▶:CXMS5230采用先进的沟道技术在栅极电压低至4.5V的情况下提供RDS（ON）低栅极电荷和操作性能适合用作负载开关或PWM应用高功率和电流处理能力
| 热门信息 |
|---|
| 最新信息 |
|---|
| 推荐信息 |
|---|
