大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片CXMS5102是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电 路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器 中的驱动电路。 CXMS5102高端的工作电压可达 100V,Vcc的电源电压范围宽 11V~30V,静态功耗低仅 4.5mA

发布时间:2020-04-06 09:43:38 浏览次数:702 作者:嘉泰姆
摘要:大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片CXMS5102是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电 路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器 中的驱动电路。 CXMS5102高端的工作电压可达 100V,Vcc的电源电压范围宽 11V~30V,静态功耗低仅 4.5mA

目录

1.产品概述       2.产品特点     1SO嘉泰姆

3.应用范围       4.技术规格书下载(PDF文档)</span>1SO嘉泰姆

5.产品封装       6.电路原理图</strong>  1SO嘉泰姆

7.相关产品1SO嘉泰姆

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CXMS5102是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电 路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器 中的驱动电路。 CXMS5102高端的工作电压可达 100V,Vcc的电源电压范围宽 11V~30V,静态功耗低仅 4.5mA。该芯片具 有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道LIN内建了上拉5V高电位和HIN 内建了一个10K下拉电阻, 在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出结构采用半桥式达林顿管结构,采用 SOP8 封装。</p>

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 高端悬浮自举电源设计,耐压可达 100V 1SO嘉泰姆

 内建死区控制电路 1SO嘉泰姆

 自带闭锁功能,彻底杜绝上、下管输出同时导通&nbsp;1SO嘉泰姆

 采用半桥达林顿管输出结构具有 1A 大电流栅极驱动能力&nbsp;1SO嘉泰姆

 专用于无刷电机 N 沟道 MOS 管、IGBT 管栅极驱动&nbsp;1SO嘉泰姆

 HIN 输入通道高电平有效,控制高端 HO 输出 1SO嘉泰姆

 LIN 输入通道低电平有效,控制低端 LO 输出 1SO嘉泰姆

 外围器件少&nbsp;1SO嘉泰姆

 静态电流小:4.5mA 1SO嘉泰姆

 封装形式:SOP-81SO嘉泰姆

   应用范围 返回TOP1SO嘉泰姆


 电动摩托车控制器 1SO嘉泰姆

 电动自行车控制器 1SO嘉泰姆

 100V 降压型开关电源&nbsp;1SO嘉泰姆

 变频水泵控制器&nbsp;1SO嘉泰姆

 无刷电机驱动器&nbsp;1SO嘉泰姆

 高压 Class-D 类功放<span style="font-size: 18px;">1SO嘉泰姆

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半桥输出大功率MOS管/IGBT驱动IC
型号工作电压静态电流</span>I/O拉电流</span>I/O灌电流</span>上升时间下降时间开延时关延时</span>封装 
CXMS5101B10V-20V/高端工作电压120V150uA0.45A0.9A70nS60nS120nS120nSSOP8
CXMS510111V-30V/高端工作电压100V4.5mA0.8A1A400nS200nS300nS400nSSOP8
CXMS510211V-30V/高端工作电压100V4.5mA0.8A1A400nS200nS300nS400nSSOP8
CXMS5102B10V-20V/高端工作电压600V150uA0.3A0.6A60nS35nS500nS500nSSOP8
CXMS510310V-20V/高端工作电压600V150uA0.3A0.6A90nS40nS20nS20nSSOP8
单通道大功率MOS管/IGBT驱动IC
型号工作电压静态电流</span>I/O拉电流</span>I/O灌电流</span>上升时间下降时间开延时关延时</span>封装 
CXMS51043V-30V2mA1A1.2A80nS20nS200nS80nSSOP8

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