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CXAS4241是一种四极单刀双掷（SPTT）CMOS开关，在VDD=2.7V时具有0.4欧姆的导通电阻，电源范围从1.6V到4.2V。它可以用作模拟开关或低延迟总线开关。
宽电源范围：1.6V至4.2V 低通电阻：0.4Ω（VDD=2.7V） 低阻平整度z-3dB 带宽：42MHz 快速开关速度（VDD=3.3V）：tON:20ns tOFF:10ns IDD=300nA@TA=+25°C 高关隔离度：-65dB 串扰抑制：-65dB |
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CXAS4256是一个四通道单刀双掷模拟开关(SPDT)，适用于通信系统，医疗设备和其它便携式电池供电设备。它采用CMOS 工艺，具有双向，低阻值，低压，低功耗，低漏电流，高速，高带宽的特点，非常适合电池供电的便携式产品采用。其极低的开关阻抗0.5Ω(TYP)和快速开关
时间tON=50ns, tOFF=25ns，可以大大减少电池供电便携式产品的信号损失，改善音频及视频输出级。CXAS4256 由四个单刀双掷开关组成，它有两个控制端，每个控制端可以控制两个单刀双掷开关。因此，CXAS4256配置成为了两个双刀双掷（DPDT）开关，可以作为2-1多路复用器/多路选择器使用 电压工作范围：1.8V～4.2V 超低阻值：0.5Ω(TYP) 快速开关时间(4.2V)：tON=50ns, tOFF=25ns -3dB带宽：70MHz 超低功耗：<0.01μW 轨到轨的工作范围 TTL/CMOS兼容 通道=4 工作电压=1.8-4.2V -3dB带宽=70MHz 导通内阻=500mΩ 最大电流=200mA |
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CXES4276 CXES4276A CXES4276B集成了高边N沟道MOSFET和低边N沟道MOSFET以及自适应死区控制。CXES4276A CXES4276B具有内置的三态脉冲宽度调制输入功能，可支持多个脉冲宽度调制控制器。当PWM输入信号保持三态时，三态函数在不考虑ZC函数的情况下关闭高侧MOSFET，打开低侧MOSFET。该装置还配备了上电复位（POR）和使控制功能成为一个单一的包和准确的电流限制。该器件的过流保护通过使用低边MOSFET的RDS（ON）上的电压降来监测输出电流，从而消除了对高效率和低成本的电流传感电阻的需求。带滞后的POR电路监测VCC电源电压，以便在通电/断电时启动/关闭IC。CXES4276A CXES4276B也可以由其他电源系统启用或禁用。将EN引脚拉高或拉低将打开或关闭设备。
·VCC的4.5V~5.5V输入范围 ·车辆识别号的4.5V~25V输入范围 ·VCC引脚上电复位监控 ·高达25A（峰值），13A（连续）输出电流刻度 ·可调过流保护阈值 ·高达1.5MHz的脉宽调制操作 ·内置三态PWM输入功能 ·内置定时控制功能 ·内置N-CH MOSFETforhighside，N-CH MOSFET for low side ·跳过模式操作 ·过温保护 |
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CXES4280系列产品是内置低导通电阻P沟道MOSFET的功率开关IC。作为保护功能，内置了限定电流功能,防止倒流功能 (防止VOUT→VIN的倒流),软启动功能,过热停机功能,防止低电压错误动作电路(UVLO)。此外，还搭载了监控功率开关状态的标志。标志端子为N沟道开漏输出，在检测过电流中及检测过热中,防止倒流功能动作中，输出低电平。进而，还搭载了限定电流可变功能，用外置电阻可以在0.075A～2.4A(TYP.)的范围内设定限定电流数值。根据在CE端子上印加的电压电平，可以使IC成待机状态。可以从有效H电平,有效L电平中选择CE端子输入逻辑
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CXAS42199是一种高速、低功耗双极/双掷（DPDT）模拟开关，可从单个1.8V到4.3V电源供电。
CXAS42199是专为手机和消费应用程序（如手机、数码相机和带有集线器或控制器的笔记本电脑，其USB I/o有限）中高速USB 2.0信号的交换而设计的。 CXAS42199具有低位对位倾斜和高通道对通道噪声隔离，并且兼容各种标准，例如高速USB 2.0（480mbps）。每个开关都是双向的，在输出端几乎不衰减高速信号。它的带宽足够宽，可以通过高速USB 2.0差分信号（480mb/s），具有良好的信号完整性。 CXAS42199在D+/D引脚上包含特殊电路，当USB设备断电或通电时，该电路允许设备承受对D+或D+短路的VBU。 •3.0V时，RON通常为4.5Ω •低比特对比特倾斜：50ps（典型值） •电压运行：1.8V至4.3V •快速切换时间：t10ns 时间22ns •低串扰：250MHz时为41dB •当V+=0V时断电保护， D+/D-引脚可承受高达5.25V的电压 •高隔离度：250MHz时为-35dB •轨对轨输入和输出操作 •接通前断开开关 |
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CXAD3350是一款16位、125MSPS模数转換器(ADC}旨在支持需要高性能、低成本、小尺 寸且具多功能性的通信应用。这款ADC内核采 用多级、差分流水线架构，并集成了输出纠错 逻辑。它具有宽带宽，差分采样保持模拟输入 放大器，支持用户可选的各种输入范围。集成 基准电压源可简化设计。占空比稳定器可用来 补偿ADC时钟占空比的波动，使转换器保持出 色的性能。ADC输出数据格式为并行1.8 V CMOS或LVDS (DDR)
信噪比(SNR): 79.OdBFS (70 MHz, 125MSPS) 无杂散动态范围(SFDR): 93 dBc (70 MHz, 125MSPS) 低功耗；373 mW(125 MSPS) 1.8 V CMOS或LVDS输出电源 1至8整数输入时钟分频器 |
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CXAS42287是一种低导通电阻双通道负载开关，具有可编程的通电上升时间。它包含两个n沟道mosfet，每个沟道可以提供6安培的最大持续电流。每个通道可以在0.8V到5.5V的输入电压范围内工作，每个通道可以通过EN1/EN2引脚由低压控制信号独立控制。在CXAS42287中，集成了一个200Ω负载电阻器，以便在负载开关断开时快速输出放电。连接到SS1/SS2的可选外部电容器用于输出转换率控制。
工作范围：0.8V~5.5V 低静态电流80uA（双通道）60uA（单通道） 低导通电阻 集成双通道，每个通道最大负载电流可达6A 低压启用控制 外部可编程上升时间 快速输出放电 热关机 |
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CXAS42288CXAS42288A是一个单通道限流电源开关，针对通用串行总线（USB）和其他热插拔应用程序进行了优化。控制上升和下降时间，以在开关过程中最小化电流过冲或过冲。该装置具有快速的短路响应时间，提高了系统的整体鲁棒性。它提供了完整的保护方案，如过电流保护、过温保护和短路保护，以及可控上升时间和欠压闭锁功能。开路漏极标志输出上的7.5ms故障消除时间可防止错误的过电流报告。
50mΩ集成N-MOSFET开关 精确电流限制 FLG：有效低 过流期间的恒定电流 快速短路响应时间：2μs（典型值） 工作范围：2.7V-5.5V 内置软启动，典型上升时间为3ms 过电流、输出过电压和热保护 |
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CXCN5343E
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CXCP5388 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications
● VDS =-40V,ID =-13A RDS(ON)<15mΩ @ VGS=-10V RDS(ON)<18mΩ @ VGS=-4.5V ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current ● Excellent package for good heat dissipation |
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