产品文档下载

CXLE8840是一款工作于4V到28V的降压型恒流高亮度LED驱动集成电路。 LED电流通过一个外部电流检测通电阻设置，精度可达5%。通过DIM 管脚可以实现LED亮度调整功能，调光方式可以是PWM调光，也可以是模拟调光。由于采用滞环控制方式，CXLE8840对负载瞬变具有非常快的响应速度，对输入电压具有高的抑制比。电感电流纹波为20%。最高工作频率可达2MHz。工作温度范围从-40℃到85℃。
工作电压范围：4V到28V
高端电流检测
可以采用PWM调光或模拟调光方式
PWM调光频率最高20kHz
滞环控制：响应速度快，无需补偿
高达2MHz工作频率
恒流输出，±5%电流精度
高达25W输出功率
5V，5mA内部稳压器

CXLE8841降压型大功率LED恒流驱动器

CXLE8842

CXLE8851是一个180kHz的固定频率脉冲宽度调制降压（降压）DC/DC转换器，能够以高效率、低纹波和良好的线路和负载调节驱动2.5A负载。该调节器需要最少数量的外部元件，使用简单，包括内部频率补偿和固定频率振荡器。
该PWM控制电路能够将占空比从0%线性调整到100%。内置过流保护功能。当发生短路保护时，工作频率由180KHz降低到48KHz。内置一个内部补偿块以最小化外部组件计数。
n宽8V至36V输入电压范围
n输出可从1.25伏调整到32伏
n最大占空比100%
n最小压降0.3V
n固定180KHz开关频率
n最大3A开关电流
n内部优化功率MOSFET
n高效率
n优良的线路和负载调节
n带输出恒流回路
n内置热关机功能
n内置电流限制函数
n内置输出短路保护功能

CXLE8835

CXLC8901是一款通用型液晶控制和驱动单芯片,具有 4 背极和 15 段 极共 60 位元的输
出能力，适用于常用低占空比的字符/图形式液晶屏幕。 CXLC8901 具有兼容多数微机系统的双向二线式串行总线通讯接口
单片集成 LCD 控制器/驱动器

可选择背极驱动方式：静态或 2、3、4 复合

可选择显示偏置电压：静态、1/2 或 1/3

宽工作电压范围：2.5~5.5V

二线串行总线接口
15×4 共 60 位的显示数据存贮器

通用闪烁方式
LCD 电源和逻辑电路电源可分别供应

能和任何 4 位、8 位、16 位微处理器/微控制器兼容

兼容 TTL/COMS 电平

CXLC8961是一款用于有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)面板供电的芯片。其内部集成了一个升压转换器和一个负压转换器，非常适合用于由电池供电的电子设备。高精度高效率的升压转换器内部集成了0.5Ω的NMOS功率管和0.6Ω的PMOS功率管，带载能力达250mA，1.4MHz的工作频率允许采用较小的电感。升压转换器采用同步整流技术并具有真关断功能，内部数字软启动控制浪涌电流。其输出可通过外部反馈电阻调节为4V~8V。高精度的负压转换器内部集成了0.4Ω的NMOS功率管和0.5Ω的PMOS功率管，带载能力达250mA，1.4MHz的工作频率允许采用较小的电感。输出范围-6V~-1V，外部可调。效率可达80%以上，内部数字软启动控制浪涌电流

CXLC8972是一种低功耗的字段式LCD显示驱动控制专用芯片。它拥有52个SEG输出端、4个COM输出端，内置52×4=208bit的DDRAM存，采用2线（SCL、SDA）串行传输数据，可以设置1/3Bias和1/2Bias驱动模式，Line和Frame翻转模式
• 工作电压范围：2.5～5.5V
• 液晶驱动输出：52 SEG×4 COM
• 内置DDRAM显存容量：52×4=208bit
• 液晶驱动模式：1/3Bias、1/2Bias
• 液晶翻转模式：Line、Frame
• 串行数据输入接口：SCL、SDA
• 低功耗设计
• 内置振荡电路
• 搭载等待模式
• 内置上电复位功能
• 搭载闪烁模式

CXLB73182是一款工作于2.7V到6.5V的PFM升压型 四节电池充电控制集成电路。 CXLB73182采用恒流和准恒压模式(Quasi-CVTM))对电池进行充电管理，内部集成有基准电压源，电感电流检测单元，电池电压检测电路和片外场效应晶体管驱动电路等，具有外部元件少，电路简单等优点。
当接通输入电源后，CXLB73182进入充电状态，控制片外N沟道MOSFET导通，电感电流上升，当上升到外部电流检测电阻设置的上限时，片外N沟道MOSFET截止，电感电流下降，电感中的能量转移到电池中。当电感电流下降到外部电流检测电阻设置的下限时，片外N沟道MOSFET再次导通，如此循环。当BAT管脚电压第一次达到内部设置的16.8V(典型值)时，CXLB73182进入准充电模式，以较小电流对电池充电。只有当BAT管脚电压第二次达到16.8V时，充电过程才结束，片外N沟道MOSFET保持截止状态。当BAT管脚电压下降到再充电阈值时，CXLB73182再次进入充电状态。CXLB73182最高工作频率可达1MHz，工作温度范围从－40℃到＋85℃。
当电池电压低于输入电压或电池短路时，CXLB73182在片外N沟道MOSFET和P沟道MOSFET的共同作用下，用较小电流继续对电池充电，对电池起到保护作用。其他功能包括芯片使能输入，状态指示输出端等

CXLB73184是一款工作于2.7V到6.5V的PFM升压型双 节锂电池充电控制集成电路。CXLB73184采用恒流和 准恒压模式对电池进行充电管理，内部集成有基准电压源，电感电流检测单元，电池 电压检测电路和片外场效应晶体管驱动电路等， 具有外部元件少，电路简单等优点。 当接通输入电源后，CXLB73184进入充电状态，控制 片外N沟道MOSFET导通，电感电流上升，当上升 到外部电流检测电阻设置的上限时，片外N沟道 MOSFET截止，电感电流下降，电感中的能量转 移到电池中。当电感电流下降到外部电流检测电 阻设置的下限时，片外N沟道MOSFET再次导通， 如此循环。当BAT管脚电压第一次达到内部设置 的8.4V(典型值)时，CXLB73184进入准充电模式，以较小电流对电池充电。只有当BAT管脚电压第二次达到8.4V时，充电过程才结束，片外N沟道 MOSFET保持截止状态。当BAT管脚电压下降到 再充电阈值时，CXLB73184再次进入充电状态。 CXLB73184最高工作频率可达1MHz，工作温度范围 从－40℃到＋85℃。 当电池电压低于输入电压或电池短路时，CXLB73184 在片外N沟道MOSFET和P沟道MOSFET的共同作 用下，用较小电流继续对电池充电，对电池起到 保护作用。 其他功能包括芯片使能输入，状态指示输出端等