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EnglishN 沟道增强型功率 MOSFET CXCN5323采用先进工艺，提供较低的导通电阻，低 栅极电荷和低栅极电压(低至2.5V)。CXCN5323适合 用于电池保护，或作为开关的应用。
摘要：N 沟道增强型功率 MOSFET CXCN5323采用先进工艺，提供较低的导通电阻，低 栅极电荷和低栅极电压(低至2.5V)。CXCN5323适合 用于电池保护，或作为开关的应用。
CXCN5323采用先进工艺，提供较低的导通电阻，低 栅极电荷和低栅极电压(低至2.5V)。CXCN5323适合 用于电池保护，或作为开关的应用。</span>
VDS = 20V,ID = 2.9A RDS(ON) < 59mΩ @ VGS=2.5V RDS(ON) < 45mΩ @ VGS=4.5V
较高的功率和电流处理能力
3 管脚 SOT23 封装
产品无铅，满足 rohs，不含卤素</span>
电池保护
负载开关</span>
电源管理
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型号 | 最大漏源电压</span> | 栅极阈值电压</span> | 最大导通电流</span> | 导通阻抗</span> | 封装 |
20V | 0.85V | 2.9A | 45 毫欧 | SOT23-3 |
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