| N 沟道增强型功率MOSFET JTMC2302 | |||||||||||||||||||||||||||
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| 概述： | |||||||||||||||||||||||||||
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| JTMC2302采用先进工艺，提供较低的导通电阻，低栅极电荷和低栅极电压(低至2.5V)。JTMC2302适合用于电池保护，或作为开 | |||||||||||||||||||||||||||
| 关的应用。 | |||||||||||||||||||||||||||
| 应用： | |||||||||||||||||||||||||||
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电池保护 | ||||||||||||||||||||||||||
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负载开关 | ||||||||||||||||||||||||||
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电源管理 | ||||||||||||||||||||||||||
| 特点： | |||||||||||||||||||||||||||
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VDS = 20V,ID = 2.9A | ||||||||||||||||||||||||||
| RDS(ON) < 59mΩ @ VGS=2.5V | |||||||||||||||||||||||||||
| RDS(ON) < 45mΩ @ VGS=4.5V | |||||||||||||||||||||||||||
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较高的功率和电流处理能力 | ||||||||||||||||||||||||||
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3 管脚SOT23 封装 | ||||||||||||||||||||||||||
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产品无铅，满足rohs，不含卤素 | ||||||||||||||||||||||||||
| 产品封装图： | |||||||||||||||||||||||||||
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| 产品原理图： | |||||||||||||||||||||||||||
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| 相关产品： | |||||||||||||||||||||||||||
N沟道增强型场效应管
P沟道增强型场效应管
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