CXLE86254DH 是一款专为高压、低电流LED灯串设计的驱动芯片,内部集成650V高压MOS管和JFET高压供电模块,无需外置整流桥、电感或变压器等磁性元件,大幅简化了系统结构,降低了成本与体积。其独有的线电压补偿功能,使得LED驱动在宽输入电压范围内仍能保持稳定的输出功率,显著提升了系统能效与可靠性。
-
[ CXLE86254DH ]
CXLE86254DH 高精度带线补偿线性恒流LED驱动芯片深度解读与应用方案
在LED照明技术持续迭代的今天,驱动芯片的稳定性、能效与集成度已成为产品设计的核心考量。CXLE86254DH 作为一款集成了线补偿功能的高精度单段线性恒流LED控制芯片,凭借其卓越的电压适应能力、优异的散热性能和高集成度设计,为市电直接供电的LED灯具提供了高效、可靠的驱动解决方案。本文将全面剖析该芯片的技术特性、工作原理、设计要点及典型应用场景,助力工程师与采购人员更好地理解与使用该产品。
一、芯片概述与核心特性
CXLE86254DH 是一款专为高压、低电流LED灯串设计的驱动芯片,内部集成650V高压MOS管和JFET高压供电模块,无需外置整流桥、电感或变压器等磁性元件,大幅简化了系统结构,降低了成本与体积。其独有的线电压补偿功能,使得LED驱动在宽输入电压范围内仍能保持稳定的输出功率,显著提升了系统能效与可靠性。
主要技术特点包括:
· 智能线电压补偿:可根据输入电压动态调节输出电流,保持输入功率基本恒定,避免电压波动对灯具性能的影响;
· 内置650V高压MOS:无需外接压敏电阻,系统简洁、抗浪涌能力强;
· ±5%高精度恒流输出:通过外部电阻可精确设定LED电流,保证光输出一致;
· 超快启动响应:LED瞬间点亮,无闪烁延迟;
· 过温调节保护:芯片温度过高时自动限流,防止过热损坏;
· ESOP8封装:散热性能优良,适合紧凑型高功率密度设计。
二、关键电气参数与性能规范
CXLE86254DH 在电气性能方面表现突出,其关键参数如下:
· 高压耐受能力:D端最高650V,CS与VD端耐压6V;
· 静态工作电流:典型值100μA,系统待机功耗低;
· 电流基准电压:典型值600mV,支持灵活设置输出电流;
· 内置电阻:VD端对地电阻典型值105kΩ,用于线补偿调节;
· 过温调节点:典型值130°C,确保高温环境下稳定运行。
芯片采用内部JFET供电结构,启动电压低至10V,系统响应迅速。LED电流计算公式为:
其中 VREF 在无补偿时约为600mV,配合线补偿功能时可动态调整。
三、线电压补偿功能详解
CXLE86254DH 的线电压补偿功能是其一大亮点。当输入电压升高时,芯片通过检测D端电压并结合外接补偿电阻 ��Rb,自动降低输出电流,从而使系统输入功率保持稳定。补偿关系如下:

该机制有效避免了在高电压输入时系统的过度发热与能效下降,提升了整体可靠性与寿命。
四、典型应用与设计建议
4.1. CXLE86254DH 广泛适用于各类非隔离LED照明产品,包括:
· GU10/E27 LED球泡灯
· LED射灯与筒灯
· LED蜡烛灯
· 其他装饰性与功能性照明
4.2. 设计注意事项:
4.2.1. 电流设置:220V输入时建议LED电流 ≤ 40mA,110V输入时建议 ≤ 80mA,以保证良好散热;
4.2.2 PCB布局优化:
· 电流采样电阻的地线应短而粗,减少噪声干扰;
· GND网络应大面积铺铜,以降低热阻、提升散热;
· 芯片底部散热片需连接至大面积铜皮,并通过多过孔增强散热。
4.3.典型应用

4.4.内部结构图
五、过热保护与系统可靠性
芯片集成智能过温调节功能,当结温超过设定值(典型130°C)时,系统自动降低输出电流,限制温升,保护芯片与灯具不受损坏。该功能尤其适用于封闭式灯具或高温环境,显著提升了系统的长期可靠性。
六、封装信息与焊接指导
CXLE86254DH 采用ESOP8封装,底部带有散热金属片。在PCB设计时,建议在芯片正下方设计大面积接地铜层,并通过多个过孔连接至其他地层,以最大化散热效果,确保芯片在高负载条件下仍能稳定工作。

七、电气特性

八,相关产品 more...
九、结语
CXLE86254DH 以其高集成度、智能线补偿、优异的散热与保护功能,成为当前LED线性驱动市场中的高性能选择。无论是用于家庭照明、商业灯光还是工业灯具,该芯片都能提供稳定、高效、长寿命的驱动支持。
作为一家专注于电源管理与LED驱动芯片的供应商,jtm-ic.com 致力于为客户提供高性能、高可靠性的集成电路解决方案。如果您需要了解更多关于CXLE86254DH 的详细信息、申请样品或获取技术支持,欢迎访问我们的官方网站 jtm-ic.com 或直接联系我们的技术团队。




