P沟道增强型场效应管CXCP5363B CXCP5363低导通电阻高可靠性驱动要求简单2.5V驱动
-
[ CXCP5363 ]
一,产品概述(General Description)
Vdss=-20V
Vgss=±12V
Id=-1.1A
Idm=-2.4A
Is=-0.26A
封装形式:SOT-523
|
VDSS |
ID |
RDS(ON)(mΩ)TYP |
|
-20V |
-0.45A |
300 @ VGS=-4.5V |
|
-0.35A |
450 @ VGS=-2.5V |
二.产品特点(Features)
低导通电阻
高可靠性
驱动要求简单
2.5V 驱动
采用 SOT-523 封装
三,应用范围 (Applications)
四.下载产品资料PDF文档
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五,产品封装图 (Package)
六.电路原理图
七,功能概述
|
参数 |
符号 |
条件 |
最小 |
典型 |
最大 |
单位 |
|
静态特性 |
||||||
|
漏源击穿电压 |
V(BR)DSS |
VGS=0V, ID=-250μA |
-20 |
V |
||
|
栅极阈值电压 |
VGS(th) |
VDS=VGS, ID=-250μA |
-0.35 |
-1 |
V |
|
|
栅－衬漏电流 |
IGSS |
VDS =0V, VGS=±12V |
±100 |
nA |
||
|
零栅压漏电流 |
IDSS |
VDS=-20V, VGS=0V |
-1 |
μA |
||
|
VDS=-20V, VGS=0V |
-5 |
|||||
|
通态漏电流 |
||||||
|
ID(ON) |
VDS≤-4.5V,VGS=-5V |
-0.7 |
A |
|||
|
漏源通态电阻 |
RDS(ON) |
VGS=-4.5V, ID=-0.45A |
0.23 |
0.3 |
Ω |
|
|
VGS=-2.5V, ID=-0.35A |
0.37 |
0.45 |
||||
|
VGS=-1.8V, ID=-0.25A |
||||||
|
0.51 |
0.58 |
|||||
|
正向跨导 |
||||||
|
gfs |
VDS=-10V, ID=-0.25A |
1 |
S |
|||
|
漏源二极管正向电压 |
VSD |
VGS=0V,Is=-0.15A |
-0.8 |
-1.2 |
V |
|
|
动态特性 |
||||||
|
栅极总电荷 |
Qg |
VDS=-10V,ID=-0.6A |
1.5 |
2 |
nC |
|
|
栅源电荷 |
Qgs |
VGS=-4.5V |
0.3 |
|||
|
栅漏电荷 |
||||||
|
Qgd |
0.35 |
|||||
|
开通延迟时间 |
||||||
|
td (ON) |
VDD=-10V |
5 |
10 |
ns |
||
|
VGEN=-4.5V |
||||||
|
上升时间 |
ID=-0.4A |
tr |
15 |
25 |
||
|
关断延迟时间 |
RL=10Ω |
|||||
|
td (OFF) |
RG=6Ω |
8 |
15 |
|||
|
下降时间 |
||||||
|
tf |
1.4 |
1.8 |
||||
八,相关产品
|
产品名称 |
Vdss(V) |
Vgss(V) |
Id(A) |
Idm(A) |
Is(A) |
封装形式 |
|
-30 |
±20 |
-4.4 |
-30 |
-1 |
SOT-23-3 |
|
|
-20 |
±12 |
-1.1 |
-2.4 |
-0.26 |
SOT-523 |
|
|
-20 |
±12 |
-0.8 |
-2.8 |
-0.58 |
SOT-23-3 |
|
|
-20 |
±12 |
-0.8 |
-1.8 |
-0.58 |
SOT-23-3 |
|
|
-20 |
±12 |
-3.6 |
-11 |
-1.25 |
SOT-23-3 |
